SrTiO3 thin films deposited by CLCB in combination with sol-gel processing

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 7, Issue 11, 2004, Pages

  Kang, Hochul ^a,c   Park, Sungho ^a,d   Kim, Kyekyoon ^a   Sung, Man Y ^b   Choi, Hyungsoo ^a  

^a UNIVERSITY OF ILLINOIS AT URBANA CHAMPAIGN   (United States)

^b Korea University   (South Korea)

^c Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

^d LG Llausys R and D Center   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTALLIZATION; DEPOSITION; DYNAMIC RANDOM ACCESS STORAGE; GRANULAR MATERIALS; PERMITTIVITY; SOL-GELS; STRONTIUM COMPOUNDS;

CHARGED LIQUID CLUSTER BEAM (CLCB); GRANULAR STRUCTURES; SUBSTRATE TEMPERATURES;

THIN FILMS;

EID: 10044226045     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1804980     Document Type: Article

References (30)

1. S. Ezhilvalavan and T. Y. Tseng, Mater. Chem. Phys., 65, 227 (2000).
2. G. W. Dietz and R. Waser, Thin Solid Films, 299, 53 (1997).
3. P. C. Joshi and S. B. Krupanidhi, J. Appl. Phys., 73, 7627 (1993).
4. F. M. Pontes, E. R. Leite, E. J. H. Lee, E. Longo, and J. A. Varela, J. Eur. Ceram. Soc., 21, 419 (2001).
5. Y. Gao, Y. Masuda, T. Yonezawa, and K. Koumoto, Mater. Sci. Eng., B, B99, 290 (2003).
6. D. Bao, X. Yao, N. Wakiya, K. Shinozaki, and N. Mizutani, Appl. Phys. Lett., 79, 3767 (2001).
7. N. Kohara, A. Yoshida, T. Sawada, and M. Kitagawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 39, 172 (2000).
8. S. H. Nam and H. G. Kim, J. Appl. Phys., 72, 2895 (1992).
9. P. Tejedor, V. M. Fuenzalida, and F. Briones, J. Appl. Phys., 80, 2799 (1996).
10. G. M. Rao and S. B. Krupanidhi, J. Appl. Phys., 75, 2604 (1994).
11. J. Ramdani, R. Droopad, Z. Yu, J. A. Curless, C. D. Overgaard, J. Finder, K. Eisenbeiser, J. A. Hallmark, W. J. Ooms, and V. Kaushik, Appl. Surf. Sci., 159, 127 (2000).
12. C. S. Kang, C. S. Hwang, H. J. Cho, B. T. Lee, S. O. Park, J. W. Kim, H. Horii, S. I. Lee, Y. B. Koh, and M. Y. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 35, 4890 (1996).
13. S. Y. Park, J. W. Choi, and K. S. No, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 40, 2456 (2001).
14. D. O. Kim, R. J. Choi, K. S. Nahm, and Y. B. Hahn, J. Vac. Sci. Technol. A, 18, 361 (2000).
15. C. L. Jia, K. Urban, S. Hoffmann, and R. Waser, J. Mater. Res., 13, 2206 (1998).
16. R. Thomas, D. C. Cube, M. N. Kamalasanan, S. Chandra, and A. S. Bhalla, J. Appl. Phys., 82, 4484 (1997).
17. M. N. Kamalasanan, N. D. Kumar, and S. Chandra, J. Appl. Phys., 74, 679 (1993).
18. K. Kim and C. Ryu, Nanostruct. Mater., 4, 597 (1994).
19. K. Kim and R. J. Turnbull, J. Appl. Phys., 47, 1964 (1976).
20. C. Ryu and K. Kim, Appl. Phys. Lett., 67, 3337 (1995).
21. M. Cich, K. Kim, H. Choi, and S. T. Hwang, Appl. Phys. Lett., 73, 2116 (1998).
22. S. H. Rhee, Y. Yang, J. M. Myoung, K. Kim, and H. Choi, Thin Solid Films, 396, 23 (2001).
23. Y. Yang, K. Kim, and H. Choi, Thin Solid Films, 396, 97 (2001).
24. H. Choi and S. Hwang, J. Mater. Res., 15, 842 (2000).
25. H. Choi, S. Park, Y. Yang, H. Kang, K. Kim, M. Y. Sung, and H. G. Jang, J. Mater. Res., 17, 1888 (2002).
26. S. Saha and S. B. Krupanidhi, J. Appl. Phys., 87, 3056 (2000).
27. S. Y. Lee and T. Y. Tseng, Appl. Phys. Lett., 80, 1797 (2002).
28. R. R. Das, P. Bhattacharya, W. Pérez, R. S. Katiyar, and A. S. Bhalla, Appl. Phys. Lett., 81, 880 (2002)
29. G. Dietz, M. Schumacher, R. Waser, S. K. Streiffer, C. Basceri, and A. I. Kingon, J. Appl. Phys., 82, 2359 (1997).
30. G. W. Dietz, W. Antpöhler, M. Klee, and R. Waser, J. Appl. Phys., 78, 6113 (1995).