Ferroelectric Properties of Nb-Doped Bi4Ti3O 12 Thin Films Prepared Using Surfactant in Acid or Basic Atmosphere

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 42, Issue 10, 2003, Pages 6486-6490

  Kim, Jin Soo ^a   Kim, Sang Su ^b   Kim, Jong Kuk ^b  

^a University of Ulsan   (South Korea)

^b Changwon National University   (South Korea)

Author keywords

Ferroelectric; FET; FRAM; Niobium doped Bi4Ti3O12 thin film; P E hysteresis loop; Remanent polarization; Sol gel method; Surfactant

Indexed keywords

ACIDITY; BISMUTH COMPOUNDS; FERROELECTRICITY; HYSTERESIS; NIOBIUM; SEMICONDUCTOR DOPING; SOL-GELS; SURFACE ACTIVE AGENTS;

FERROELECTRIC PROPERTIES; REMANENT POLARIZATION;

THIN FILMS;

EID: 0346329749     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.42.6486     Document Type: Article

References (30)

1. R. Dat, D. J. Lichtenwalner, O. Auciello and A. I. Kingon: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 2673.
2. H. N. Al-Shareef, A. I. Kingon, X. Chen, K. R. Bellur and O. Auciello: J. Mater. Res. 9 (1994) 11.
3. B. H. Park, S. J. Hyun, S. D. Bu, T. W. Noh, J. Lee, H.-D. Kim, T. H. Kim and W. Jo: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 1907.
4. K. Kato, C. Zheng, J. M. Finder, S. K. Dey and Y. Torii: J. Am. Ceram. Soc. 81 (1998) 1869.
5. I. W. Kim, C. W. Ahn, J. S. Kim, T. K. Song, J.-S. Bae, B. C. Choi, J.-H. Jeong and J. S. Lee: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 4006.
6. B. Aurivillius: Nature 2 (1950) 519.
7. S. E. Cummins and L. E. Cross: J. Appl. Phys. 39 (1968) 2268.
8. B. H. Park, B. S. Kang, S. D. Bu, T. W. Noh, J. Lee and W. Jo: Nature 401 (1999) 682.
9. D. Wu, A. Li, T. Zhu, Z. Liu and N. Ming: J. Appl. Phys. 88 (2000) 5941.
10. Y. Noguchi, I. Miwa, Y. Goshima and M. Miyayama: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L1259.
11. T. Watanabe and H. Funakubo: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 5211.
12. H. Ishiwara: J. Semicond. Technol. Sci. 1 (2001) 1.
13. T. Choi, Y. Kim and J. Lee: J. Kor. Phys. Soc. 40 (2002) 188.
14. S. H. Hwang and H. J. Chang: J. Kor. Phys. Soc. 41 (2002) 139.
15. T. Watanabe, H. Funakubo, M. Osada, Y. Noguchi and M. Miyayama: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 100.
16. S. Okamura, Y. Yagi, K. Mori, G. Fugihashi, S. Ando and T. Tsukamoto: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 5889.
17. H. N. Lee, D. Hesse, N. Zakharov and U. Gosel: Science 296 (2002) 2006.
18. M. Yamaguchi, K. Kawanabe, T. Nagatomo and O. Omoto: Mater. Sci. Eng. B 41 (1996) 138.
19. J. T. Dawley, R. Radspinner, B. J. J. Zelinski and D. R. Uhlmann: J. Sol-Gel Sci. Technol. 20 (2001) 85.
20. J. S. Kim, S. S. Kim, J. K. Kim and T. K. Song: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 6451.
21. J. K. Kim, J. Kim, T. K. Song and S. S. Kim: Thin Solid Films 419 (2002) 225.
22. S. S. Kim, T. K. Song, J. K. Kim and J. Kim: J. Appl. Phys. 92 (2002) 2213.
23. H. Nagata, N. Chikushi and T. Takenaka: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 5497.
24. H. S. Shulman, D. Damjanovic and N. Setter: J. Am. Ceram. Soc. 83 (2000) 528.
25. S. H. Hong, S. T. McKinstry and G. L. Messing: J. Am. Ceram. Soc. 83 (2000) 113.
26. M. Villegas, A. C. Caballero, C. Moure, P. Duran and J. F. Fernandez: J. Eur. Ceram. Soc. 19 (1999) 1183.
27. X. Du and I. W. Chen: J. Am Ceram. Soc. 81 (1998) 3253.
28. H. Gu, C. Dong, P. Chen, D. Bao, A. Kuang and X. Li: J. Cryst. Growth 186 (1998) 403.
29. D. Zhao, P. Yang, N. Melosh, J. Feng, B. F. Chmelka and G. D. Stucky: Adv. Mater. 10 (1998) 1380.
30. J. E. Martin, M. T. Anderson, J. Odinnek and P. Newcomer: Langmuir 13 (1997) 4133.