Point defects and interdiffusion at GaAs heterojunctions

Defect and Diffusion Forum

Volumn 157-159, Issue , 1998, Pages 17-36

  Cohen, R M ^a  

^a UNIVERSITY OF UTAH   (United States)

Author keywords

Dielectric encapsulation; Equilibrium; Hydrogen passivation; Ion implantation; Native defects; Phase diagrams

Indexed keywords

DESIGN OF EXPERIMENTS; DIFFUSION; GALLIUM ARSENIDE; HETEROJUNCTIONS; III-V SEMICONDUCTORS; ION IMPLANTATION; PASSIVATION; PHASE DIAGRAMS; PHASE EQUILIBRIA; PHASE SEPARATION; POINT DEFECTS; PRECIPITATION (CHEMICAL); SEMICONDUCTING GALLIUM; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

ANNEALING EXPERIMENTS; DEFECT CONCENTRATIONS; DIELECTRIC ENCAPSULATION; HYDROGEN PASSIVATION; NATIVE DEFECT; NON-EQUILIBRIUM DEFECTS; PROCESSING TECHNIQUE; TIME-DEPENDENT DIFFUSION;

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 0343251085     PISSN: 10120386     EISSN: 16629507     Source Type: Journal    
DOI: 10.4028/www.scientific.net/ddf.157-159.17     Document Type: Article

References (57)

1. R. M. Cohen, Mater. Sci. Engineer. R20, 167 (1997).
2. Y. M. Haddara and J. M. Bravman, Ann. Rev. Mater. Sci., in press 1998.
3. D. G. Deppe and N. Holonyak, Jr., J. Appl. Phys. 64, R93 (1988).
4. F. A. Kroger, The Chemistry of Imperfect Crystals, 2nd ed. vol. 2 (North Holland, Amsterdam, 1974), p. 237ff.
5. D. L. Kendall, in Semiconductors and Semimetals, vol. 4, ed. by R. K. Willardson and A. C. Beer (Academic, New York, 1968), p. 222.
6. D. Shaw, in Atomic Diffusion in Semiconductors, ed. by D. Shaw, (Plenum, New York, 1973), p. 1.
7. H. C. Casey, Jr. and G. L. Pearson, in Point Defects in Solids, vol. 2, ed. by J. H. Crawford and L. M. Slifkin (Plenum, New York, 1975), p. 163.
8. T. Y. Tan and U. Gosele, Mater. Sci. Engineer. B1, 47 (1988).
9. K. Y. Hsieh, Y. L. Hwang, J. H. Lee, and R. M. Kolbas, J. Electron. Mater. 19, 1417 (1990).
10. B. L. Olmsted and S.N. Houde-Walter, Appl. Phys. Lett. 63, 1131 (1993).
11. H. C. Casey, Jr. and M. B. Panish, Trans. Metal. Soc. AIME 242, 406 (1968).
12. B. Goldstein, Phys. Rev. 121, 1305 (1961).
13. H. D. Palfrey, M. Brown, and A. F. W. Willoughby, J. Electrochem. Soc. 128, 2224 (1981).
14. T. Y. Tan, H. M. You, S. Yu, U. M. Gosele, W. Jager, D. W. Boeringer, F. Zypman, R. Tsu, S. T. Lee, J. Appl. Phys. 72, 5206 (1992).
15. L. Wang, L. Hsu, E. E. Haller, J. W. Erickson, A. Fischer, K. Eberl, M. Cardona, Phys. Rev. Lett. 76, 2342 (1996).
16. B. L. Olmsted and S. N. Houde-Walter, Appl. Phys. Lett. 63, 530 (1993).
17. T. Y. Tan and U. Gosele, Mater. Sci. Engineer. B1, 47 (1988).
18. P. Mei, H. W. Yoon, T. Venkatesan, S. A. Schwarz, J. P. Harbison, Appl. Phys. Lett. 50, 1823 (1987).
19. P. Mei, S. A. Schwarz, T. Venkatesan, C. L. Schwartz, E. Colas, J. Appl. Phys. 65, 2165 (1989).
20. C. Y. Chen, R. M. Cohen, D. S. Simons, and P. H. Chi, Appl. Phys. Lett. 67, 1402 (1995).
21. C. Y. Chen and R. M. Cohen, J. Cryst. Growth 167, 17 (1996).
22. W. J. Choi, S. Lee, J. Zhang, Y. Kim, S. K. Kim, J. I. Lee, K. N. Kang, and K. Cho, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L418 (1995).
23. R. K. Kupka and Y. Chen, Appl. Phys. Lett. 67, 1612 (1995).
24. A. Pepin, C. Vieu, M. Schneider, H. Launois, and Y. Nissim, J. Vac. Sci. Technol. B15, 142 (1997).
25. Y. M. Haddara, M. D. Deal, and J. C. Bravman, Appl. Phys. Lett. 68, 1939 (1996).
26. E. S. Aydil, Z. H. Zhou, R. A. Gottscho, and Y. J. Chabal, J. Vac. Sci. Technol. B13, 258 (1995).
27. M. J. Grove, D. A. Hudson, P. S. Zory, R. J. Dalby, C. M. Harding, and A. Rosenberg, J. Appl. Phys. 76, 587 (1994).
28. Shu Yuan, C. Jagadish, Yong Kim, Y. Chang, H. H. Tan, R. M. Cohen, M. Petravic, L. V. Dao, M. Gal, M. C. Y. Chan, E. H. Li, J. S. O, and P. S. Zory, IEEE Journal of Special Topics in Quantum Electronics (in press).
29. S. Yuan, Y. Kim, H.H. Tan, C. Jagadish, P.T. Burke, L.V. Dao, M. Gal, M.C.Y. Chan, E.H. Li, J. Zou, D.Q. Cai, D.J.H. Cockayne and R.M. Cohen, J. Appl. Phys. 83, 1305 (1998).
30. R. M. Cohen, G Li, M. Gal, C. Jagadish, submitted.
31. S. T. Horng and M. S. Goorsky, Appl. Phys. Lett. 68, 1537 (1996).
32. H. G. Robinson, C. C. Lee, T. E. Haynes, E. L. Allen, M. D. Deal, and K. S. Jones, in Beam-Solid Interactions for Materials Synthesis and Characterization. Symposium, ed. by Jacobson, D.C.; Luzzi, D.E.; Heinz, T.F.; Iwaki, M., (Materials Research Society 354. Pittsburgh, 1995) p. 337.
33. H. E. Jackson, J. Vac. Sci. Technol. B13, 2570 (1995).
34. R. Germann, A. Forchel, M. Bresch, and H. P. Meier, J. Vac. Sci. Technol. B7, 1475 (1989).
35. J. Cho and N. C. Sana, J. Appl. Phys. 74, 7315 (1993).
36. J. Wada, Y. Matsukura, T. Ogihara, and O. Ueda, J. Appl. Phys. 82, 617 (1997).
37. C.H. Chen, D. L. Green, E. L. Hu, J. P. Ibbetson, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 69, 58 (1996).
38. F. Frost, K. Otte, A. Schindkr, F. Bigl, G. Lippold, V. Gottschalch, Appl. Phys. Lett. 71, 1362 (1997).
39. E. W. Berg and S. W. Pang, J. Vac. Sci. Technol. B15, 2643 (1997).
40. W. Xia, S. A. Pappert, B. Zhu, A. R. Clawson, P. K. L. Yu, S. S. Lau, D. B. Poker, C. W. White, and S. A. Schwarz, J. Appl. Phys. 71, 2602 (1992).
41. R. A. Brown and J. S. Williams, J. Appl. Phys. 81, 7681 (1997).
42. M. Bode, A. Ourmazd, J. Cunningham, and M. Hong, Phys. Rev. Lett. 67, 843 (1991).
43. B. A. Turkot, B. W. Lagow, I. M. Robertson, D. V. Forbes, J. J. Coleman, L. E. Rehn, and P. M. Baldo, J. Appl. Phys. 80, 4366 (1996).
44. G. F. Redinbo, H. G. Craighead, and J. M. Hong, J. Appl. Phys. 74, 3099 (1993).
45. H. H. Tan, J. S. Williams, C. Jagadish, P. T. Burke, and M Gal, Appl. Phys. Lett. 68, 2401 (1996).
46. R. Kalish, L. Y. Kramer, K. K. Law, J. L. Merz, L. C. Feldman, D. C. Jacobson, and B. E. Weir, Appl. Phys. Lett. 61, 2591 (1992).
47. I. Strichman, D. Girshoni, and R. Kalish, Phys. Rev. B56, 1509 (1997).
48. P. J. Poole, S. Charbonneau, G. C. Aers, T. E. Jackman, M. Buchanan, M. Dion, R. D. Goldberg, and I. V. Mitchell, J. Appl. Phys. 78, 2367 (1995).
49. W. P. Gillen, I. V. Bradley, S. S. Rao, K. P. Homewood, B. J. Sealy, L. K. Howard, A. D. Smith, and A. T. R. Briggs, Mater. Sci. and Engineer. B21, 281 (1993).
50. S. I. Pearton, J. W. Corbett, and T. S. Shi, Appl. Phys. A43, 153 (1987).
51. J. M. Zavada, H. A. Jenkinson, R. G. Sarkis, and R. G. Wilson, J. Appl. Phys. 58, 3731 (1985).
52. A. Zozime and J. Castaing, Mater. Sci. Engineer. B42, 57 (1996).
53. A. Zozime and J. Castaing, Mater. Sci. Engineer. B42, 57 (1996).
54. A. Tandon and R. M. Cohen, in Thin Film Structures for Photovoltaics, E. D. Jones, R. Noufi, B. L. Sopori, and J. Kalejs, eds., 1997 MRS Fall Meeting, (MRS, Pittsburgh, 1998), in press.
55. R. M. Cohen, J. Appl. Phys. 73, 4903 (1993).
56. Hyo Hoon Park, Kyung Ho Lee, Jung Kee Lee, Yong Tak Lee, El-Hang Lee, Jeong Yong Lee, Soon-Ku Hong, and O'Dae Kwon, J. Appl. Phys. 72, 4063 (1992).
57. H. Ullrich, A. Knecht, D. Bimberg, H. Krautle, and W. Schlaak, J. Appl. Phys. 72, 3514 (1992).