Patterned growth on high-index GaAs (311)A substrates

Applied Surface Science

Volumn 166, Issue 1, 2000, Pages 406-412

  Nötzel, Richard ^a   Ploog, Klaus H ^a  

^a PAUL DRUDE INSTITUT FÜR FESTKÖRPERELEKTRONIK   (Germany)

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CRYSTAL ORIENTATION; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NANOSTRUCTURED MATERIALS; PHASE TRANSITIONS; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WIRES; SUBSTRATES;

MESA STRIPES; PATTERNED GROWTH; QUASI-PLANAR QUANTUM WIRES;

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

EID: 0342794225     PISSN: 01694332     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0169-4332(00)00457-8     Document Type: Article

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