Quadruples of Ge dots grown on patterned Si surfaces

Journal of Crystal Growth

Volumn 259, Issue 3, 2003, Pages 262-266

  Borgstrom, M ^a   Zela, V ^a   Seifert, W ^a  

^a LUND UNIVERSITY   (Sweden)

Author keywords

A1. Nanostructures; A1. Nucleation; A3. Chemical vapor deposition processes

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; CRYSTAL GROWTH; GERMANIUM; NUCLEATION; SURFACE PROPERTIES;

CARBON DEPOSITS;

SILICON;

EID: 0142063395     PISSN: 00220248     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.07.020     Document Type: Article

References (24)

1. Orlov A.O., Amlani I., Bernstein G.H., Lent C.S., Snider G.L. Science. 277:1997;928.
2. Anantram M.P., Vwani P., Roychowdhury P. J. Appl. Phys. 85:1999;1622.
3. Orlov A.O., Amlani I., Torn G., Lent C.S., Bernstein G.H., Snider G.L. Appl. Phys. Lett. 74:1999;2875.
4. Srolovitz D.J. Acta. Metall. 37:1988;621-625.
5. Sakamoto K., Matsuhata H., Tanner M.O., Wang D., Wang K.L. Thin Solid Films. 321:1998;55.
6. Xie Y.H., Samavedam S.B., Bulsara M., Langdo T.A., Fitzgerald E.A. Appl. Phys. Lett. 71:1997;24.
7. Shiryaev S.Y., Pedersen E.V., Jensen F., Petersen J.W., Hansen J.L., Larsen A.N. Thin Solid Films. 294:1997;311.
8. Xie Q., Madhukar A., Chen P., Kobayashi N.P. Phys. Rev. Lett. 75:1995;2542.
9. Teichert C., Lagally M.G., Peticolas L.J., Bean J.C., Tersoff J. Phys. Reb. B. 53:1996;16334.
10. Mui D.S.L., Leonard D., Coldren L.A., Perroff P.M. Appl. Phys. Lett. 66:1995;1620.
11. Jeppesen S., Miller M., Hessman D., Kowalski B., Maximov I., Samuelson L. Appl. Phys. Lett. 68:1996;2228.
12. Seifert W., Carlsson N., Petersson A., Wernersson L.-E., Samuelson L. Appl. Phys. Lett. 68:1996;1684.
13. T.I. Kamins, R.S. Williams, Appl. Phys. Lett. (1997) 1201.
14. Ishikawa T., Kohmoto S., Asakawa K. Appl. Phys. Lett. 73:1998;1712.
15. Konkhar A., Madhukar A., Chen P. Appl. Phys. Lett. 72:1998;220.
16. G. Jin, J.L. Liu, S.G. Thomas, Y.H. Luo, K.L. Wang, B. Nguyen, Appl. Phys. Lett. (1999) 2752.
17. Kirn E.S., Usami N., ShiraM Y. Semicond. Sea. Technol. 14:1999;257.
18. Kitajima T., Liu B., Leone S.R. Appl. Phys. Lett. 80:2002;497.
19. Kohmoto S., Nakamura H., Ishikawa T., Asakawa K. Appl. Phys. Lett. 75:1999;3488.
20. Borgstrom M., Johansson J., Seifert W., Samuelson L. Appl. Phys. Lett. 78:2001;1367.
21. Deng X., Krishnamurthy M. Phys. Rev. Lett. 81:1998;1473.
22. Gray J.L., Hull R., Floro J.A. Appl. Phys. Lett. 81:2002;2445.
23. Borgstrom M., Zela V., Seifert W. Nanotechnology. 14:2003;264.
24. Zela V., Pietzonka I., Sass T., Thelander C., Seifert W., Jeppesen S. Physica E. 13:2002;1013.