Properties of Cu/Au Schottky contacts on InGaP layer

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 6, 2003, Pages 3805-3809

  Liu, Day Shan ^a   Lee, Ching Ting ^a   Wang, Ching Wu ^b  

^a NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; ANNEALING; AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY; COPPER; DIFFUSION; GOLD; INTERMETALLICS; PYROLYSIS;

SCHOTTKY CONTACTS;

SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

EID: 0141921440     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1602574     Document Type: Article

References (22)

1. G. H. Olsen, M. Ettenberg, and R. V. Aiello, Appl. Phys. Lett. 33, 606 (1978).
2. S. H. Groves, Z. L. Liau, S. C. Palmateer, and J. N. Walpole, Appl. Phys. Lett. 56, 312 (1990).
3. H. Chaabane, M. Zazoul, J. C. Bourgoin, and V. Donchev, Semicond. Sci. Technol. 8, 2077 (1993).
4. J. Hashimoto, T. Katsuyama, J. Shinkai, I. Yoshida, and H. Hatashi, Appl. Phys. Lett. 58, 879 (1991).
5. L. J. Stinson, J. G. Yu, S. D. Lester, M. J. Peanasky, and K. Park, Appl. Phys. Lett. 58, 2012 (1991).
6. C. D. Tsai, H. P. Shiao, C. T. Lee, and Y. K. Tu, IEEE Photonics Technol. Lett. 9, 660 (1997).
7. W. C. Liu, H. J. Pan, W. C. Wang, S. C. Feng, K. W. Lin, K. H. Yu, and L. W. Laih, IEEE Trans. Electron Devices 48, 1054 (2001).
8. A. Nanda, M. J. Hafich, T. J. Vogt, L. M. Woods, G. A. Patrizi, and G. Y. Robinson, Appl. Phys. Lett. 61, 81 (1992).
9. T. H. Lim, T. J. Miller, F. Williamson, and M. I. Nathan, Appl. Phys. Lett. 69, 1599 (1996).
10. C. T. Lee, H. P. Shiao, N. T. Yeh, C. D. Tsai, Y. T. Lyu, and Y. K. Tu, Solid-State Electron. 41, 1 (1997).
11. K. J. Schoen, E. S. Harmon, J. M. Woodall, and T. P. Chin, Appl. Phys. Lett. 71, 518 (1997).
12. C. Y. Chen, L. Chang, E. Y. Chang, S. H. Chen, and D. F. Chang, Appl. Phys. Lett. 77, 3367 (2000).
13. C. D. Tsai, C. H. Fu, Y. J. Lin, and C. T. Lee, Solid-State Electron. 43, 665 (1999).
14. D. S. Liu and C. T. Lee, J. Appl. Phys. 91, 1349 (2002).
15. D. S. Liu and C. T. Lee, J. Appl. Phys. 92, 987 (2002).
16. Z. C. Huang, C. R. Wie, J. A. Varriano, M. W. Koch, and G. W. Wicks, J. Appl. Phys. 77, 1587 (1995).
17. S. D. Kwon, H. K. Kwon, B. D. Choe, H. Lim, and J. Y. Lee, J. Appl. Phys. 78, 2482 (1995).
18. R. J. Walters and G. P. Summers, J. Appl. Phys. 78, 7368 (1995).
19. Y. Takanashi, J. Appl. Phys. 80, 4389 (1996).
20. F. D. Auret, S. A. Goodman, F. K. Koschnick, J. M. Spaeth, B. Beaumont, and P. Gibart, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G6.13 (1999).
21. H. P. Shiao, C. Y. Wang, Y. K. Tu, W. Lin, and C. T. Lee, Solid-State Electron. 38, 2001 (1995).
22. D. C. Look, Y. He, J. Ramdani, N. El-Masry, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 63, 1231 (1993).