High Maximum Fequency of Oscillation of 0.1 μm Off-Set Γ-Shaped Gate InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMTs

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 43, Issue 3, 2003, Pages 427-430

  Lee, Bok Hyung ^a   Shin, Dong Hoon ^a   Kim, Sam Dong ^a   Rhee, Jin Koo ^a  

^a Dongguk University   (South Korea)

Author keywords

Fmax; MHEMT

Indexed keywords

EID: 0141816600     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (17)

1. L. D. Nguyen, A. S. Brown, M. A. Thompson and L. M. Jelloian, IEEE Trans. Electron Dev. 39, 2007 (1992).
2. M. Wojtowicz, R. Lai, D. G. Streit, G. I. Ng, T. R. Block, K. L. Tan, P. H. Liu, A. K. Freudenthal and R. M. Dia, IEEE Electron Dev. Lett. 15, 477 (1994).
3. A. Endoh, Y. Yamashita, M. Higashiwaki, K. Hikosaka, M. Mimura, S. Hiyamizu and T. Maysui, Proceedings of 12th International Conference on InP and Related Meterials (Williamsburg, May, 2000), p. 87.
4. P. M. Smith, S. M. J. Riu, M. Y. Kao, P. Ho, S. C. Wang, K. H. G. Duh, S. T. Fu and P. C. Chao, IEEE Microwave and Guided Wave Lett. 5, 230 (1995).
5. J. Y. Shim, H. S. Yoon, S. J. Kim, J. Y. Hong, W. J. Chang, D. M. Kang, J. H. Lee and K. H. Lee, J. Korean Phys. Soc. 38, 528 (2002).
6. H. S. Yoon, J. H. Lee, J. Y. Shim, D. M. Kang, J. Y. Hong, W. J. Chang and K. H. Lee, J. Korean Phys. Soc. 42, 434 (2003).
7. J. H. Lee, J. Y. Shim, H. S. Yoon and H. C. Kim, J. Korean Phys. Soc. 42, 662 (2003).
8. D. H. Kim, S. Y. Oh, J. J. Kim, J. H. Lee, K. W. Chung and K. S. Seo, J. Korean Phys. Soc. 41, 1036 (2002).
9. A. Cappy, Y. Cordier, S. Bollaert and M. Zaknoune, Proceedings of 1999 GaAs IC Symposium (Moterey, Oct., 1999), p. 217.
10. M. Chertouk, H. Heiss, D. Xu, S. Kraus, W. Klein, G., Bohm, G. Trankle and G. Weimann, IEEE Electron Dev. Lett. 17, 273 (1996).
11. M. Zaknoune, Y. Cordier, S. Bollaert, Y. Druelle, D. Theron and Y. Crosnier, Device Research Conference Digest (Chartottesville, June, 1998), p. 34.
12. D. C. Dumka, W. E. Hoke, P. J. Lemonias, G. Cueva and I. Adesida, International Electron Device Meeting (Washington, Oct., 1999), p. 783.
13. C. S. Whelan, W. E. Hoke, R. A. McTaggart, P. S. Lyman, P. F. Marsh, R. E. Leoni III, S. J. Lichwala and T. E. Kazior, IEEE Microwave Theory and Techniques Society, Digest (Anaheim, June, 1999), p. 1187.
14. C. Gassler, V. Ziegler, C. Wolk, R. Deufel and F.-J. Berlec, IEEE International Electron Device Meeting (San Francisco, Dec., 2000), p. 11.
15. H. S. Yoon, J. H. Lee, J. Y. Shim, S. J. Kim, D. M. Kang, J. Y. Hong, W. J. Chang and K. H. Lee, Proceedings of 14th International Conference on InP and Related Meterials (Stockholm, May, 2002), p. 201.
16. C. S. Whelan, W. F. Hoke, R. A. McTaggart, M. Lardizabal, P. S. Lyman, P. F. Marsh and T. E. Kazior, IEEE Electron Device Letters 21, 5 (2000).
17. T. Suemitsu, T. Enoki, H. Yokoyama and Y. Ishii, Jpn. J. Appl. Phys. 37, 1365 (1998).