Structural and electrical characteristics of Ge nanoclusters embedded in Al2O3 gate dielectric

Applied Physics Letters

Volumn 82, Issue 26, 2003, Pages 4708-4710

  Wan, Q ^a,b   Lin, C L ^b   Liu, W L ^b   Wang, T H ^a  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

^b INSTITUTE OF GEOLOGY AND GEOPHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINA; ANNEALING; CAPACITANCE; DIELECTRIC MATERIALS; DIFFUSION; GATES (TRANSISTOR); HYSTERESIS;

ELECTRON-BEAM EVAPORATION;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 0042347535     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1588373     Document Type: Article

References (18)

1. S. Guha, M. D. Pace, D. N. Dunn, and I. L. Singer, Appl. Phys. Lett. 70, 1207 (1997).
2. A. K. Dutta, Appl. Phys. Lett. 68, 1189 (1996).
3. S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Harstein, E. F. Cabbe, and K. Chan, Appl. Phys. Lett. 68, 1377 (1996).
4. M. L. Brongersma, A. Polman, K. S. Min, E. Boer, T. Tambo, and H. A. Atwater, Appl. Phys. Lett. 72, 2577 (1998).
5. S. Cheylan and R. G. Elliman, Appl. Phys. Lett. 78, 1912 (2001).
6. T. Kobayashi, T. Endoh, H. Fukuda, S. Nomura, A. Sakai, and Y. Ueda, Appl. Phys. Lett. 71, 1195 (1997).
7. V. Craciun, I. W. Boyd, A. H. Reader, and D. E. W. Vandenhoudt, Appl. Phys. Lett. 65, 3233 (1994).
8. N.-M. Park, C.-J. Choi, T.-Y. Seong, and S.-J. Park, Phys. Rev. Lett. 86, 1355 (2001).
9. N.-M. Park, S.-H. Choi, and S.-J. Park, Appl. Phys. Lett. 81, 1092 (2002).
10. K. M. Hassan, A. K. Sharma, J. Narayan, J. F. Muth, C. W. Teng, and R. M. Kolbas, Appl. Phys. Lett. 75, 1222 (1999).
11. Q. Wan, T. H. Wang, M. Zhu, and C. L. Lin, Appl. Phys. Lett. 81, 538 (2002).
12. K. H. Heinig, B. Schmidt, A. Markwitz, R. Grötzschel, M. Strobel, and S. Oswald, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 148, 969 (1999).
13. H. Fukuda, T. Kobayashi, T. Endoh, and Y. Ueda, Appl. Surf. Sci. 130-132, 776 (1998).
14. T. Gebel, L. Rebohle, W. Skorupa, A. N. Nazarov, I. N. Osiyuk, and V. S. Lysenko, Appl. Phys. Lett. 81, 2575 (2002).
15. D.-G. Park, H.-J. Cho, I.-S. Yeo, J.-S. Roh, and J.-M. Hwang, Appl. Phys. Lett. 77, 2207 (2000).
16. S. Zafar, A. Callegari, V. Narayanan, and S. Guha, Appl. Phys. Lett. 81, 2608 (2002).
17. D. K. Nayak, K. Kamjoo, J. S. Park, J. C. S. Woo, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 57, 369 (1990).
18. C. G. Ahn, H. S. Kang, Y. K. Kwon, and B. Kang, Jpn. J. Appl. Phys., Part l 37, 1316 (1998).