Schottky barrier height and interfacial state density on oxide-GaAs interface

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 1, 2003, Pages 348-353

  Hwang, J S ^a   Chang, C C ^a   Chen, M F ^a   Chen, C C ^a   Lin, K I ^a   Tang, F C ^a   Hong, M ^b   Kwo, J ^b  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIELECTRIC MATERIALS; INTERFACES (MATERIALS); MOLECULAR BEAM EPITAXY; RAMAN SCATTERING;

OXIDE FILMS;

GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 0041339900     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1578528     Document Type: Article

References (48)

1. W. E. Spicer et al., J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1245 (1988).
2. L. S. Hung, G. H. Braunstein, and L. A. Bosworth, Appl. Phys. Lett. 60, 201 (1992).
3. P. Viktorovitch, M. Gendry, S. K. Krawczyk, F. Krafft, P. Abraham, A. Bekkaoui, and Y. Monteil, Appl. Phys. Lett. 58, 2387 (1991).
4. H. Shigekawa, T. Hashizume, H. Oigawa, K. Motai, Y. Mera, Y. Nannichi, and T. Sakurai, Appl. Phys. Lett. 59, 2986 (1991).
5. J. A. Dagata, W. Tseng, J. Bennett, J. Schneir, and H. H. Harary, Appl. Phys. Lett. 59, 3288 (1991).
6. F. Capasso and G. F. Williams, J. Electrochem. Soc. 129, 821 (1982).
7. S. D. Offsey, J. M. Woodall, A. C. Warren, P. D. Kirchner, T. I. Chappell, and G. D. Pettit, Appl. Phys. Lett. 48, 475 (1986).
8. C. J. Sandroff, R. N. Nottenburg, J.-C. Bischoff, and R. Bhat, Appl. Phys. Lett. 51, 33 (1987).
9. J. S. Herman and F. L. Terry, Appl. Phys. Lett. 60, 716 (1992).
10. M. Passlack, M. Hong, J. P. Mannaerts, S. N. G. Chu, R. L. Opila, and N. Moriya, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 1995, 383.
11. M. Hong, M. Passlack, J. P. Mannaerts, J. Kwo, S. N. G. Chu, N. Moriya, S. Y. Hou, and V. J. Fratello, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2297 (1996).
12. M. Passlack, M. Hong, J. P. Mannaerts, R. L. Opila, S. N. G. Chu, N. Moriya, F. Ren, and J. R. Kwo, IEEE Trans. Electron Devices 44, 214 (1997).
13. M. Passlack et al., J. Appl. Phys. 77, 686 (1995).
14. M. Hong, J. Kwo, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, and M. Sergent, Science (Washington, DC, U.S.) 283, 1897 (1999).
15. F. Ren, J. M. Kuo, M. Hong, W. S. Hobson, J. R. Lothian, and J. Lin, IEEE Electron Device Lett. 19, 309 (1998).
16. M. Hong, F. Ren, J. M. Kuo, W. S. Hobson, J. P. Mannaerts, J. R. Lothian, and Y. K. Chen, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1398 (1998).
17. X. Yin, H. M. Chen, F. H. Pollak, Y. Chan, P. A. Montano, P. D. Kirchner, G. D. Pettit, and J. M. Woodall, Appl. Phys. Lett. 58, 260 (1991).
18. J. S. Hwang, Z. Hang, S. L. Tyan, S. W. Ding, J. H. Tung, C. Y. Cheng, B. J. Lee, and J. T. Hsu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L571 (1992).
19. J. S. Hwang and S. L. Tyan, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 3176 (1992).
20. H. Shen, M. Dutta, L. Fotiadis, P. G. Newman, R. P. Moerkirk, W. H. Chang, and R. N. Sacks, Appl. Phys. Lett. 57, 2118 (1990).
21. C. Van Hoof, K. Deneffe, J. De Boeck, D. J. Arent, and G. Borghs, Appl. Phys. Lett. 54, 608 (1989).
22. J. S. Hwang, W. Y. Chou, S. L. Tyan, H. H. Lin, and T. L. Lee, Appl. Phys. Lett. 67, 2350 (1995).
23. R. N. Bhattacharya, H. Shen, P. Parayanthal, F. H. Pollak, T. Coutts, and H. Aharoni, Phys. Rev. B 37, 4044 (1988).
24. X. Yin, F. Pollak, L. Pawlowicz, T. O'Neill, and M. Hafazi, Appl. Phys. Lett. 56, 1278 (1990).
25. See, for example, J. M. Woodall, P. D. Kirchner, J. L. Freeouf, and A. C. Warren, Solid-State Electron. 33, 53 (1990), and references therein.
26. X. Yin, H.-M. Chen, F. H. Pollak, Y. Chen, P. H. Montano, P. D. Kirchner, G. D. Pettit, and J. M. Woodall, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 131 (1992).
27. S. Chang, L. J. Brillson, Y. J. Kime, D. S. Rioux, P. D. Kichner, G. D. Pettit, and J. M. Woodall, Phys. Rev. Lett. 64, 2551 (1990).
28. T. T. Chiang, C. J. Spindt, W. E. Spicer, I. Lindau, and R. Browning, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1409 (1998).
29. M. Yamsda, A. K. Wahi, P. L. Meissner, A. Herrera-Gomez, T. Kendelewicz, and W. E. Spicer, Appl. Phys. Lett. 58, 2243 (1991).
30. T. T. Chiang and W. E. Spicer, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 724 (1989).
31. J. S. Hwang, Y. C. Wang, W. Y. Chou, S. L. Tyan, M. Hong, J. P. Mannaerts, and J. Kwo, J. Appl. Phys. 83, 2857 (1998).
32. N. Bottka, D. K. Gaskill, R. J. M. Griffiths, R. R. Bradley, T. B. Joyce, C. Ito, and D. McIntyre, J. Cryst. Growth 93, 481 (1988).
33. T. M. Hsu, Y. C. Tien, N. H. Lu, S. P. Tsai, D. G. Liu, and C. P. Lee, J. Appl. Phys. 72, 1065 (1992).
34. H. Hovel, Semiconductors and Semimetals (Academic, New York, 1975), Vol. 11, p. 59.
35. X. Yin, H.-M. Chen, F. H. Pollak, Y. Chan, P. A. MonTano, P. D. Kirchner, G. D. Pettit, and J. M. Woodall, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 131 (1992).
36. H. Shen and M. Dutta, J. Appl. Phys. 78, 2151 (1995), and references therein.
37. G. S. Chang, W. C. Hwang, Y. C. Wang, Z. P. Yang, and J. S. Hwang, J. Appl. Phys. 86, 1765 (1999).
38. J. S. Hwang, G. S. Chang, W. C. Hwang, and W. J. Chen, J. Appl. Phys. 89, 1771 (2001).
39. S. M. Sze, Semiconductor Devices Physics and Technology (Wiley, New York, 1985).
40. M. Hecht, Phys. Rev. B 41, 7918 (1990).
41. T. Kanata, M. Matsunaga, H. Takakura, Y. Hamakawa, and T. Nishino, Proc. SPIE 1286, 56 (1990).
42. H. Shen, S. H. Pan, Z. Hang, J. Leng, F. H. Pollak, J. M. Woodall, and R. N. Sacks, Appl. Phys. Lett. 53, 1080 (1988).
43. C. S. Rama Rao, S. Sundaram, R. L. Schmidt, and J. Comas, J. Appl. Phys. 54, 1808 (1983).
44. F. H. Pollak, Microelectronics-Applications, Materials and Technology (SRI International, Menlo Park, CA, 1984), pp. 185-284.
45. J. Kwo, D. W. Murphy, M. Hong, R. L. Opila, J. P. Mannaerts, A. M. Sergent, and R. L. Masaitis, Appl. Phys. Lett. 75, 1116 (1999).
46. J. Kwo, D. W. Murphy, M. Hong, J. P. Ma, R. L. Opila, and R. L. Masaitis, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1294 (1999).
47. M. Hong, A. R. Kortan, J. Kwa, J. P. Manaerts, J. J. Krajewski, Z. H. Lu, K. C. Hsieh, and K. Y. Cheng, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1688 (2000).
48. M. Hong, Z. H. Lu, J. Kwo, A. R. Kortan, J. P. Manaerts, J. J. Krajewski, K. C. Hsieh, L. J. Chou, and K. Y. Cheng, Appl. Phys. Lett. 76, 312 (2000).