High-speed transport in Si/Si1-x-yGexCy heterostructures

Thin Solid Films

Volumn 369, Issue 1, 2000, Pages 306-311

  Muhlberger M ^a   Schelling, C ^a   Sandersfeld, N ^a   Seyringer, H ^a   Schaffler F ^a  

^a JOHANNES KEPLER UNIVERSITY LINZ   (Austria)

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ADDITION REACTIONS; CARRIER MOBILITY; COMPOSITION EFFECTS; CRYSTAL ORIENTATION; EPITAXIAL GROWTH; HETEROJUNCTIONS; INTERFACES (MATERIALS); MOSFET DEVICES; REACTION KINETICS; SEMICONDUCTING SILICON; SEMICONDUCTOR DOPING; SILICON ALLOYS;

ALLOY SCATTERING; MODULATION DOPING; STRAIN ADJUSTMENT;

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 0041289049     PISSN: 00406090     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0040-6090(00)00885-3     Document Type: Article

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