Time-resolved electroabsorption measurement of the transient electron velocity overshoot in GaN

Applied Physics Letters

Volumn 79, Issue 9, 2001, Pages 1303-1305

  Wraback, M ^a   Shen, H ^a   Carrano, J C ^b   Collins, C J ^c   Campbell, J C ^c   Dupuis, R D ^c   Schurman, M J ^d   Ferguson, I T ^d  

^a U S ARMY RESEARCH LABORATORY   (United States)

^b DEFENSE ADVANCED RESEARCH PROJECTS AGENCY   (United States)

^c The University of Texas at Austin   (United States)

^d EMCORE CORPORATION   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0040752656     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1398318     Document Type: Article

References (15)

1. J. Kolnik, I. H. Oǧuzman, K. F. Brennan, R. Wang, P. P. Ruden, and Y. Wang, J. Appl. Phys. 78, 1033 (1995).
2. U. V. Bhapkar and M. S. Shur, J. Appl. Phys. 82, 1649 (1997).
3. J. D. Albrecht, R. P. Wang, P. P. Ruden, M. Farahmand, and K. F. Brennan, J. Appl. Phys. 83, 4777 (1998).
4. B. E. Foutz, S. K. O'Leary, M. S. Shur, and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 85, 7727 (1999).
5. M. Wraback, H. Shen, J. C. Carrano, T. Li, J. C. Campbell, M. J. Schurman, and I. T. Ferguson, Appl. Phys. Lett. 76, 1155 (2000).
6. M. A. Khan, Q. Chen, M. S. Shur, B. T. Dermott, J. A. Higgins, J. Burm, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 17, 584 (1996).
7. J. Burm, K. Chu, W. J. Schaff, L. F. Eastman, M. A. Khan, Q. Chen, J. W. Yang, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 18, 141 (1997).
8. Y.-F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, N. X. Nguyen, M. Le, C. Nguyen, T. J. Jenkins, L. T. Kehias, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 18, 438 (1997).
9. A. T. Ping, Q. Chen, J. W. Yang, M. A. Khan, and I. Adesida, IEEE Electron Device Lett. 19, 54 (1998).
10. J. C. Carrano, D. J. H. Lambert, C. J. Eiting, C. J. Collins, T. Li, S. Wang, B. Yang, A. L. Beck, R. D. Dupuis, and J. C. Campbell, Appl. Phys. Lett. 76, 924 (2000).
11. K. A. McIntosh, R. I. Molnar, L. J. Mahoney, A. Lightfool, M. W. Geis, K. M. Molvar, I. Melngailis, R. L. Aggarwal, W. D. Goodhue, S. S. Choi, D. L. Spears, and S. Verghese, Appl. Phys. Lett. 75, 3485 (1999).
12. T. Li, J. C. Carrano, J. C. Campbell, M. Schurman, and I. Ferguson, IEEE J. Quantum Electron. 35, 1203 (1999).
13. C. J. Collins, T. Li, A. L. Beck, R. D. Dupuis, J. C. Campbell, J. C. Carrano, M. J. Schurman, and I. A. Ferguson, Appl. Phys. Lett. 75, 2138 (1999).
14. C. G. Rodrigues, V. N. Freire, A. R. Vasconcellos, and R. Luzzi, Appl. Phys. Lett. 76, 1893 (2000).
15. S. Tiwari, Compound Semiconductor Device Physics (Academic, San Diego, 1992).