Reaction sequence of Co/Ni/Si(001) system

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 21, Issue 3, 2003, Pages 628-633

  Guo, S S ^a   Tsai, C J ^b  

^a NATIONAL CHUNG HSING UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY; COBALT COMPOUNDS; LATTICE CONSTANTS; MECHANICAL VARIABLES MEASUREMENT; NICKEL; PHASE INTERFACES; REACTION KINETICS; SUBSTRATES; THERMAL EFFECTS; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

COBALT SILICIDE; INTERLAYER; ISOCHRONAL ANNEALING; REACTION SEQUENCE; SUBSTRATE CURVATURE MEASUREMENT;

MULTILAYERS;

EID: 0038274540     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1565150     Document Type: Article

References (50)

1. J. B. Lasky, J. S. Nakos, O. J. Cain, and P. J. Geiss, IEEE Trans. Electron Devices 38, 262 (1991).
2. S. P. Muraka and D. S. Williams, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 1674 (1987).
3. A. E. Morgan, E. K. Broadbent, M. Delfino, B. Coulman, and D. K. Sadana, J. Electrochem. Soc. 134, 925 (1987).
4. Q. F. Wang, C. M. Osburn, P. L. Smith, C. A. Canovai, and G. E. McGuire, J. Electrochem. Soc. 140, 200 (1993).
5. M. Lawrence, A. Dass, D. B. Fraser, and C. S. Wei, Appl. Phys. Lett. 58, 1308 (1991).
6. G. B. Kim, J. S. Kwak, and H. K. Baik, J. Appl. Phys. 82, 2323 (1997).
7. C. Detavernier, R. L. Van Meirhaeghe, and F. Cardon, Appl. Phys. Lett. 74, 2930 (1999).
8. J. S. Byun, J. J. Kim, and W. S. Kim, J. Electrochem. Soc. 142, 2805 (1995).
9. R. T. Tung, Appl. Phys. Lett. 68, 3461 (1996).
10. H. Schroder, K. Samwer, and U. Koster, Phys. Rev. Lett. 54, 197 (1985).
11. M. Van Rossum, M.-A. Nicolet, and W. L. Johnson, Phys. Rev. B 29, 5498 (1984).
12. D. Kim and H. Jeon, Thin Solid Films 346, 244 (1999).
13. Y. Kwon and C. Lee, Mater. Sci. Eng., B 65, 187 (1999).
14. Y. Kwon and C. Lee, Mater. Chem. Phys. 63, 202 (2000).
15. D. K. Sarkar, M. Falke, H. Giesier, S. Teichert, G. Beddies, and H.-J. Hinneberg, J. Appl. Phys. 89, 6506 (2001).
16. G. B. Kim, J. S. Kwak, and H. K. Baik, J. Appl. Phys. 85, 1503 (1999).
17. M. W. Kleinschmit, M. Yeadon, and J. M. Gibson, Appl. Phys. Lett. 75, 3288 (1999).
18. Y. Kwon and C. Lee, Mater. Chem. Phys. 62, 29 (2000).
19. C. Detavernier, R. L. Meirhaeghe, F. Cardon, and K. Maex, Thin Solid Films 386, 19 (2001).
20. S. L. Hsia and T. Y. Tan, J. Appl. Phys. 70, 7579 (1991).
21. S. Q. Wang, L. S. Hung, and J. W. Mayer, Thin Solid Films 162, 199 (1988).
22. T. Iinuma, H. Akutsu, K. Ohuchi, K. Miyashita, Y. Toyoshima, and K. Suguro, Proceedings of the Symposium on Very Large Integration Technology 1998, p. 188.
23. R. T. Tung, Mater. Chem. Phys. 32, 107 (1993).
24. R. T. Tung, J. C. Bean, J. M. Gibson, and D. C. Jacobson, Appl. Phys. Lett. 40, 684 (1982).
25. C. Detavernier, R. L. Van Meirhaeghe, F. Cardon, K. Maex, W. Vandervorst, and B. Brijs, Appl. Phys. Lett. 77, 3170 (2000).
26. T. S. Kang and J. H. Je, Appl. Phys. Lett. 80, 1361 (2002).
27. J. S. Byun, Ph.D. thesis, Seoul National University, 1992.
28. J. S. Byun and H. J. Kim, J. Appl. Phys. 78, 6784 (1995).
29. C. Detavernier, R. L. Van Meirhaeghe, F. Cardon, K. Maex, H. Bender, B. Brijs, and W. Vandervorst, J. Appl. Phys. 89, 2146 (2001).
30. Properties of Metal Silicides, edited by K. Maex and M. Van Rossum (Inspec, London, 1995).
31. F. M. d'Heurle, D. D. Anfiteatro, V. R. Deline, and T. G. Finstad, Thin Solid Films 128, 107 (1985).
32. C. Detavernier, R. L. Van Meirhaeghe, F. Cardon, and K. Maex, Phys. Rev. B 62, 12045 (2000).
33. M. Garcia-Mendez, F. F. Castillon, G. A. Hirata, M. H. Farias, and G. Beamson, Appl. Surf. Sci. 161, 61 (2000).
34. H.-X. Mo, X.-P. Qu, J.-H. Liu, G.-P. Ru, and B.-Z. Li, Proceedings of the 5th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 1998, p.271.
35. C. J. Tsai, P. L. Chung, and K. H. Yu, Thin Solid Films 365, 72 (2000).
36. C. A. Volkert, J. Appl. Phys. 70, 3521 (1991).
37. C. J. Tsai and K. H. Yu, Thin Solid Films 350, 91 (1999).
38. B. Bokhonov and M. Korchagin, J. Alloys Compd. 319, 187 (2001).
39. B. A. Julies, D. Knoesen, R. Pretorius, and D. Adams, Thin Solid Films 347, 201 (1999).
40. P. M. Jardim, W. Acchar, and W. Losch, Appl. Surf. Sci. 137, 163 (1999).
41. M. Tinani, A. Mueller, Y. Gao, E. A. Irene, Y. Z. Hu, and S. P. Tay, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 376 (2001).
42. S. S. Guo and C. J. Tsai (unpublished).
43. F. Hong, G. A. Rozgonyi, and B. K. Patnaik, Appl. Phys. Lett. 64, 2241 (1994).
44. T. I. Selinder, D. J. Miller, and K. E. Gray, Appl. Phys. Lett. 67, 1597 (1995).
45. P. Liu, B. Z. Li, Z. Sun, Z. G. Gu, W. N. Huang, Z. Y. Zhou, R. S. Ni, R. S. Ni, C. L. Lin, S. C. Zou, F. Hong, and G. A. Rozgonyi, J. Appl. Phys. 74, 1700 (1993).
46. J. Cardenas, S.-L. Zhang, B. G. Svensson, and C. S. Petersson, J. Appl. Phys. 80, 762 (1996).
47. X.-P. Qu, G.-P. Ru, Y.-Z. Han, B.-L. Xu, B.-Z. Li, N. Wang, and P. K. Chu, J. Appl. Phys. 89, 2641 (2001).
48. H. Iwai, T. Ohguro, and S.-I. Ohmi, Microelectron. Eng. 60, 157 (2002).
49. F. Deng, R. A. Johnson, P. M. Asbeck, S. S. Lau, W. B. Dubbelday, T. Hsiao, and J. Woo, J. Appl. Phys. 81, 8047 (1997).
50. J. W. Edington, Practical Electron Microscopy for Materials Science (Van Nostrand Reinhold, New York, 1976).