On the formation of inhomogeneities in epitaxial CoSi2 layers grown from the interaction of Co/Ti bilayers with Si 〈100〉 substrates

Journal of Applied Physics

Volumn 80, Issue 2, 1996, Pages 762-768

  Cardenas, J ^a   Zhang, S L ^a   Svensson, B G ^a   Petersson, C S ^a  

^a ROYAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Sweden)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001319841     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.362884     Document Type: Article

References (34)

1. C. M. Osburn, J. Electron, Mater. 19, 67 (1990).
2. ;A. G. Sabnis, in VLSI Electronics Microstructure Science, edited by N. G. Einspruch, S. S. Cohen, and G. Sh. Gildenblat (Academic, New York, 1983), Vol. 15.
3. K. Rajan, L. M. Hsiung, J. R. Jimenez, L. J. Schowalter, K. V. Ramanathan, R. D. Thompson, and S. S. Iyer, J. Appl. Phys. 70, 4853 (1991).
4. E. W. Alice, K. T. Short, R. C. Dynes, J. P. Garno, and J. M. Gibson, Appl. Phys. Lett. 50, 95 (1987).
5. S. M. Yalisove, R. T. Tung, and J. L. Batstone, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 116, 439 (1988).
6. S. Mantl and H. L. Bay, Appl. Phys. Lett. 61, 267 (1992).
7. C.-S. Wei, D. B. Fraser, M. L. A. Dass, and T. Brat, in the Sixth International IEEE Very Large Scale Integrated Multilevel Interconnection Conference, Santa Clara, CA, 1989, p. 241.
8. H.-Y. Yang and R. W. Bene, J. Appl. Phys. 59, 1525 (1986).
9. S. L. Hsia, T. Y. Tan, P. Smith, and G. E. McGuire, J. Appl. Phys. 70, 7579 (1991).
10. M. Setton and J. Van der Spiegel, Appl. Surf. Sci. 38, 62 (1989).
11. M. L. A. Dass, D. B. Fraser, and C.-S. Wei, Appl. Phys. Lett. 58, 1308 (1991).
12. S. L. Hsia, T. Y. Tan, P. Smith, and G. E. McGuire, J. Appl. Phys. 72, 1864 (1992).
13. K. Barmak, L. A. Clevenger, P. D. Agnello, E. Ganin, M. Copel, P. Dehaven, J. Falta, F. M. d'Heurle, and C. Cabral, Jr., Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 238, 575 (1991).
14. P. Liu, B.-Z. Li, Z. Sun, Z.-G. Gu, W.-N. Huang, Z.-Y. Zhou, R.-S. Ni, C.-L. Lin, S.-C. Zou, F. Hong, and G. A. Rozgonyi, J. Appl. Phys. 74, 1700 (1993).
15. A. Vantomme, M.-A. Nicolet, and N. D. Theodore, J. Appl. Phys. 75, 3882 (1994).
16. J. Cardenas, S. Hatzikonstantinidou, S.-L. Zhang, B. G. Svensson, and C. S. Petersson, Phys. Scr. T 54, 198 (1994).
17. A. Vantomme, M.-A. Nicolet, G. Bai, and D. Fraser, Appl. Surf. Sci. 73, 117 (1993).
18. J. S. Byun, S. B. Kang, H. J. Kim, C. Y. Kim, and K. H. Park, J. Appl. Phys. 74, 3156 (1993).
19. ;F. Hong and G. A. Rozgonyi, J. Electrochem. Soc. 141, 3480 (1994).
20. S. Ogawa, J. A. Fair, M. L. A. Dass, E. C. Jones, T. Kouzaki, N. W. Cheung, and D. B. Frazer, in International Conference on Solid State Devices and Materials, Makuhari Messe, Chiba, Japan, 1993, p. 195.
21. R. Tung and F. Schrey, Appl. Phys. Lett. 67, 2164 (1995).
22. S.-L. Zhang, J. Cardenas, F. M. d'Heurle, B. G. Svensson, and C. S. Petersson, Appl. Phys. Lett. 66, 58 (1995).
23. Y. Gao, J. Appl. Phys. 64, 3760 (1988).
24. C. W. Magee, W. L. Harrington, and E. M. Botnick, Int. Mass. Spectrom. Ion Proc. 103, 45 (1990).
25. K. Maex, Mater. Sci. Eng. Rep. R11, 53 (1993).
26. S.-L. Zhang, W. Kaplan, M. Östling, H. Norström, and A. Lindberg, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 260, 233 (1992).
27. W.-K. Chu, J. W. Mayer, and M.-A. Nicolet, Backscattering Spectrometry (Academic, New York, 1978).
28. V. Ya Markiv, E. I. Gladyshevskiy, and T. I. Fedoruk, Russ. Metall. 3, 118 (1966).
29. J. L. Murray, Binary Alloy Phase Diagrams, edited by T. B. Masasalski (American Society for Metals, Metals Park, OH, 1986), Vol. 2, pp. 1652-1656.
30. P. A. Bennet, D. G. Cahill, and M. Copel, Phys. Rev. Lett. 73, 452 (1994).
31. R. T. Tung and J. L. Batstone, Appl. Phys. Lett. 52, 648 (1988).
32. T. Barge, S. Poize, J. Bernardini, and P. Gas, Appl. Surf. Sci. 53, 180 (1991).
33. A. E. M. J. Fischer, W. F. J. Slijkerman, K. Nakagawa, R. J. Smith, J. F. van der Veen, and C. W. T. Bulle-Lieuwma, J. Appl. Phys. 64, 3005 (1988).
34. S. Mantl, M. Dolle, St. Mesters, P. F. P. Fichtner, and H. L. Bay, Appl. Phys. Lett. 67, 3459 (1995).