Deep levels in p+-n junctions fabricated by rapid thermal annealing of Mg or Mg/P implanted InP

Journal of Applied Physics

Volumn 81, Issue 7, 1997, Pages 3143-3150

  Quintanilla, L ^a   Duenas S ^a   Castan E ^a   Pinacho, R ^a   Barbolla, J ^a   Martin J M ^b   Gonzalez Diaz G ^b  

^a UNIVERSITY OF VALLADOLID   (Spain)

^b UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0042029556     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.364348     Document Type: Article

References (31)

1. W. Kruppa and J. P. Boos, IEEE Electron Device Lett. 8, 223 (1987).
2. J. P. Boos, W. Kruppa, and B. Molnar, IEEE Electron Device Lett. 10, 79 (1989).
3. B. Molnar, T. A. Kennedy, E. R. Glaser, and H. B. Dietrich, J. Appl. Phys. 74, 3091 (1993).
4. M. Gauneau, R. Chaplain, H. L'Haridon, M. Salvi, and N. Duhamel, Nucl. Instrum. Methods B 19, 418 (1987).
5. M. V. Rao and R. K. Nadella, J. Appl. Phys. 67, 1761 (1990).
6. K. W. Wang, Appl. Phys. Lett. 51, 2127 (1987).
7. H. Shen, G. Yang, Z. Zhou, C. Lin, and S. Zou, IEEE Electron Device 39, 209 (1992).
8. J. M. Martín, S. García, F. Calle, I. Mártil, and G. González-Díaz, J. Electron. Mater. 24, 59 (1995).
9. K. L. Jiao, A. J. Soltyka, and W. A. Anderson, Appl. Phys. Lett. 57, 1913 (1990).
10. E. K. Kim, H. Y. Cho, J. H. Yoon, S. Min, Y. L. Jung, and W. H. Lee, J. Appl. Phys. 68, 1665 (1990).
11. R. Chaplain, M. Gauneau, H. L. Haridon, and A. Rupert, J. Appl. Phys. 58, 1803 (1985).
12. M. Gauneau, H. L'Haridon, A. Rupert, and M. Salvi, J. Appl. Phys. 53, 6823 (1982).
13. S. Dueñas, E. Castán, L. Enríquez, J. Barbolla, J. Montserrat, and E. Lora-Tamayo Semicond. Sci. Technol. 9, 1637 (1994).
14. S. Dueñas, E. Castán, L. Quintanilla, L. Enríquez, J. Barbolla, E. Lora-Tamayo, and J. Montserrat, Mater. Sci. Technol. 11, 1074 (1995).
15. S. Dueñas, R. Pinacho, L. Quintanilla, E. Castán, J. Barbolla, J. Montserrat, and E. Lora-Tamayo (unpublished).
16. S. D. Brotherton, J. P. Gowers, N. D. Young, J. B. Clegg, and J. R. Ayres, J. Appl. Phys. 60, 3567 (1986).
17. L. Enríquez, S. Dueñas, J. Barbolla, I. Izpura, and E. Muñoz, J. Appl. Phys. 72, 525 (1992).
18. J. M. Martín, Ph.D. thesis, University Complutense, Madrid, 1994.
19. J. Cheng, S. R. Forrest, B. Tell, D. Wilt B. Schwartz, and P. Wright, J. Appl. Phys. 58, 1787 (1985).
20. J. D. Oberstar and B. G. Streetman, Thin Solid Films 103, 17 (1983).
21. N. Yamamoto, K. Uwai, and K. Takahei, J. Appl. Phys. 65, 3072 (1989).
22. O. Wada, A. Majerfeld, and A. N. M. Choudhury, J. Appl. Phys. 51, 423 (1980).
23. M. A. A. Pudensi, K. Mohammed, and J. L. Merz, J. Appl. Phys. 57, 2788 (1985).
24. H. Asahi, Y. Kawamura, M. Ikeda, and H. Okamoto, J. Appl. Phys. 52, 2852 (1981).
25. M. Levinson, J. L. Benton, H. Temkin, and L. C. Kimerling, Appl. Phys. Lett. 40, 990 (1982).
26. P. Kringhoj, Mater. Sci. Eng. B 9, 315 (1991).
27. J. Suski, J. C. Bourgoin, and H. Lim, J. Appl. Phys. 54, 2852 (1983).
28. W. Kruppa, J. B. Boos, and T. F. Carruthers, Proceedings of the III International Conference on InP and Related Materials, Cardiff U.K., IEEE Catal. 91CH2950-4 (1991) (unpublished).
29. G. Vincent, A. Chantre, and D. Bois, J. Appl. Phys. 50, 5484 (1979).
30. W. R. Buchwald and N. M. Johnson, J. Appl. Phys. 64, 958 (1988).
31. J. M. Martín, S. García, I. Mártil, G. González-Díaz, E. Castán, and S. Dueñas, J. Appl. Phys. 78, 5325 (1995).