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Volumn 74, Issue 22, 1999, Pages 3308-3310

Evidence for relaxed and high-quality growth of GaN on SiC(0001)

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EID: 0001387915     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.123327     Document Type: Article
Times cited : (20)

References (22)
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    • 0001202764 scopus 로고
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    • (1995) Phys. Rev. B , vol.57 , pp. 15135
    • Filipponi, A.1    Di Cicco, A.2


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.