Layer-by-layer growth of Ag on a GaN(0001) surface

Applied Physics Letters

Volumn 82, Issue 9, 2003, Pages 1389-1391

  Wu, Kehui ^a   Xue, Q Z ^a   Bakhtizin, R Z ^a,b   Fujikawa, Y ^a   Li, X ^a   Nagao, T ^a   Xue, Q K ^a,c   Sakurai, T ^a  

^a TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

^b Science and Education Center of Bashkir People History Ufa University of Science and Technology   (Russian Federation)

^c INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; EPITAXIAL GROWTH; FILM GROWTH; REFLECTION HIGH ENERGY ELECTRON DIFFRACTION; SILVER; SURFACES;

EPITAXIAL FILMS;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 0037416604     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1556572     Document Type: Article

References (16)

1. J. K. Shen, Y. K. Su, G. C. Chi, P. L. Koh, M. J. Jou, C. M. Chang, C. C. Liu, and W. C. Hung, Appl. Phys. Lett. 74, 2340 (1999).
2. V. Adivarahan, A. Lunev, M. Asif Khan, J. Yang, G. Simin, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 78, 2781 (2001).
3. S. Picozzi, A. Continenza, G. Satta, S. Massidda, and A. J. Freeman, Phys. Rev. B 61, 16736 (2000).
4. H. J. Im, Y. Ding, J. P. Pelz, B. Heying, and J. S. Speck, Phys. Rev. Lett. 87, 106812 (2001).
5. K. Wu, Q. Z. Xue, A. I. Oreshkin, T. Nagao, J. T. Wang, E. G. Wang, and T. Sakurai (unpublished).
6. Q. K. Xue, Q. Z. Xue, R. Z. Bakhtizin, Y. Hasegawa, I. S. T. Tsong, T. Sakurai, and T. Ohno. Phys. Rev. Lett. 82, 3074 (1999).
7. Q. Z. Xue, Q. K. Xue, R. Z. Bakhtizin, Y. Hasegawa, I. S. T. Tsong, T. Sakurai, and T. Ohno, Phys. Rev. B 59, 12604 (1999).
8. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, M. S. Shin, M. Skowronski, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2242 (1998).
9. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, M. S. Shin, M. Skowronski, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, Surf. Sci. 423, 70 (1999).
10. J. E. Northrup, J. Neugebauer, R. M. Feenstra, and A. R. Smith, Phys. Rev. B 61, 9932 (2000).
11. A. R. Smith, V. Ramachandran, R. M. Feenstra, D. W. Greve, M. S. Shin, M. Skowronski, J. Neugehauer, and J. E. Northrup, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 1641 (1998).
12. L. Gavioli, K. R. Kimberlin, M. C. Tringides, J. F. Wendelken, and Z. Y. Zhang, Phys. Rev. Lett. 82, 129 (1999).
13. S. Tosch and H. Neddermeyer, Phys. Rev. Lett. 61, 349 (1988).
14. A. R. Smith, K. J. Chao, Q. Niu, and C. K. Shih, Science 273, 226 (1996).
15. G. Ehrlich and F. G. Hudda, J. Chem. Phys. 44, 1039 (1966).
16. M. Giesen, G. S. I. Konert, and H. Ibach, Phys. Rev. Lett. 80, 552 (1998).