Formation of atomically flat silver films on GaAs with a 'silver mean' quasi periodicity

Science

Volumn 273, Issue 5272, 1996, Pages 226-228

  Smith, Arthur R ^a   Chao, Kuo Jen ^a   Niu, Qian ^a   Shih, Chih Kang ^a  

^a UNIVERSITY OF TEXAS AT AUSTIN   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GALLIUM ARSENIDE; SILVER;

ARTICLE; FILM; MODEL; PRIORITY JOURNAL; SEMICONDUCTOR;

EID: 0029816640     PISSN: 00368075     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1126/science.273.5272.226     Document Type: Article

References (24)

1. M. G. Lagally, Phys. Today 46 (no. 11), 24 (1993) and references therein; E. D. Williams and N. C. Bartelt, Science 251, 393 (1991).
2. M. G. Lagally, Phys. Today 46 (no. 11), 24 (1993) and references therein; E. D. Williams and N. C. Bartelt, Science 251, 393 (1991).
3. R. J. Hamers, U. K. Kohler, J. E. Demuth, J. Vac. Sci. Technol. A8, 195 (1990); Y.-W. Mo, R. Kariotis, D. E. Savage, M. G. Lagally, Surf. Sci. 219, L551 (1989); R. Kunkel, B. Poelsema, L. K. Verheij, G. Comsa, Phys. Rev. Lett. 65, 733 (1990); G. Rosenfeld, R. Servaty, C. Teichert, B. Poelsema, G. Comsa, ibid. 71, 895 (1993); J. A. Stroscio, D. T. Pierce, R. A. Dragoset, ibid 70, 3615 (1993); J. Vrijmoeth, H. A. van der Vegt, J. A. Meyer, E. Vlieg, R. J. Behm, ibid. 72, 3843 (1994).
4. R. J. Hamers, U. K. Kohler, J. E. Demuth, J. Vac. Sci. Technol. A8, 195 (1990); Y.-W. Mo, R. Kariotis, D. E. Savage, M. G. Lagally, Surf. Sci. 219, L551 (1989); R. Kunkel, B. Poelsema, L. K. Verheij, G. Comsa, Phys. Rev. Lett. 65, 733 (1990); G. Rosenfeld, R. Servaty, C. Teichert, B. Poelsema, G. Comsa, ibid. 71, 895 (1993); J. A. Stroscio, D. T. Pierce, R. A. Dragoset, ibid 70, 3615 (1993); J. Vrijmoeth, H. A. van der Vegt, J. A. Meyer, E. Vlieg, R. J. Behm, ibid. 72, 3843 (1994).
5. R. J. Hamers, U. K. Kohler, J. E. Demuth, J. Vac. Sci. Technol. A8, 195 (1990); Y.-W. Mo, R. Kariotis, D. E. Savage, M. G. Lagally, Surf. Sci. 219, L551 (1989); R. Kunkel, B. Poelsema, L. K. Verheij, G. Comsa, Phys. Rev. Lett. 65, 733 (1990); G. Rosenfeld, R. Servaty, C. Teichert, B. Poelsema, G. Comsa, ibid. 71, 895 (1993); J. A. Stroscio, D. T. Pierce, R. A. Dragoset, ibid 70, 3615 (1993); J. Vrijmoeth, H. A. van der Vegt, J. A. Meyer, E. Vlieg, R. J. Behm, ibid. 72, 3843 (1994).
6. R. J. Hamers, U. K. Kohler, J. E. Demuth, J. Vac. Sci. Technol. A8, 195 (1990); Y.-W. Mo, R. Kariotis, D. E. Savage, M. G. Lagally, Surf. Sci. 219, L551 (1989); R. Kunkel, B. Poelsema, L. K. Verheij, G. Comsa, Phys. Rev. Lett. 65, 733 (1990); G. Rosenfeld, R. Servaty, C. Teichert, B. Poelsema, G. Comsa, ibid. 71, 895 (1993); J. A. Stroscio, D. T. Pierce, R. A. Dragoset, ibid 70, 3615 (1993); J. Vrijmoeth, H. A. van der Vegt, J. A. Meyer, E. Vlieg, R. J. Behm, ibid. 72, 3843 (1994).
7. R. J. Hamers, U. K. Kohler, J. E. Demuth, J. Vac. Sci. Technol. A8, 195 (1990); Y.-W. Mo, R. Kariotis, D. E. Savage, M. G. Lagally, Surf. Sci. 219, L551 (1989); R. Kunkel, B. Poelsema, L. K. Verheij, G. Comsa, Phys. Rev. Lett. 65, 733 (1990); G. Rosenfeld, R. Servaty, C. Teichert, B. Poelsema, G. Comsa, ibid. 71, 895 (1993); J. A. Stroscio, D. T. Pierce, R. A. Dragoset, ibid 70, 3615 (1993); J. Vrijmoeth, H. A. van der Vegt, J. A. Meyer, E. Vlieg, R. J. Behm, ibid. 72, 3843 (1994).
8. R. J. Hamers, U. K. Kohler, J. E. Demuth, J. Vac. Sci. Technol. A8, 195 (1990); Y.-W. Mo, R. Kariotis, D. E. Savage, M. G. Lagally, Surf. Sci. 219, L551 (1989); R. Kunkel, B. Poelsema, L. K. Verheij, G. Comsa, Phys. Rev. Lett. 65, 733 (1990); G. Rosenfeld, R. Servaty, C. Teichert, B. Poelsema, G. Comsa, ibid. 71, 895 (1993); J. A. Stroscio, D. T. Pierce, R. A. Dragoset, ibid 70, 3615 (1993); J. Vrijmoeth, H. A. van der Vegt, J. A. Meyer, E. Vlieg, R. J. Behm, ibid. 72, 3843 (1994).
9. R. M. Feenstra, Phys. Rev. Lett. 63, 1412 (1989); C.-K. Shih, R. M. Feenstra, P. Martensson, J. Vac. Sci. Technol. A8, 3379 (1990).
10. R. M. Feenstra, Phys. Rev. Lett. 63, 1412 (1989); C.-K. Shih, R. M. Feenstra, P. Martensson, J. Vac. Sci. Technol. A8, 3379 (1990).
11. B. M. Trafas, Y.-N. Yang, R. L. Siefert, J. H. Weaver, Phys. Rev. B 43, 14107 (1991).
12. G. A. Prinz and J. J. Krebs, Appl. Phys. Lett. 39, (1981); B. J. Jonker, G. A. Prinz, Y. U. Idzerda, J. Vac. Sci. Technol. B9, 2437 (1991); J. R. Waldrop and R. W. Grant, Appl. Phys. Lett. 34, 630 (1979); P. N. First, J. A. Stroscio, R. A. Dragoset, D. T. Pierce, R. J. Celotta, Phys. Rev. Lett. 63, 1416 (1989).
13. G. A. Prinz and J. J. Krebs, Appl. Phys. Lett. 39, (1981); B. J. Jonker, G. A. Prinz, Y. U. Idzerda, J. Vac. Sci. Technol. B9, 2437 (1991); J. R. Waldrop and R. W. Grant, Appl. Phys. Lett. 34, 630 (1979); P. N. First, J. A. Stroscio, R. A. Dragoset, D. T. Pierce, R. J. Celotta, Phys. Rev. Lett. 63, 1416 (1989).
14. G. A. Prinz and J. J. Krebs, Appl. Phys. Lett. 39, (1981); B. J. Jonker, G. A. Prinz, Y. U. Idzerda, J. Vac. Sci. Technol. B9, 2437 (1991); J. R. Waldrop and R. W. Grant, Appl. Phys. Lett. 34, 630 (1979); P. N. First, J. A. Stroscio, R. A. Dragoset, D. T. Pierce, R. J. Celotta, Phys. Rev. Lett. 63, 1416 (1989).
15. G. A. Prinz and J. J. Krebs, Appl. Phys. Lett. 39, (1981); B. J. Jonker, G. A. Prinz, Y. U. Idzerda, J. Vac. Sci. Technol. B9, 2437 (1991); J. R. Waldrop and R. W. Grant, Appl. Phys. Lett. 34, 630 (1979); P. N. First, J. A. Stroscio, R. A. Dragoset, D. T. Pierce, R. J. Celotta, Phys. Rev. Lett. 63, 1416 (1989).
16. J. Tersoff, Phys. Rev. Lett. 52, 465 (1984); W. E. Spicer, I. Lindau, P. R. Skeath, C. Y. Su, P. W. Chye, ibid. 44, 420 (1980).
17. J. Tersoff, Phys. Rev. Lett. 52, 465 (1984); W. E. Spicer, I. Lindau, P. R. Skeath, C. Y. Su, P. W. Chye, ibid. 44, 420 (1980).
18. The growth process described has been used by D. A. Evans, M. Alonso, R. Cimino. K. Horn, Phys. Rev. Lett, 70, 3483 (1993). However, they interpreted such a process to result in a uniform size of Ag islands (that is, quantum dots), which leads to quantum size effects in photoemission.
19. G. Gumbs and M. K. Ali, Phys. Rev. Lett. 60, 1081 (1988); M. Holzer, Phys. Rev. B 38, 1709 (1988).
20. G. Gumbs and M. K. Ali, Phys. Rev. Lett. 60, 1081 (1988); M. Holzer, Phys. Rev. B 38, 1709 (1988).
21. A. R. Smith and C.-K. Shih, Rev. Sci. Instrum. 66, 2499 (1995).
22. As used here, critical thickness has an opposite meaning to the same term in the context of pseudomorphic growth, where the epitaxial layer can only be grown up to a certain maximum critical thickness before strain relaxation occurs. For example, see J. J Fritz, P. L. Gourley, L. R. Dawson, Appl. Phys. Lett. 51, 1004 (1987).
23. Although our analysis shows close agreement, we found that there was a small shift in the position of the [0,0] beam of the Ag overlayer with respect to the [0,0] beam of the GaAs substrate The offset angle is ∼2°.
24. We thank Z, Zhang and K. Horn for useful discussions. Supported by NSF grant DMR-9402938, NSF Science and Technology Center grant CHE-8920120, and the Welch Foundation.