Low-dose n-type nitrogen implants in 4H-SiC

Applied Physics Letters

Volumn 81, Issue 26, 2002, Pages 4958-4960

  Saks, N S ^a   Ryu, S H ^b   Suvorov, A V ^b  

^a NAVAL RESEARCH LABORATORY   (United States)

^b Arkansas Power Electronics International Inc   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CARRIER CONCENTRATION; DOPING (ADDITIVES); ELECTRON MOBILITY; FABRICATION; HALL EFFECT; ION IMPLANTATION; NITROGEN; THERMAL EFFECTS;

IMPLANT DAMAGES;

SILICON CARBIDE;

EID: 0037164930     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1531838     Document Type: Article

References (17)

1. G. L. Harris, in Properties of Silicon Carbide, emis datareview #13, edited by G. L. Harris (INSPEC, London, 1995), Chap. 7.
2. W. J. Choyke and G. Pensl, MRS Bull., 25 (1997).
3. J. N. Pan, J. A. Cooper, Jr., and M. R. Melloch, J. Electron. Mater. 26, 208 (1997).
4. S. T. Sheppard, M. R. Melloch, and J. A. Cooper, IEEE Electron Device Lett. 17, 4 (1996).
5. K. Ueno and T. Oikawa, IEEE Electron Device Lett. 20, 624 (1999).
6. A. K. Agarwal, N. S. Saks, S. S. Mani, V. S. Hegde, and P. A. Sanger, Mater. Sci. Forum 338-342, 1307 (2000).
7. N. S. Saks, S. S. Mani, A. K. Agarwal, and M. G. Ancona, IEEE Electron Device Lett. 20, 431 (1999).
8. M. A. Capano, J. A. Cooper, Jr., M. R. Melloch, A Saxler, and W. C. Mitchel, J. Appl. Phys. 87, 8773 (2000).
9. N. S. Saks, A. K. Agarwal, S. S. Mani, and V. S. Hegde, Appl. Phys. Lett. 76, 1896 (2000).
10. S-H Ryu, A. Agarwal, J. Richmond, M. Das, L. Lipkin, J. Palmour, N. S. Saks, and J. Williams, Mater Sci. Forum 389-393, 1195 (2002).
11. J. F. Ziegler and J. P. Biersack, SRIM 2000.40 [http://www.srim.org].
12. E. M. Handy, M. V. Rao, K. A. Jones, M. A. Derenge, P. H. Chi, R. D. Vispute, T. Venkatesan, N. A. Papanicolaou, and J. Mittereder, J. Appl. Phys. 86, 746 (1999).
13. N. S. Saks, A. K. Agarwal, S-H Ryu, and J. W. Palmour, J. Appl. Phys. 90, 2796 (2001).
14. G. Rutsch, R. P. Devaty, W. J. Choyke D. W. Langer, and L. B. Rowland, J. Appl. Phys. 84, 2062 (1998).
15. W. J. Schaffer, G. H. Negley, K. G. Irvine, and J. W. Palmour, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 339, 595 (1994).
16. M. Schadt, G. Pensl, R. P. Devaty, W. J. Choyke, R. Stein, and D. Stephani, Appl. Phys. Lett. 65, 3120 (1994).
17. M. Laube, F. Schmid, G. Pensl, G. Wagner, M. Linnarsson, and M. Maier, J. Appl. Phys. 92, 549 (2002).