Electrical properties of low-arsenic-doped HgCdTe grown by molecular beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 22, 2001, Pages 3481-3483

  Aqariden, F ^a   Shih, H D ^a   Kinch, M A ^a   Schaake, H F ^a  

^a DRS Sensors and Targeting Systems Inc   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035926776     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1370987     Document Type: Article

References (22)

1. H. R. Vydyanath, J. Electrochem. Soc. 128, 2609 (1981).
2. T. Tung, M. H. Kalisher, A. P. Stevens, and P. E. Herning, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 90, 321 (1987).
3. O. K. Wu, G. S. Kamath, W. A. Radford, P. R. Brat, and E. A. Patten, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 1034 (1990).
4. O. K. Wu, D. N. Jamba, and G. S. Kamath, J. Cryst. Growth 127, 365 (1993).
5. M. J. Bevan, M. C. Chen, and H. D. Shih, Appl. Phys. Lett. 67, 3750 (1995).
6. P. Mitra, Y. L. Tyan, F. C. Case, R. Starr, and M. B. Reine, J. Electron. Mater. 25, 1328 (1996).
7. C. D. Maxey, C. L. Jones, N. E. Metcalfe, R. A. Catchpole, N. T. Gordon, A. M. White, and C. T. Elliot, Proc. SPIE 3122, 453 (1997).
8. S. Sivananthan, P. S. Wijewarnasuriya, F. Aqariden, H. R. Vydyanath, M. Zandian, D. D. Edwall, and J. M. Arias, J. Electron. Mater. 26, 621 (1997).
9. M. Zandian, A. C. Chen, D. D. Edwall, J. G. Pasko, and J. M. Arias, Appl. Phys. Lett. 71, 2815 (1997).
10. F. Aqariden, P. S. Wijewarnasuriya, and S. Sivananthan, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1309 (1998).
11. A. C. Chen, M. Zandian, D. D. Edwall, R. E. DeWames, P. S. Wijewarnasuriya, J. M. Arias, S. Sivananthan, M. Berding, and A. Sher, J. Electron. Mater. 27, 595 (1998).
12. P. S. Wijewarnusuriya and S. Sivananthan, Appl. Phys. Lett. 72, 1694 (1998).
13. X. H. Shi, S. Rujirawat, R. Ashokan, C. H. Grein, and S. Sivananthan, Appl. Phys. Lett. 73, 638 (1998).
14. B. Yang, F. Aqariden, C. H. Grein, A. Jandaska, T. S. Lee, A. Nemani, S. Rujirawat, X. H. Shi, M. Sumstine, S. Velicu, and S. Sivananthan, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1205 (1999).
15. C. T. Elliott and T. Ashley, Electron. Lett. 21, 451 (1985).
16. M. A. Kinch, J. Electron. Mater. 29, 809 (2000).
17. M. J. Bevan, L. A. Almeida, W. M. Duncan, and H. D. Shih, J. Electron. Mater. 26, 502 (1997).
18. F. Aqariden, H. D. Shih, P. K. Liao, W. M. Duncan, and R. Dat, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1381 (2000).
19. T. A. Temofonte, A. J. Norieka, M. J. Bevan, P. R. Emtage, C. F. Seiler, and P. Mitra, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 440 (1989).
20. R. A. Smith, Semiconductors (Cambridge University Press, Cambridge 1968), p. 106.
21. T. T. S. Wong, M. S. Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 1974.
22. M. J. Hyliands, J. Thompson, M. J. Bevan, K. T. Woodhouse, and V. Vincent, J. Vac. Sci. Technol. A 4, 2217 (1986).