p-type arsenic doping of Hg1-xCdxTe by molecular beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 71, Issue 19, 1997, Pages 2815-2817

  Zandian, M ^a   Chen, A C ^a   Edwall, D D ^a   Pasko, J G ^a   Arias, J M ^a  

^a ROCKWELL SCIENCE CENTER   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000073381     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.120144     Document Type: Article

References (13)

1. J. M. Arias, Properties of Narrow Gap Cadmium-Based Compounds, edited by P. Capper, p. 30.
2. M. Zandian, J. M. Arias, R. Zucca, R. V. Gill, and S. H. Shin, Appl. Phys. Lett. 59, 1022 (1991).
3. H. Q. Le, J. M. Arias, M. Zandian, R. Zucca, and Y.-Z. Liu, Appl. Phys. Lett. 65, 810 (1994).
4. J. M. Arias, J. G. Pasko, M. Zandian, S. H. Shin, G. M. Williams, L. O. Bubulac, R. E. DeWames, and W. E. Tennant, J. Electron. Mater. 22, 1049 (1993).
5. J. M. Arias, S. H. Shin, D. E. Cooper, M. Zandian, J. G. Pasko, E. R. Gertner, R. E. DeWames, and J. Singh, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 1025 (1990).
6. H. R. Vydyanath, J. A. Ellsworth, and M. D. Devaney, J. Electron. Mater. 16, 13 (1987).
7. O. K. Wu, G. S. Kamath, W. A. Radford, P. R. Brat, and E. A. Patten, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 1034 (1990).
8. P. S. Wijewarnasuriya, I. K. Sou, J. Kim, K. K. Mahavadi, S. Sivananthan, M. Boukerche, and J. P. Faurie, Appl. Phys. Lett. 51, 2045 (1987).
9. T. H. Mayers, K. A. Harris, R. W. Yanka, L. M. Mohnkern, R. J. Williams, and G. K. Dudoff, J. Vac. Sci. Technol. A 3, 1438 (1985).
10. M. A. Berding, A. Sher, and M. Van Schifgaarde, J. Electron. Mater. 24, 1127 (1995).
11. S. Sivananthan, P. S. Wijewarnasuriya, F. Aqaridan, J. P. Faurie, and H. R. Vydyanath, J. Electron. Mater. (in press).
12. Y. Kadoya, A. Sato, H. Kono, and H. Sakaki, J. Cryst. Growth 111, 280 (1991).
13. D. A. Nelson, W. M. Higgins, R. A. Lancaster, R. Roy, and H. R. Vydayanath, J. Electron. Mater., 175 (1981).