Surface reactivity of Si nanowires

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 11 I, 2001, Pages 6396-6399

  Sun, X H ^a   Peng, H Y ^a   Tang, Y H ^a   Shi, W S ^a   Wong, N B ^a   Lee, C S ^a   Lee, S T ^a   Sham, T K ^b  

^a CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

^b UNIVERSITY OF WESTERN ONTARIO   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035356285     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1367402     Document Type: Article

References (27)

1. R. S. Wagner and W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964).
2. E. I. Givargizov, J. Cryst. Growth 32. 20 (1975).
3. H. I. Liu, N. I. Maluf, and R. F. W. Pease, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 2864 (1992).
4. H. Namatsu, S. Horiguchi, M. Nagase, and K. Kurihara, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1688 (1997).
5. Y. Wada, T. Kure, T. Yoshimura, Y. Sudou, T. Kobayashi, Y. Gotou, and S. Kondo, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 48 (1994).
6. T. Ono, H. Saitoh, and M. Esashi, Appl. Phys. Lett. 70, 1852 (1997).
7. R. Hasunuma, T. Komeda, H. Mukaida, and H. Tokumoto, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1437 (1997).
8. Y. F. Zhang, Y. H. Tang, N. Wang, D. P. Yu, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 72, 1835 (1998).
9. A. M. Morales and C. M. Lieber, Science 279, 208 (1998).
10. D. P. Yu et al., Appl. Phys. Lett. 283, 3458 (1998).
11. N. Wang, Y. H. Tang, Y. F. Zhang, D. P. Yu, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, Chem. Phys. Lett. 283, 368 (1998).
12. N. Wang, Y. F. Zhang, Y. H. Tang, C. S. Lee, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 73, 3902 (1998).
13. N. Wang, Y. H. Tang, Y. F. Zhang, C. S. Lee, and S. T. Lee, Phys. Rev. B 58, 16024 (1998).
14. N. Wang, Y. H. Tang, Y. F. Zhang, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, Chem. Phys. Lett. 299, 237 (1999).
15. Y. H. Tang, Y. F. Zhang, N. Wang, C. S. Lee, X. D. Han, I. Bello, and S. T. Lee, J. Appl. Phys. 85, 7981 (1999).
16. C. K. Frederick, K. W. Wong, Y. H. Tang, Y. F. Zhang, I. Bello, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 75, 1700 (1999).
17. S. G. Volz and G. Chen, Appl. Phys. Lett. 75, 2056 (1999).
18. I. Coulthard and T. K. Sham, Appl. Surf. Sci. 126, 287 (1998).
19. T. K. Sham, I. Coulthard, J. W. Lorimer, A. Hiraya, and M. Watanabe, Chem. Mater. 6, 2085 (1994).
20. A. G. Cullis, L. T. Canham, and P. D. J. Calcott, J. Appl. Phys. 82, 989 (1997).
21. Y. F. Zhang, L. S. Liao, W. H. Chan, S. T. Lee, R. Sammynaiken, and T. K. Sham, Phys. Rev. B 61, 8298 (2000).
22. I. Coulthard and T. K. Sham, Solid State Commun. 105, 751 (1998).
23. I. Coulthard, R. Sammynaiken, S. J. Naftel, P. Zhang, and T. K. Sham, Physical Status, Solidi 182, 157 (2000).
24. F. J. Himpsel, B. S. Meyerson, F. R. Mcfeely, J. F. Morar, A. TalebIbrahahimi, and J. A. Yarmoff, in Proceedings of the Inrico Fermi School on Photoemission and Absorption Spectroscopy of Solids and Interfaces with Synchratron Radiation (North-Holland, Amsterdam, 1990), p. 203.
25. T. Ohmi, T. Imaoka, I. Sugiyama, and T. Kezuka, J. Electrochem. Soc. 139, 3317 (1992).
26. L. A. Nagahara, T. Ohmori, K. Hashimoto, and A. Fujishima, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 763 (1993).
27. M. Jeske, J. W. Schultze, M. Thönissen, and H. Münder, Thin Solid Films 255, 63 (1995).