InGaN/GaN/AlGaN-based laser diodes grown on free-standing GaN substrates

Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology

Volumn 59, Issue 1-3, 1999, Pages 370-375

  Nakamura, Shuji ^a  

^a NICHIA CORPORATION   (Japan)

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CURRENT DENSITY; EPITAXIAL GROWTH; LASER MODES; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SEMICONDUCTING FILMS; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR LASERS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

BLUE LASER; GALLIUM NITRIDE; LATERAL OVERGROWTH; THRESHOLD CURRENT DENSITY; TRANSVERSE MODE;

NITRIDES;

EID: 0033528960     PISSN: 09215107     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0921-5107(98)00354-7     Document Type: Article

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