MOCVD-epitaxy on free-standing HVPE-GaN substrates

Physica Status Solidi (A) Applied Research

Volumn 176, Issue 1, 1999, Pages 443-446

  Miskys, C R ^a   Kelly, M K ^a   Ambacher, O ^a   Stutzmann, M ^a  

^a WALTER SCHOTTKY INSTITUT   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FILM PREPARATION; HYDRIDES; LASER BEAM EFFECTS; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MORPHOLOGY; NITRIDES; PHOTOLUMINESCENCE; SAPPHIRE; SUBSTRATES; THICK FILMS; VAPOR PHASE EPITAXY;

CRYSTAL POLARITY; GALLIUM NITRIDES; HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY (HVPE);

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 0033221604     PISSN: 00318965     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:1<443::AID-PSSA443>3.0.CO;2-Q     Document Type: Article

References (15)

1. M. MAYER, A. PELZMANN, M. KAMP, K. J. EBELING, H. TEISSEYRE, G. NOWAK, M. LESZCZYNSKI, I. GRZEGORY, S. POROWSKY, and G. KARCZEWSKI, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1634 (1997).
2. F. A. PONCE, D. P. BOUR, W. GÖTZ, N. M. JOHNSON, H. I. HELAVA, I. GRZEGORY, J. JUN, and S. POROWSKY, Appl. Phys. Lett. 68, 917 (1996).
3. S. NAKAMURA, M. SENOH, S. NAGAHAMA, N. IWASA, T. YAMADA, T. MATSUSHITA, H. KIYOKU, Y. SUGIMOTO, T. KOZAKI, H. UMEMOTO, M. SANO, and K. CHOCHO, Appl. Phys. Lett. 73, 832 (1998).
4. M. KURAMOTO, C. SASAOKA, Y. HISANAGA, A. KIMURA, A. A. YAMAGUCHI, H. SUNAKAWA, N. KURODA, M. NIDO, A. USUI, and M. MIZUTA, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L184 (1999).
5. Y. GOLAN, X. H. WU, J. S. SPECK, R. P. VAUDO, and V. M. PHANSE, Appl. Phys. Lett. 73, 3090 (1998).
6. T. SHIBATA, H. SONE, K. YAHASHI, M. YAMAGUCHI, K. HIRAMATSU, N. SAWAKI, and N. ITOH, J. Cryst. Growth 189/190, 67 (1998).
7. M. K. KELLY, R. P. VAUDO, V. M. PHANSE, L. GÖRGENS, O. AMBACHER, and M. STUTZMANN, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L217 (1999).
8. S. T. KIM, Y. J. LEE, D. C. MOON, C. H. HONG, and T. K. YOO, J. Cryst. Growth 194, 37 (1998).
9. Y. MELNIK, A. NIKOLAEV, I. NIKITINA, K. VASSILEVSKI, and V. DIMITRIEV, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 269 (1998).
10. J. L. ROUVIERE, J. L. WEYHER, M. SEELMANN-EGGEBERT, and S. POROWSKI, Appl. Phys. Lett. 73, 668 (1998).
11. O. AMBACHER, J. SMART, J. R. SHEALY, N. G. WEIMANN, K. CHU, M. MURPHY, W. J. SCHAFF, L. F. EASTMAN, R. DIMITROV, L. WITTMER, M. STUTZMANN, W. RIEGER, and J. HILSENBECK, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
12. J. L. WEYHER, S. MÜLLER, I. GRZEGORY, and S. POROWSKY, J. Cryst. Growth 182, 17 (1997).
13. B. J. SKROMME, J. JAYAPALAN, D. WANG, and O. F. SANKEY, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 537 (1998).
14. M. SCHAULER, F. EBERHARD, C. KIRCHNER, V. SCHWEGLER, A. PELZMANN, M. KAMP, K. J. EBELING, F. BERTRAM, T. RIEMANN, J. CHRISTEN, P. PRYSTAWKO, M. LESZCZYNSKI, I. GRZEGORY, and S. POROWSKY, Appl. Phys. Lett. 74, 1123 (1999).
15. M. KAMP, C. KIRCHNER, V. SCHWEGLER, A. PELZMANN, K. J. EBELING, M. LESZCZYNSKI, I. GRZEGORY, T. SUSKI, and S. POROWSKY, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G10.2 (1999).