Thermal nitridation of SiO2 films in ammonia: The role of hydrogen

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 143, Issue 4, 1996, Pages 1426-1434

  Baumvol, I J R ^a   Stedile, F C ^b   Ganem, J J ^c   Trimaille, I ^c   Rigo, S ^c  

^a Instituto de Fisica Universidade   (Brazil)

^b FEDERAL UNIVERSITY OF RIO GRANDE DO SUL   (Brazil)

^c CNRS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIFFUSION BARRIERS; HYDROGEN ADSORPTION; ISOTOPIC TRACING; OXYNITRIDE FILMS; SILICA NETWORK; SILICON DIOXIDE FILMS; THERMAL NITRIDATION;

AMMONIA; DIFFUSION; GAS ADSORPTION; HYDROGEN; INTERFACES (MATERIALS); NITRIDING; OXIDES; PRESSURE EFFECTS; SILICA; THERMAL EFFECTS; TRANSPORT PROPERTIES;

DIELECTRIC FILMS;

EID: 0030127867     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1836655     Document Type: Article

References (36)

1. R. Koba and R. E. Tressler, This Journal, 135, 111 (1988).
2. T. Hori, H. Iwasaki, and K. Tsuji, IEEE Trans. Electron Devices, ED-36, 340 (1989).
3. T. Arakawa, T. Hayashi, M. Ohno, R. Matsumoto, A. Uchiyama, and H. Fukuda, Jpn. J. Appl. Phys., 34, 1007 (1995).
4. M. Dutoit, D. Bouvet, J. Mi, N. Novkovski, and P. Letourneau, Microelectron. J., 25, 539 (1995)
5. G. Q. Lo, W. Ting, J. Ahn, and D. L. Kwong, IEEE Trans. Electron Devices Lett., EDL-13, 111 (1992).
6. W. Ting, J. Ahn, and D. L. Kwong, ibid., EDL-13, 117 (1992).
7. F. H. P. M. Habraken, A. E. T. Kuiper, Y. Tamminga, J. B. Theeten, J. Appl. Phys., 53, 6996 (1982).
8. A. E. T. Kuiper, M. F. C. Willemsem, A. M. L. Theunissen, W. M. van de Wijgert, F. H. P. M. Habraken, R. H. G. Tijhaar, W. F. van der Weg, and J. T. Chen, J. Appl. Phys., 59, 2765 (1986).
9. T. Ito, T. Nakamura, and H. Ishikawa, This Journal, 129, 184 (1982).
10. J. B. Oude Elferink, F. H. P. M. Habraken, W. F. van der Weg, E. Dooms, M. Heyns, and R. De Keersmaecker, Appl. Surf. Sci., 39, 219 (1989).
11. T. Ito, T. Nakamura, and H. Ishikawa, IEEE Trans. Electron Devices, ED-29, 498 (1982).
12. B. A. Morrow, I. A. Cody, and L. S. M. Lee, J. Phys. Chem., 79, 2405 (1975).
13. H. Wong, B. L. Yang, and Y. C. Cheng, Appl. Surf. Sci., 72, 49 (1993).
14. B. Y. Liu, Y. C. Cheng, and Z. H. Liu, This Journal, 135, 3081 (1988).
15. F. H. P. M. Habraken, E. J. Evers, and A. E. T. Kuiper, Appl. Phys. Lett., 44, 62 (1984).
16. T. Hori and H. Iwasaki, J. Appl. Phys., 65, 629 (1989).
17. T. Hori, H. Iwasaki, Y. Naito, and H. Esaki, IEEE Trans. Electron Devices, ED-34, 2238 (1987).
18. K. Yamamoto and M. Nakazawa, Jpn. J. Appl. Phys., 33, 285 (1994).
19. A. E. T. Kuiper and M. F. C. Willemsen, Appl. Phys. Lett., 53, 2149 (1988).
20. I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J.-J. Ganem, S. Rigo, and I. Trimaille, ibid., B99, 462 (1995). See also Nucl. Instrum. Methods., B99, 431 (1995).
21. I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J.-J. Ganem, S. Rigo, and I. Trimaille, ibid., B99, 462 (1995). See also Nucl. Instrum. Methods., B99, 431 (1995).
22. I. Trimaille and S. Rigo, Appl. Surf. Sci., 39, 65 (1989).
23. F. C. Stedile, I. J. R. Baumvol, J.-J. Ganem, S. Rigo, I. Trimaille, G. Battistig, W. H. Schulte, and H. W. Becker, Nucl. Instrum. Methods., B85, 248 (1994).
24. I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J.-J. Ganem, S. Rigo, and I. Trimaille, This Journal, 142, 1205 (1995).
25. I. J. R. Baumvol, L. Borucki, J. Chaumont, J.-J. Ganem, S. Rigo, W. H. Schulte, F. C. Stedile, and I. Trimaille, Nucl. Instrum. Methods., B100, XXX (1996).
26. G. Dufour, F. Rochet, H. Roulet, and F. Sirotti, Surf. Sci., 304, 33 (1994).
27. C. H. F. Peden, J. W. Rogers, Jr., N. D. Shinn, and K. L. Tsang, Phys. Rev., B47, 15622 (1993).
28. S. Rigo, G. Amsel, and M. Croset, J. Appl. Phys., 47, 2800 (1976).
29. J.-J. Ganem, S. Rigo, I. Trimaille, G. N. Lu, G. Dufour, and H. Roulet, Nucl. Instrum. Methods, B64, 744 (1992).
30. F. Rochet, B. Agius, and S. Rigo, This Journal, 131, 914 (1984).
31. J.-J. Ganem, Ph.D. Thesis, Université Paris 7 (1992).
32. M. M. Moslehi and K. C. Saraswat, IEEE Trans. Electron Devices, ED-32, 106 (1985).
33. A. Serrari, J. L. Chartier, R. Le Binhan, S. Rigo, and J. C. Dupuy, Appl. Surf. Sci., 51, 133 (1991).
34. S. Rigo, in "Instabilities in Silicon Devices," Vol. 1, G. Barbottin and A. Vapaille, Editors, p. 5, Elsevier Publishers, Amsterdam (1986).
35. E. Bréelle, S. Rigo, J. A. Kilner, and J. J. Ganem, Appl. Surf. Sci., 81, 127 (1994).
36. I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J.-J. Ganem, S. Rigo, and I. Trimaille, This Journal, Submitted for publication.