Profile broadening of high dose germanium implants into (100) silicon at elevated temperatures due to channeling

Journal of Applied Physics

Volumn 83, Issue 7, 1998, Pages 3565-3573

  Nejim, A ^a   Knights, A P ^a   Jeynes, C ^a   Colemen, G ^b   Patel, J ^c  

^a UNIVERSITY OF SURREY   (United Kingdom)

^b UNIVERSITY OF EAST ANGLIA   (United Kingdom)

^c MIDDLESEX UNIVERSITY   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0009725952     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.366573     Document Type: Article

References (51)

1. E. Kasper, H. Kibbel, H. J. Herzog, and A. Gruhle, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 2415 (1994).
2. T. Nakamura and H. Nishizawa, IEEE Trans. Electron Devices 42, 390 (1995).
3. F. K. LeGoues, MRS Bull. 21, 38 (1996).
4. A. Fukami, K. Shoji, T. Nagano, and C. Y. Yang, Appl. Phys. Lett. 57, 2345 (1990).
5. A. Gupta, C. Cook, L. Toyoshiba, J. Qiao, C. Y. Yang, K. Shoji, A. Fukami, T. Nagano, and T. Tokuyama, J. Electron. Mater. 22, 125 (1993).
6. S. Lombarde, A. Pinto, V. Raineri, P. Ward, G. Larosa, G. Privitera, and S. U. Campisano, IEEE Electron Device Lett. 17, 485 (1996).
7. K. S. Jones, S. Prussin, and E. R. Weber, Appl. Phys. A: Solids Surf. 45, 1 (1988).
8. F. Cristiano, A. Nejim, D. A. O. Hope, M. R. Houlton, and P. L. F. Hemment, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 112, 311 (1996).
9. A. Nejim, F. Cristiano, P. L. F. Hemment, D. A. O. Hope, J. L. Glasper, C. Pickering, W. Y. Leong, and D. J. Robbins, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 112, 305 (1996).
10. C. J. Patel, C. D. Marsh, U. Magnusson, C. Jeynes, M. Ostling, H. Norstrom, G. R. Booker, and J. B. Butcher, MRS Proc. 1995.
11. B. Hollander, S. Mantel, W. Michelsen, and S. Mesters, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 80, 81, 777 (1993).
12. B. Hollander, S. Mantel, W. Michelsen, S. Mesters, A. Hartmann, and L. Vescan, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 84, 218 (1994).
13. N. Xiang Chen, R. Schork, and H. Ryssel, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 96, 286 (1995).
14. C. J. Patel and J. B. Butcher, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 438, 223 (1996).
15. A. Nejim, C. Jeynes, R. P. Webb, N. E. B. Cowern, and C. J. Patel, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 469, 387 (1997).
16. W. C. Wong and R. G. Elliman, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 106, 271 (1995).
17. R-R. Hart, R. G. Hunsperger, H. L. Dunlap, and O. J. Marsh, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. 190, 70 (1981).
18. P. Asoka-Kumar, K. G. Lynn, and D. O. Welch, J. Appl. Phys. 76, 4935 (1994).
19. N. B. Chilton and P. G. Coleman, Meas. Sci. Technol. 6, 53 (1995).
20. P. J. Schultz, E. Tandberg, K. G. Lynn, B. Nielsen, T. E. Jackman, M. W. Denhoff, and G. C. Aers, Phys. Rev. Lett. 61, 187 (1988).
21. S. Dannefaer, Phys. Status Solidi A 102, 481 (1987).
22. P. J. Simpson, M. Vos, I. V. Mitchell, C. Wu, and O. J. Schultz, Phys. Rev. B 44, 12 180 (1991).
23. M. Omri, C. Bonafos, A. Claverie, A. Nejim, F. Cristiano, D. Alquier, A. Martinez, and N. E. B. Cowern, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 120, 5 (1996).
24. J. F. Ziegler, J. P. Biersack, and U. Littmark, The Stopping and Ranges of Ions in Solids (Pergamon, New York, 1985).
25. I. R. Chakarov, S. S. Todorov, and D. S. Karpuzov, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 69, 193 (1992).
26. R. Webb, Particle Surface Analysis, 2nd ed. (Wiley, New York, 1992), Vol. 2, Appendix 3.
27. H. H. Anderson and H. L. Bay, Radiat. Eff. 19, 139 (1973).
28. A. Nejim, F. Cristiano, R. M. Gwilliam, P. L. F. Hemment, D. A. O. Hope, J. Newey, and M. R. Houlton, Proceedings of IIT96, Austin, Texas, 1996.
29. D. Alquier, C. Bergaud, A. Martinez, M. Minondo, C. Jaussaud, L. Laânab, C. Bonafos, and A. Claverie, IBMM 95, 1995.
30. J. W. Cahn, Acta Metall. 10, 179 (1962).
31. S. C. Jain, P. Balk, M. S. Goorsky, and S. S. Iyer, Microelectron. Eng. 15, 131 (1991).
32. F. Cristiano, A. Nejim, B. de Mauduit, A. Claverie, and P. L. F. Hemment, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. 120, 156 (1996).
33. D. C. Paine, D. J. Howard, N. G. Stoeffel, and J. A. Horton, J. Electron. Mater. 5, 1023 (1990).
34. P. Børgesen, B. M. U. Scherzer, R. Behrisch, L. G. Svendsen, and S. S. Eskildsen, Computer program for the evaluation of ion beam analysis energy spectra, Technical Report IPP 9/42, Max Plank Institute für Plasmaphysik, July 1983.
35. P. M. Fahey, P. B. Griffen, and J. D. Plummer, Rev. Mod. Phys. 61, 289 (1989).
36. R. B. Fair, Impurity Doping Processes in Silicon (North-Holland, Amsterdam, 1981).
37. W. E. Beadle, J. C. C. Tsai, and R. D. Plummer, Quick Reference Manual for Silicon Integrated Technology (Wiley, New York, 1985).
38. S. S. Iyer and F. K. LeGoues, J. Appl. Phys. 65, 4693 (1989).
39. N. E. B. Cowern, P. C. Zalm, P. van der Sluis, D. J. Gravesteijn, and W. B. de Boer, Phys. Rev. Lett. 72, 2585 (1994).
40. S. Lombardo, K. K. Larsen, V. Raineri, F. Lavia, S. U. Campisano, S. Lagomarsino, and A. Kazimirov, J. Appl. Phys. 79, 3456 (1996).
41. G. L. Olson and J. A. Roth, Mater. Sci. Rep. 3, 1 (1988).
42. T. E. Haynes, M. J. Antonell, C. Archie Lee, and K. S. Jones, Phys. Rev. B 51, 7762 (1995).
43. F. Priolo, J. M. Poate, D. C. Jacobson, and J. L. Batstone, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 39, 343 (1989).
44. J. Linhard, Dan. Vid. Selsk. Mat. Fys. Medd. 34, (1965).
45. D. S. Gemmel, Rev. Mod. Phys. 46, (1974).
46. J. Bausells, G. Badenes, and E. Lora Tamayo, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 55, 666 (1991).
47. O. B. Firsov, Sov. Phys. JETP 36, 1517 (1959).
48. V. Raineri, R. Setola, F. Priolo, E. Rimini, and G. Galvagno, Phys. Rev. B 44, 10 568 (1991).
49. M. Fujinami and N. B. Chilton, J. Appl. Phys. 7, 3242 (1993).
50. M. Fujinami and S. Hayashi, Mater. Sci. Forum 196-201, 1165 (1995).
51. J. Bollmann, H. A. Klose, J. Rohrich, W. Frentrup, and A. Mertens, Mikrochim. Acta 107, 179 (1992).