Magnetic resonance investigations of defects in Ga14N and Ga15N

Journal of Applied Physics

Volumn 88, Issue 6, 2000, Pages 3249-3253

  Bayerl, M W ^a   Reinacher, N M ^a   Angerer, H ^a   Ambacher, O ^a   Brandt, M S ^a   Stutzmann, M ^a  

^a WALTER SCHOTTKY INSTITUT   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0008875535     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1289226     Document Type: Article

References (25)

1. W. E. Carlos, J. A. Freitas, Jr., M. Asif Khan, D. T. Olson, and J. N. Kuznia, Phys. Rev. B 48, 17878 (1993).
2. E. R. Glaser, T. A. Kennedy, H. C. Crookham, J. A. Freitas, Jr., M. Asif Khan, D. T. Olson, and J. N. Kuznia, Appl. Phys. Lett. 63, 2673 (1993).
3. M. Fanciulli, T. Lei, and T. D. Moustakas, Phys. Rev. B 48, 15144 (1993).
4. E. R. Glaser, T. A. Kennedy, K. Doverspike, L. B. Rowland, D. K. Gaskill, J. A. Freitas, Jr., M. Asif Khan, D. T. Olson, J. N. Kuznia, and D. K. Wickenden, Phys. Rev. B 51, 13326 (1995).
5. G. Denninger, R. Beerhalter, D. Reiser, K. Maier, J. Schneider, T. Detchprohm, and K. Hiramatsu, Solid State Commun. 99, 347 (1996).
6. F. K. Koschnick, K. Michael, J.-M. Spaeth, B. Beaumont, and P. Gibart, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 9 (1997).
7. E. R. Glaser, T. A. Kennedy, W. E. Carlos, J. A. Freitas, Jr., A. E. Wickenden, and D. D. Koleske, Phys. Rev. B 57, 8957 (1998).
8. T. Ogino and M. Aoki, Jpn. J. Appl. Phys. 19, 2395 (1980).
9. E. R. Glaser, T. A. Kennedy, J. A. Freitas, Jr., M. Asif Khan, D. T. Olson, and J. N. Kuznia, in Fifth Silicon Carbide and Related Materials, Inst. Phys. Conf. Ser. No. 137 (IOP, Bristol, 1994), p. 453.
10. S. Toyotomi and K. Morigaki, J. Phys. Soc. Jpn. 29, 800 (1970).
11. M. S. Brandt, N. M. Reinacher, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 657 (1996).
12. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 69, 503 (1996).
13. E. J. Tarsa, B. Heying, X. H. Wu, P. Fini, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 82, 5472 (1997).
14. K. Saarinen, P. Seppälä, J. Oila, P. Hautojärvi, C. Corbel, O. Briot, and R. L. Aulombard, Appl. Phys. Lett. 73, 3253 (1998).
15. M. W. Bayerl, M. S. Brandt, and M. Stutzmann, Phys. Status Solidi A 159, R5 (1997).
16. H. Angerer, O. Ambacher, R. Dimitrov, Th. Metzger, W. Rieger, and M. Stutzmann, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 15 (1996).
17. N. M. Reinacher, H. Angerer, O. Ambacher, M. S. Brandt, and M. Stutzmann, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 579 (1997).
18. M. Kunzer, J. Baur, U. Kaufmann, J. Schneider, H. Amano, and I. Akasaki, Solid-State Electron. 41, 189 (1997).
19. E. R. Glaser, T. A. Kennedy, S. W. Brown, J. A. Freitas, Jr., W. G. Perry, M. D. Bremser, T. W. Weeks, and R. F. Davis, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 667 (1996).
20. P. W. Mason, A. Dörnen, V. Härle, F. Scholz, and G. D. Watkins, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 793 (1997).
21. Y. Q. Jia, H. J. Bardeleben, D. Stievenard, and C. Delerue, Phys. Rev. B 45, 1545 (1992).
22. T. A. Kennedy and N. D. Wilsey, Phys. Rev. Lett. 41, 977 (1978).
23. T. A. Kennedy, N. D. Wilsey, J. J. Krebs, and G. H. Stauss, Phys. Rev. Lett. 50, 1281 (1983).
24. K. Krambrock and J.-M. Spaeth, Solid State Commun. 93, 285 (1995).
25. W. E. Carlos, in Proceedings of Seventh International Conference on Shallow-Level Centers in Semiconductors (World Scientific, Singapore, 1997), p. 13.