Silicon-induced faceting of vicinal GaAs(001)

Journal of Applied Physics

Volumn 88, Issue 6, 2000, Pages 3367-3376

  Brennan, S ^a   Stephenson, G B ^b   Fuoss, P H ^c   Kisker, D W ^d   Lavoie, C ^e   Evans Lutterodt, K L ^f  

^a SLAC NATIONAL ACCELERATOR LABORATORY   (United States)

^b ARGONNE NATIONAL LABORATORY   (United States)

^c AT AND T LABS RESEARCH   (United States)

^d Oplink Communications Inc   (United States)

^e IBM T J WATSON RESEARCH CENTER   (United States)

^f NOKIA RESEARCH CENTER   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0006004604     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1289482     Document Type: Article

References (48)

1. R. J. Phaneuf and E. D. Williams, Phys. Rev. Lett. 58, 2563 (1987); E. Pehlke and J. Tersoff. ibid. 67, 1290 (1991); S. Song and S. G. J. Mochrie, ibid. 73, 995 (1994); G. M. Watson, D. Gibbs, D. M. Zehner, M. Yoon, and S. G. J. Mochrie, ibid 71, 3166 (1993); Surf. Sci. 407, 59 (1998).
2. R. J. Phaneuf and E. D. Williams, Phys. Rev. Lett. 58, 2563 (1987); E. Pehlke and J. Tersoff. ibid. 67, 1290 (1991); S. Song and S. G. J. Mochrie, ibid. 73, 995 (1994); G. M. Watson, D. Gibbs, D. M. Zehner, M. Yoon, and S. G. J. Mochrie, ibid 71, 3166 (1993); Surf. Sci. 407, 59 (1998).
3. R. J. Phaneuf and E. D. Williams, Phys. Rev. Lett. 58, 2563 (1987); E. Pehlke and J. Tersoff. ibid. 67, 1290 (1991); S. Song and S. G. J. Mochrie, ibid. 73, 995 (1994); G. M. Watson, D. Gibbs, D. M. Zehner, M. Yoon, and S. G. J. Mochrie, ibid 71, 3166 (1993); Surf. Sci. 407, 59 (1998).
4. R. J. Phaneuf and E. D. Williams, Phys. Rev. Lett. 58, 2563 (1987); E. Pehlke and J. Tersoff. ibid. 67, 1290 (1991); S. Song and S. G. J. Mochrie, ibid. 73, 995 (1994); G. M. Watson, D. Gibbs, D. M. Zehner, M. Yoon, and S. G. J. Mochrie, ibid 71, 3166 (1993); Surf. Sci. 407, 59 (1998).
5. R. J. Phaneuf and E. D. Williams, Phys. Rev. Lett. 58, 2563 (1987); E. Pehlke and J. Tersoff. ibid. 67, 1290 (1991); S. Song and S. G. J. Mochrie, ibid. 73, 995 (1994); G. M. Watson, D. Gibbs, D. M. Zehner, M. Yoon, and S. G. J. Mochrie, ibid 71, 3166 (1993); Surf. Sci. 407, 59 (1998).
6. J. Li and T. F. Keuch, J. Electron. Mater. 28, 124 (1999).
7. S. H. Lee and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 73, 1703 (1998).
8. K. Hata, H. Shigekawa, T. Ueda, M. Akiyama, and T. Okano, Phys. Rev. B 57, 4500 (1998); K. Hata, H. Shigekawa, T. Okano, T. Ueda, and M. Akiyama, ibid 55, 7039 (1997); K. Hata, T. Ikoma, K. Hirakawa, T. Okano, A. Kawazu, T. Ueda, and M. Akiyama, J. Appl. Phys. 76, 5601 (1994); K. Hata, A. Kawazu, T. Okano, T. Ueda, and M. Akiyama, Appl. Phys. Lett. 63, 1625 (1993).
9. K. Hata, H. Shigekawa, T. Ueda, M. Akiyama, and T. Okano, Phys. Rev. B 57, 4500 (1998); K. Hata, H. Shigekawa, T. Okano, T. Ueda, and M. Akiyama, ibid 55, 7039 (1997); K. Hata, T. Ikoma, K. Hirakawa, T. Okano, A. Kawazu, T. Ueda, and M. Akiyama, J. Appl. Phys. 76, 5601 (1994); K. Hata, A. Kawazu, T. Okano, T. Ueda, and M. Akiyama, Appl. Phys. Lett. 63, 1625 (1993).
10. K. Hata, H. Shigekawa, T. Ueda, M. Akiyama, and T. Okano, Phys. Rev. B 57, 4500 (1998); K. Hata, H. Shigekawa, T. Okano, T. Ueda, and M. Akiyama, ibid 55, 7039 (1997); K. Hata, T. Ikoma, K. Hirakawa, T. Okano, A. Kawazu, T. Ueda, and M. Akiyama, J. Appl. Phys. 76, 5601 (1994); K. Hata, A. Kawazu, T. Okano, T. Ueda, and M. Akiyama, Appl. Phys. Lett. 63, 1625 (1993).
11. K. Hata, H. Shigekawa, T. Ueda, M. Akiyama, and T. Okano, Phys. Rev. B 57, 4500 (1998); K. Hata, H. Shigekawa, T. Okano, T. Ueda, and M. Akiyama, ibid 55, 7039 (1997); K. Hata, T. Ikoma, K. Hirakawa, T. Okano, A. Kawazu, T. Ueda, and M. Akiyama, J. Appl. Phys. 76, 5601 (1994); K. Hata, A. Kawazu, T. Okano, T. Ueda, and M. Akiyama, Appl. Phys. Lett. 63, 1625 (1993).
12. K. Ohkuri, J. Ishizaki, S. Hara, and T. Fukui, J. Cryst. Growth 160, 235 (1996).
13. J. Ishizaki, K. Ohkuri, and T. Fukui, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1280 (1996); T. Fukui, J. Ishizaki, S. Hara, J. Motohisa, and H. Hasegawa, J. Cryst. Growth 146, 183 (1995); J. Ishizaki, S. Goto, M. Kishida, T. Fukui, and H. Hasegawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 721 (1994).
14. J. Ishizaki, K. Ohkuri, and T. Fukui, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1280 (1996); T. Fukui, J. Ishizaki, S. Hara, J. Motohisa, and H. Hasegawa, J. Cryst. Growth 146, 183 (1995); J. Ishizaki, S. Goto, M. Kishida, T. Fukui, and H. Hasegawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 721 (1994).
15. J. Ishizaki, K. Ohkuri, and T. Fukui, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1280 (1996); T. Fukui, J. Ishizaki, S. Hara, J. Motohisa, and H. Hasegawa, J. Cryst. Growth 146, 183 (1995); J. Ishizaki, S. Goto, M. Kishida, T. Fukui, and H. Hasegawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 721 (1994).
16. M. Shinohara, H. Yokiwama, and N. Inoue, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1773 (1995).
17. M. Shinohara and N. Inoue, Appl. Phys. Lett. 66, 1936 (1995).
18. M. Kasu and N. Kohayashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 712 (1994).
19. M. Kasu and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 62, 1262 (1993).
20. M. Kasu and T. Fukui, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L864 (1992); T. Fukui and H. Saito, ibid. 29, L483 (1990).
21. M. Kasu and T. Fukui, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L864 (1992); T. Fukui and H. Saito, ibid. 29, L483 (1990).
22. H. Saito and T. Fukui, Appl. Phys. Lett. 56, 87 (1990).
23. T. Fukui and H. Saito, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1373 (1988).
24. R. Notzel, Z. Niu, M. Ramsteiner, H.-P. Schonherr, A. Tranpert, L. Daweritz, and K. H. Ploog, Nature (London) 392, 56 (1998).
25. J. Motohisa, C. Tazaki, T. Irisawa, M. Akabori, and T. Fukui, J. Electron. Mater. 29, 140 (2000).
26. M. Kondo, C. Anayama, N. Okada, H. Sekiguchi, K. Domen, and T. Tanahashi, J. Appl. Phys. 76, 914 (1994).
27. D. E. Aspnes, J. P. Harbison, A. A. Studna, and L. T. Florez, Appl. Phys. Lett. 52, 957 (1988).
28. P. H. Fuoss, D. W. Kisker, G. Renaud, K. L. Tokuda, S. Brennan, and J. L. Kahn, Phys. Rev. Lett. 63, 2389 (1989).
29. P. H. Fuoss and S. Brennan, Annu. Rev. Mater. Sci. 20, 365 (1990).
30. G. Renaud, P. H. Fuoss, J. Bevk, and B. S. Freer, Phys. Rev. B 45, 9192 (1992).
31. S. Song, S. G. J. Mochrie, and G. B. Stephenson, Phys. Rev. Lett. 74, 5240 (1995).
32. D. W. Kisker, G. B. Stephenson, J. Tersoff, P. H. Fuoss, and S. Brennan, J. Cryst. Growth 163, 54 (1996).
33. S. Brennan, P. H. Fuoss, J. L. Kahn, and D. W. Kisker, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A 291, 86 (1990).
34. S. R. Johnson, C. Lavoie, T. Tiedje, and J. A. Mackenzie, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1007 (1993).
35. P. H. Fuoss, D. W. Kisker, G. B. Stephenson, and S. Brennan, Mater. Sci. Eng., B 30, 99 (1995).
36. D. W. Kisker, G. B. Stephenson, P. H. Fuoss, F. J. Lamelas, S. Brennan, and P. Imperatori, J. Cryst. Growth 124, 1 (1992).
37. S. Chichibu, A. Iwai, and S. Matsumoto, Appl. Phys. Lett. 60, 489 (1992).
38. J. M. Redwing, T. F. Kuech, H. Simka, and K. F. Jensen, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 334, 201 (1994).
39. T. Kikkawa, H. Tanaka, and J. Komeno, J. Electron. Mater. 21, 305 (1992).
40. S. H. Lee and G. B. Stringtellow, Appl. Phys. Lett. 73, 1703 (1998).
41. G. Ehrlich and F. G. Hudda, J. Chem. Phys. 44, 1039 (1996); R. L. Schwoebel and E. J. Shipley, J. Appl. Phys. 37, 3682 (1966).
42. G. Ehrlich and F. G. Hudda, J. Chem. Phys. 44, 1039 (1996); R. L. Schwoebel and E. J. Shipley, J. Appl. Phys. 37, 3682 (1966).
43. W. C. Elliot, P. F. Miceli, T. Tse, and P. W. Stephens. Phys. Rev. B 54, 17938 (1996).
44. K. Hata, A. Kawazu, T. Okano, T. Ueda, and M. Akiyama, Appl. Phys. Lett. 63, 1625 (1993).
45. M. V. Ramana Murty et al. (unpublished).
46. M. Ramsteiner, J. Wagner, D. Behr, G. Jungk, L. Daweritz, and R. Hey, Appl. Phys. Lett. 64, 490 (1994).
47. T. A. Land, T. L. Martin, S. Potapenko. G. Tayhas Palmore, and J. J. De Yoreo, Nature (London) 399, 442 (1999), and references therein.
48. F. J. Lamelas, P. H. Fuoss, D. W. Kisker, G. B. Stephenson, P. Imperatori, and S. Brennan, Phys. Rev. B 49, 1957 (1994).