Effect of rapid thermal annealing on radio-frequency magnetron-sputtered GaN thin films and Au/GaN Schottky diodes

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 17, Issue 4, 1999, Pages 1545-1548

  Wang, Ching Wu ^a  

^a I SHOU UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 22644449596     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.590786     Document Type: Article

References (24)

1. S. Fujieda and Y. Matsumoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 30, L1665 (1991).
2. S. Miyoshi, K. Onabe, N. Ohkouchi, H. Yaguchi, R. Ito, S. Fukatsu, and Y. Shiraki, J. Cryst. Growth 124, 439 (1992).
3. Z. Q. He, X. M. Ding, X. Y. Hou, and X. Wang, Appl. Phys. Lett. 64, 315 (1994).
4. R. C. Powell, N. E. Lee, Y. W. Kim, and J. E. Greene, J. Appl. Phys. 73, 189 (1993).
5. A. Kikuchi, H. Hoshi, and K. Kishino, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 688 (1994).
6. S. Nonomura, S. Kobayashi, T. Gotoh, S. Hirata, T. Ohmori, T. Itoh, S. Nitta, and K. Morigaki, J. Non-Cryst. Solids 198-200, 174 (1996).
7. M. W. Cole, F. Ren, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 71, 3004 (1997).
8. D. C. Look, D. C. Reynolds, W. Kim, O. Aktas, A. Botchkarer, A. Salvador, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 80, 2960 (1996).
9. J. C. Carrano, T. Li, P. A. Grudowski, C. J. Eiting, R. D. Dupuis, and J. C. Campbell, J. Appl. Phys. 83, 6148 (1998).
10. D. V. Lang, J. Appl. Phys. 45, 3023 (1974).
11. L. S. Yu, Q. Z. Liu, Q. J. Xing, D. J. Qiao, S. S. Lau, and J. Redwing, J. Appl. Phys. 84, 2099 (1998).
12. Q. Z. Liu, L. S. Yu, S. S. Lau, J. M. Redwing, N. R. Perkins, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 70, 1275 (1997).
13. J. K. Luo and H. Thomas, Appl. Phys. Lett. 62, 705 (1993).
14. M. H. Park, C. L. Yeh, L. C. Wang, F. Deng, Q. Z. Liu, A. R. Clawson, and S. S. Lau, J. Appl. Phys. 77, 2056 (1995).
15. T. Sasaki and T. Matsuoka, J. Appl. Phys. 7, 192 (1995).
16. T. S. Cheng, L. C. Jenkins, S. E. Hooper, C. T. Foxon, J. W. Orton, and D. E. Lacklison, Appl. Phys. Lett. 66, 1509 (1995).
17. R. Dingle, D. D. Sell, S. E. Stokowski, and M. Ilegems, Phys. Rev. B 4, 1211 (1971).
18. L. D. Bell, R. P. Smith, B. T. McDermott, E. R. Gertner, R. Pittman, R. L. Pierson, and G. J. Sullivan, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2286 (1998).
19. C. L. Wu and A. Kahn, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2218 (1998).
20. A. C. Schmitz, A. T. Ping, M. A. Khan, Q. Chen, J. W. Yang, and I. Adesida, Semicond. Sci. Technol. 11, 1464 (1996).
21. Y. Kribes, I. Harrison, B. Tuck, T. S. Cheng, and C. T. Foxon, Semicond. Sci. Technol. 12, 913 (1997).
22. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981), p. 166.
23. C. Y. Wu, J. Appl. Phys. 53, 5949 (1982).
24. J. K. Sheu et al., J. Appl. Phys. 83, 3172 (1998).