Electrical depth profile of p-type GaAs/Ga(As, N)/GaAs heterostructures determined by capacitance-voltage measurements

Journal of Applied Physics

Volumn 88, Issue 7, 2000, Pages 4153-4158

  Krispin, P ^a   Spruytte, S G ^b   Harris, J S ^b   Ploog, K H ^a  

^a PAUL DRUDE INSTITUT FÜR FESTKÖRPERELEKTRONIK   (Germany)

^b STANFORD UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001608260     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1290449     Document Type: Article

References (32)

1. M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1273 (1996).
2. S. Sato, Y. Osawa, and T. Saitoh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 2671 (1997).
3. H. P. Xin and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 72, 2442 (1998).
4. T. Miyamoto, K. Takeuchi, T. Kageyama, F. Koyama, and K. Iga, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 90 (1998).
5. M. C. Larson, M. Kondow, T. Kitatani, K. Nakahara, K. Tamura, H. Inoue, and K. Uomi, IEEE Photonics Technol. Lett. 10, 188 (1998).
6. A. Wagner, C. Ellmers, F. Höhnsdorf, J. Koch, C. Agert, S. Leu, M. Hofmann, W. Stolz, and W. W. Rühle, Appl. Phys. Lett. 76, 271 (2000).
7. C. W. Coldren, M. C. Larson, S. G. Spruytte, and J. S. Harris, Electron. Lett. 36, 951 (2000).
8. S. R. Kurtz, A. A. Allerman, E. D. Jones, J. M. Gee, J. J. Banas, and B. E. Hammons, Appl. Phys. Lett. 74, 729 (1999).
9. M. Weyers, M. Sato, and H. Ando, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L853 (1992).
10. M. Weyers and M. Sato, Appl. Phys. Lett. 62, 1396 (1993).
11. S.-H. Wei and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 76, 664 (1996).
12. W. G. Bi and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 70, 1608 (1997).
13. T. Makimoto, H. Saito, T. Nishida, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 70, 2984 (1997).
14. K. Uesugi and I. Suemune, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1572 (1997).
15. S. Francoeur, G. Sivaraman, Y. Qiu, S. Nikishin, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 72, 1857 (1998).
16. L. Malikova, F. H. Pollak, and R. Bhat, J. Electron. Mater. 27, 484 (1998).
17. T. Prokofyeva, T. Sauncy, M. Seon, M. Holtz, Y. Qiu, S. Nikishin, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 73, 1409 (1998).
18. G. Pozina, I. Ivanov, B. Monemar, J. V. Thordson, and T. G. Andersson, J. Appl. Phys. 84, 3830 (1998).
19. J. D. Perkins, A. Mascarenhas, Y. Zhang, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, and S. R. Kurtz, Phys. Rev. Lett. 82, 3312 (1999).
20. T. Kitatani, M. Kondow, T. Kikawa, Y. Yazawa, M. Okai, and K. Uomi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 5003 (1999).
21. S. Sakai, Y. Ueta, and Y. Terauchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 4413 (1993).
22. L. Bellaiche, S.-H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 54, 17568 (1996).
23. H. Kroemer, W.-Y. Chien, J. S. Harris, and D. D. Edwall, Appl. Phys. Lett. 36, 295 (1980).
24. P. Blood and J. W. Orton, The Electrical Characterization of Semiconductors: Majority Carriers and Electron States (Academic, London, 1992).
25. E. Ikeda, H. Hasegawa, S. Ohtsuka, and H. Ohno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 27, 180 (1988).
26. J. Piprek, P. Krispin, H. Kostial, C. H. Lange, and K. W. Böer, Phys. Status Solidi B 173, 661 (1992).
27. S. G. Spruytte, C. W. Coldren, A. F. Marshall, M. C. Larson, and J. S. Harris, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 595 (2000).
28. I.-H. Tan, G. L. Snider, L. D. Chang, and E. L. Hu, J. Appl. Phys. 68, 4071 (1990).
29. P. Krispin, S. G. Spruytte, J. S. Harris, and K. H. Ploog (unpublished).
30. D. Pons and J. C. Bourgoin, J. Phys. C 18, 3839 (1985).
31. P. Krispin, R. Hey, H. Kostial, and K. H. Ploog, J. Appl. Phys. 83, 1496 (1998).
32. P. Krispin, M. Asghar, H.-P. Schönherr, H. Kostial, R. Nötzel, and K. H. Ploog, Inst. Phys. Conf. Ser. 166, 155 (1999).