Properties of Si-doped GaN films grown using multiple AlN interlayers

Applied Physics Letters

Volumn 75, Issue 20, 1999, Pages 3141-3143

  Koleske, D D ^a   Twigg, M E ^a   Wickenden, A E ^a   Henry, R L ^a   Gorman, R J ^a   Freitas Jr , J A ^a   Fatemi, M ^a  

^a NAVAL RESEARCH LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001420126     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.125257     Document Type: Article

References (18)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L1332 (1995).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Matushita, and T. Mukai, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G1.1 (1999).
3. N. G. Weimann, L. F. Eastman, D. Doppalapudi, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 83, 3656 (1998).
4. P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 73, 975 (1998).
5. K. Leung, A. F. Wright, and E. B. Stechel, Appl. Phys. Lett. 74, 2495 (1999).
6. D. C. Look and J. R. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 1237 (1999).
7. H. Amano, M. Iwaya, T. Kashima, M. Katsuragawa, I. Akasaki, J. Han, S. Hearne, J. A. Floro, E. Chason, and J. Figiel, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L1540 (1998).
8. M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L316 (1998).
9. H. Amano, M. Iwaya, N. Hayashi, T. Kashima, M. Katsuragawa, T. Takeuchi, C. Wetzel, and I. Akasaki, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G10.1 (1999).
10. C.-C. Yang, M.-C. Wu, C.-A. Chang, and G.-C. Chi, J. Appl. Phys. 85, 8427 (1999).
11. A. E. Wickenden, D. D. Koleske, R. L. Henry, R. J. Gorman, J. C. Culbertson, and M. E. Twigg, J. Electron. Mater. 28, 301 (1999).
12. A. E. Wickenden, D. K. Gaskill, D. D. Koleske, K. Doverspike, D. S. Simons, and P. H. Chi, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 679 (1996).
13. V. W. Chin, T. L. Tansley, and T. Osotchan, J. Appl. Phys. 75, 7365 (1994).
14. D. L. Rode and D. K. Gaskill, Appl. Phys. Lett. 66, 1972 (1995).
15. 4.
16. M. A. Khan, Q. Chen, C. J. Sun, M. Shur, and B. Gelmont, Appl. Phys. Lett. 67, 1429 (1995).
17. X. H. Wu, L. M. Brown, D. Kapolnik, S. Keller, B. Keller, S. P. Den-Baars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 80, 3228 (1996).
18. J.-L. Rouviere, M. Arlery, and A. Bourret, Inst. Phys. Conf. Ser. 157, 173 (1997).