Influence of threading dislocations on the near-bandedge photoluminescence of wurtzite GaN thin films on SiC substrate

Applied Physics Letters

Volumn 77, Issue 9, 2000, Pages 1316-1318

  Qiu, X G ^a   Segawa, Y ^a   Xue, Q K ^b   Xue, Q Z ^b   Sakurai, T ^b  

^a INST OF PHYS AND CHEMICAL RESEARCH   (Japan)

^b TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001053418     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1289911     Document Type: Article

References (22)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Seno, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998).
2. H. Morkoç, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
3. J. J. Song and W. Shan, in Group III Nitride Semiconductor Compounds, edited by B. Gil (Oxford University Press, New York, 1998), pp. 182-241.
4. F. A. Ponce, B. S. Krusor, J. S. Major, Jr., W. E. Plano, and D. F. Welch, Appl. Phys. Lett. 67, 410 (1995).
5. M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, B. N. Sverdlov, A. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 68, 1883 (1996).
6. Y. Shreter and Y. Rebane, Proceedings of the International Conference on Extended Defects in Semiconductors-96, Gien, France, 7-12 September, 1996.
7. S. J. Rosner, E. C. Carr, M. J. Ludowise, G. Girolami, and H. I. Erikson, Appl. Phys. Lett. 70, 420 (1997).
8. X. Li, P. W. Bohn, and J. J. Coloman, Appl. Phys. Lett. 75, 4049 (1999).
9. Y. H. Kwon, S. H. Shee, G. H. Gainer, G. H. Park, S. J. Hwang, and J. J. Song, Appl. Phys. Lett. 76, 840 (2000).
10. Q. Z. Xue, Q. K. Xue, Y. Hasegawa, I. S. T. Tsong, and T. Sakurai, Appl. Phys. Lett. 74, 2468 (1999).
11. Q. K. Xue, Q. Z. Xue, Y. Hasegawa, I. S. Tsong, T. Sakurai, and T. Ohno, Phys. Rev. Lett. 82, 3074 (1999).
12. B. Heying, X. H. Wu, S. Keller, Y. Li, D. Kapolnek, B. P. Keller, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 68, 643 (1996).
13. J. E. Ayers, J. Cryst. Growth 135, 71 (1993).
14. S. Fischer, G. Steude, D. M. Hofmann, F. Kurth, F. Anders, M. Topf, B. K. Meyer, F. Bertram, M. Schmidt, J. Christen, L. Eckey, J. Holst, A. Hoffmann, B. Mensching, and B. Rauschenbach, J. Cryst. Growth 189/ 190, 556 (1998).
15. P. Hansen, Y. Strausser, A. Erickson, E. Tarsa, P. Kozodoy, E. Brazel, J. Ibbeston, U. Mishra, V. Narayanamurti, S. DenBaars, and J. Speck, Appl. Phys. Lett. 72, 2247 (1998).
16. T. Ogino and M. Akoki, Jpn. J. Appl. Phys. 19, 2395 (1980).
17. P. Perlin, T. Suzuki, H. Teissyeyre, M. Leszcynski, I. Grzegory, J. Jun, S. Porowski, P. Boguslawski, J. Bernholc, J. C. Chervin, A. Polian, and T. Moustakas, Phys. Rev. Lett. 75, 296 (1995).
18. D. M. Hofmann, D. Kovalev, G. Steude, B. K. Meyer, A. Hoffmann, L. Eckey, R. Heitz, T. Detchprom, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Rev. B 52, 16702 (1995).
19. J. Neugebauer and C. van der Walle, Phys. Rev. B 50, 8067 (1994).
20. C. Trager-Cowan, K. O'Donnell, S. Hooper, and C. Foxon, Appl. Phys. Lett. 68, 355 (1996).
21. T. Weeks, M. Bremser, K. Ailey, E. Carlson, W. Perry, and R. Davis, Appl. Phys. Lett. 67, 401 (1995).
22. M. Godlewski, E. M. Goldys, M. R. Phillips, R. Langer, and A. Barski, Appl. Phys. Lett. 73, 3686 (1998).