Vacancy defects in solid-phase epitaxial grown layers of self-implanted Si

Applied Physics Letters

Volumn 74, Issue 7, 1999, Pages 997-999

  Xu, Jun ^a   Roth, E G ^a   Holland, O W ^a   Mills Jr , A P ^b   Suzuki, Ryoichi ^c  

^a OAK RIDGE NATIONAL LABORATORY   (United States)

^b LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

^c ELECTROTECHNICAL LABORATORY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001012960     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.123453     Document Type: Article

References (15)

1. K. S. Jones, K. Moller, J. Chen, M. PugaLambers, B. Freer, J. Berstein, and L. Rubin, J. Appl. Phys. 81, 6051 (1997); K. S. Jones, L. H. Zhang, V. Krishnamoorthy, M. Law, D. S. Simmons, P. Chi, L. Rubin, and R. G. Elliman, Appl. Phys. Lett. 68, 2672 (1996); H. S. Chao, P. B. Griffin, J. D. Plummer, and C. S. Rafferty, Appl. Phys. Lett. 69, 2113 (1996); H. S. Chao, S. W Crowder, P. B. Griffin, and J. D. Plummer, J. Appl. Phys. 79, 2352 (1996).
2. K. S. Jones, K. Moller, J. Chen, M. PugaLambers, B. Freer, J. Berstein, and L. Rubin, J. Appl. Phys. 81, 6051 (1997); K. S. Jones, L. H. Zhang, V. Krishnamoorthy, M. Law, D. S. Simmons, P. Chi, L. Rubin, and R. G. Elliman, Appl. Phys. Lett. 68, 2672 (1996); H. S. Chao, P. B. Griffin, J. D. Plummer, and C. S. Rafferty, Appl. Phys. Lett. 69, 2113 (1996); H. S. Chao, S. W Crowder, P. B. Griffin, and J. D. Plummer, J. Appl. Phys. 79, 2352 (1996).
3. K. S. Jones, K. Moller, J. Chen, M. PugaLambers, B. Freer, J. Berstein, and L. Rubin, J. Appl. Phys. 81, 6051 (1997); K. S. Jones, L. H. Zhang, V. Krishnamoorthy, M. Law, D. S. Simmons, P. Chi, L. Rubin, and R. G. Elliman, Appl. Phys. Lett. 68, 2672 (1996); H. S. Chao, P. B. Griffin, J. D. Plummer, and C. S. Rafferty, Appl. Phys. Lett. 69, 2113 (1996); H. S. Chao, S. W Crowder, P. B. Griffin, and J. D. Plummer, J. Appl. Phys. 79, 2352 (1996).
4. K. S. Jones, K. Moller, J. Chen, M. PugaLambers, B. Freer, J. Berstein, and L. Rubin, J. Appl. Phys. 81, 6051 (1997); K. S. Jones, L. H. Zhang, V. Krishnamoorthy, M. Law, D. S. Simmons, P. Chi, L. Rubin, and R. G. Elliman, Appl. Phys. Lett. 68, 2672 (1996); H. S. Chao, P. B. Griffin, J. D. Plummer, and C. S. Rafferty, Appl. Phys. Lett. 69, 2113 (1996); H. S. Chao, S. W Crowder, P. B. Griffin, and J. D. Plummer, J. Appl. Phys. 79, 2352 (1996).
5. P. A. Stolk, H.-J. Gossmann, D. J. Eaglesham, D. C. Jacobson, C. S. Rafferty, G. H. Gilmer, M. Jaraiz, and J. M. Poate, H. S. Luftman, and T. E. Haynes, J. Appl. Phys. 81, 6031 (1997).
6. D. J. Eaglesham, T. E. Haynes, H.-J. Gossman, D. C. Jacobson, P. A. Stolk, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 70, 3281 (1997).
7. S. B. Herner, H.-J. Gossmann, and R. T. Tung, Appl. Phys. Lett. 72, 2289 (1998).
8. O. W. Holland, Ling Xie, B. Nelson, and D. S. Zhou, J. Electron. Mater. 25, 99 (1996).
9. E. G. Roth, O. W. Holland, and A. Meldrum, Proceedings of the 8th International Symposium on Silicon Materials Science and Technology, 1997 (unpublished); E. G. Roth, O. W. Holland, V. C. Venezia, and B. Nielsen, J. Electron. Mater. V26, 1349 (1997).
10. E. G. Roth, O. W. Holland, and A. Meldrum, Proceedings of the 8th International Symposium on Silicon Materials Science and Technology, 1997 (unpublished); E. G. Roth, O. W. Holland, V. C. Venezia, and B. Nielsen, J. Electron. Mater. V26, 1349 (1997).
11. A. P. Mills, Jr., S. S. Voris, Jr., and T. S. Andrew, J. Appl. Phys. 76, 2556 (1994).
12. R. Suzuki, Y. Kobayashi, T. Mikado, H. Ohgaki, M. Chiwaki, and T. Yamazaki, AIP Conference Proceedings edited by E. Ottewitte and A. H. Weiss (AIP, New York, 1994), Vol. 303, p 526.
13. P. Asoka-Kumar, K. G. Lynn, and D. O. Welch, J. Appl. Phys. 76, 4935 (1994).
14. J. L. Hastings and S. K. Estreicher, and P. A. Fedders, Phys. Rev. B 56, 10215 (1997).
15. M. Fujinami, Phys. Rev. B 53, 13047 (1996).