Single electron electronics: Challenge for nanofabrication

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 15, Issue 6, 1997, Pages 2101-2108

  Ahmed, Haroon ^a  

^a UNIVERSITY OF CAMBRIDGE   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000850674     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.589228     Document Type: Article

References (28)

1. C. J. Gorter, Physica (Amsterdam) 17, 777 (1951).
2. T. A. Fulton and G. J. Dolan, Phys. Rev. Lett. 59, 109 (1987).
3. K. K. Likharev, IBM J. Res. Dev. 32, 144 (1988).
4. Y. Nakamura, D. L. Klein, and J. S. Tsai, Appl. Phys. Lett. 68, 275 (1996).
5. W. Chen, H. Ahmed, and K. Nakazato, Appl. Phys. Lett. 66, 3383 (1995).
6. W. Chen and H. Ahmed, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1402 (1997).
7. D. L. Klein, P. L. McEuen, J. E. B. Katari, R. Roth, and A. P. Alivisatos, Appl. Phys. Lett. 68, 2574 (1996).
8. T. Sato, H. Ahmed, D. Brown, and B. F. G. Johnson, J. Appl. Phys. 82, 696 (1997).
9. U. Meirav, M. A. Kastner, and S. J. Wind, Phys. Rev. Lett. 65, 771 (1990).
10. K. Nakazato, T. J. Thornton, J. White, and H. Ahmed, Appl. Phys. Lett. 61, 3145 (1992).
11. D. Ali and H. Ahmed, Appl. Phys. Lett. 64, 2119 (1994).
12. Y. Takahashi, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwdate, Y. Nakajima, S. Horiguchi, K. Murase, and M. Tabe, Electron. Lett. 31, 136 (1995).
13. K. Kurihara, H. Namatsu, M. Nagase, and T. Takino, Microelectron. Eng. 35, 261 (1997).
14. R. Smith and H. Ahmed, Proceedings of the International Conference on Quantum Devices and Circuits, Alexandria, Egypt, 1996, edited by Is-mail, Bandyopadhyay, and Leburton (Imperial College Press, London, 1996), p. 118.
15. R. Smith and H. Ahmed, J. Appl. Phys. 81, 6 (1997).
16. L. J. Geerlings, V. F. Anderegg, P. A. M. Holweg, J. E. Mooij, H. Pothier, D. Esteve, C. Urbina, and M. H. Devoret, Phys. Rev. Lett. 64, 2691 (1990).
17. K. Nakazato, R. J. Blaikie, J. R. A. Cleaver, and H. Ahmed, Electron. Lett. 29, 384 (1993).
18. K. Nakazato, R. J. Blaikie, and H. Ahmed, J. Appl. Phys. 75, 5123 (1994).
19. K. Yano, T. Ishii, T. Hashimoto, T. Kobayashi, F. Murai, and K. Seki, IEEE Trans. Electron Devices ED-4, 1628 (1994).
20. S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Hartstein, E. F. Crabbe, and K. Chan, Appl. Phys. Lett. 68, 1377 (1996).
21. L. Guo, E. Leobandung, and S. T. Chou, Science 275, 649 (1997).
22. K. Nakazato and H. Ahmed, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 700 (1995).
23. W. Chen and H. Ahmed, Appl. Phys. Lett. 62, 1499 (1993).
24. C. Vieu, M. Mejias, F. Carcenac, G. Faini and H. Launois, Microelectron. Eng. 35, 349 (1997).
25. H. Ahmed, Physica B 227, 259 (1996).
26. J. W. Lyding, G. C. Abeln, T. C. Shen, C. Wang, and J. R. Tucker, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 3735 (1994).
27. D. W. Abraham, H. J. Mamin, E. Ganz, and J. Clarke, IBM J. Res. Dev. 30, 492 (1986).
28. T. R. Albrecht, M. M. Dovek, C. A. Lang, C. F. Quate, and D. P. E. Smith, Appl. Phys. Lett. 55, 1727 (1989).