Phase formation and ferroelectric characteristics of nonfatigue barium bismuth tantalate thin films

Journal of Applied Physics

Volumn 86, Issue 11, 1999, Pages 6335-6341

  Lu, Chung Hsin ^a   Wen, Cheng Yen ^a  

^a NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000370315     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.371695     Document Type: Article

References (33)

1. J. F. Scott and C. A. Paz de Araujo, Science 246, 1400 (1989).
2. R. E. Jones, Jr., P. D. Maniar, R. Moazzami, P. Zurcher, J. Z. Witowski, V. T. Lii, P. Chu, and S. J. Gillespie, Thin Solid Films 270, 584 (1995).
3. M. Suzuki and T. Ami, Mater. Sci. Eng., B 41, 166 (1996).
4. B. Aurivillius, Ark. Kemi 1, 463 (1949).
5. B. Aurivillius, Ark. Kemi 1, 499 (1949).
6. B. Aurivillius, Ark. Kemi 2, 519 (1950).
7. E. C. Subbarao, J. Phys. Chem. Solids 23, 665 (1962).
8. P. C. Joshi, S. O. Ryu, X. Zhang, and S. B. Desu, Appl. Phys. Lett. 70, 1080 (1997).
9. P. Y. Chu, R. E. Jones, D. J. Taylor, B. Jiang, S. J. Gillespie, and Y. T. Lii, J. Mater. Res. 11, 1065 (1996).
10. K. Amanuma, T. Hase, and Y. Miyasaka, Appl. Phys. Lett. 65, 221 (1995).
11. T. Sumi, Y. Judai, K. Hirano, T. Ito, T. Mikawa, M. Takeo, M. Azuma, S. I. Yayashi, Y. Uemoto, K. Arita, T. Nasu, Y. Nagano, A. Inoue, A. Matsuda, E. Fiji, Y. Shimada, and T. Otsuki, J. Appl. Phys. 35, 1516 (1996).
12. N. Ichinose and M. Watanabe, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 5893 (1997).
13. T. K. Song, J. K. Lee, and H. J. Jung, Appl. Phys. Lett. 69, 3839 (1996).
14. H. M. Tsai, P. Lin, and T. Y. Tseng, Appl. Phys. Lett. 72, 1787 (1998).
15. J. K. Lee, H. J. Jung, O. Auciello, and A. I. Kingon, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 900 (1996).
16. R. Dat, J. K. Lee, O. Auciello, and A. I. Kingon, Appl. Phys. Lett. 67, 572 (1995).
17. Y. Ito, M. Ushikubo, S. Yokoyama, and H. Matsunaga, Integr. Ferroelectr. 14, 123 (1997).
18. K. Kato, C. Zheng, J. M. Finder, S. K. Dey, and K. Torii, J. Am. Ceram. Soc. 81, 1869 (1998).
19. Y. Zhu, S. B. Desu, T. Li, and S. Ramanathan, J. Mater. Res. 12, 783 (1997).
20. N. J. Seong, S. G. Yoon, and S. S. Lee, Appl. Phys. Lett. 71, 81 (1997).
21. T. Li, Y. Zhu, S. B. Desu, C. H. Peng, and M. Nagata, Appl. Phys. Lett. 68, 616 (1996).
22. X. Zhang, P. Gu, and S. B. Desu, Phys. Status Solidi A 160, 35 (1997).
23. S. B. Desu and D. P. Vijay, Mater. Sci. Eng., B 32, 83 (1995).
24. C. A. Paz de Araujo, J. D. Cuchiaro, M. C. Scott, and L. D. McMillian International Patent Appl. No. WO93/12542, 24 June 1993.
25. C. H. Lu and B. K. Fang, J. Mater. Res. 13, 2262 (1998).
26. C. H. Lu and B. K. Fang, J. Mater. Res. 12, 2104 (1997).
27. T. C. Chen, T. Li, X. Zhang, and S. B. Desu, J. Mater. Res. 12, 2165 (1997).
28. T. C. Huang, in Advances in X-ray Analysis, Vol. 33, edited by C. S. Barrett et al. (Plenum, New York, 1990), p. 91.
29. T. Atsuki, N. Soyama, T. Yonezawa, and K. Ogi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 5096 (1995).
30. T. C. Chen, T. Li, X. Zhang, and S. B. Desu, J. Mater. Res. 12, 1569 (1997).
31. S. B. Desu, P. C. Joshi, X. Zhang, and S. O. Ryu, Appl. Phys. Lett. 71, 1041 (1997).
32. M. Nagata, D. P. Vijay, X. Zhang, and S. B. Desu, Phys. Status Solidi A 157, 75 (1996).
33. T. Mihara, H. Watanabe, and C. A. Paz de Araujo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 5281 (1994).