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Volumn 68, Issue 23, 1996, Pages 3269-3271

Characteristics of InGaN multi-quantum-well-structure laser diodes

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EID: 5544314341     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.116570     Document Type: Article
Times cited : (151)

References (18)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.