Ni and Ni suicide Schottky contacts on n-GaN

Journal of Applied Physics

Volumn 84, Issue 2, 1998, Pages 881-886

  Liu, Q Z ^a   Yu, L S ^a   Deng, F ^a   Lau, S S ^a   Redwing, J M ^b  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^b Epitronics/ATMI   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000050128     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.368151     Document Type: Article

References (24)

1. S. Kurtin, T. E. McGill, and C. A. Mead, Phys. Rev. Lett. 22, 1435 (1969).
2. P. Hacke, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 63, 2676 (1993).
3. J. D. Guo, M. S. Feng, R. J. Guo, F. M. Pan, and C. Y. Chang, Appl. Phys. Lett. 67, 2657 (1995).
4. L. Wang, M. I. Nathan, T.-H. Lim, M. A. Khan, and Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 68, 1267 (1996).
5. S. N. Mohammad, Z. Fan, A. E. Botchkarev, W. Kim, O. Aktas, A. Salvador, and H. Morkoç, Electron. Lett. 32, 598 (1996).
6. K. Suzue, S. N. Mohammad, Z. F. Fan, W. Kim, O. Aktas, A. E. Botcharev, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 80, 4467 (1996).
7. A. T. Ping, A. C. Schmitz, M. A. Khan, and I. Adesida, Electron. Lett. 32, 68 (1996).
8. A. C. Schmitz, A. T. Ping, M. A. Khan, Q. Chen, J. W. Yang, and I. Adesida, Semicond. Sci. Technol. 11, 1464 (1996).
9. A. C. Schmitz, A. T. Ping, M. A. Khan, and Q. Chen, Electron. Lett. 32, 1832 (1996).
10. J. D. Guo, F. M. Pan, M. S. Feng, R. J. Guo, P. F. Chow, and C. Y. Chang, J. Appl. Phys. 80, 1623 (1996).
11. K. J. Duxstad and E. E. Haller, J. Appl. Phys. 82, 491 (1997).
12. S. C. Binari, A. B. Dietrich, G. Kelner, L. B. Rowland, K. Doverspike, and D. K. Gaskill, Electron. Lett. 30, 909 (1994).
13. M. T. Hirsch, K. J. Duxstad, and E. E. Haller, Electron. Lett. 33, 95 (1997).
14. E. V. Kalinina, N. J. Kurnestov, V. A. Dmitreiev, K. G. Irvine, and C. H. Carter, Jr., J. Electron. Mater. 25, 831 (1996).
15. Q. Z. Liu, L. S. Yu, S. S. Lau, J. M. Redwing, N. R. Perkins, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 70, 1275 (1997).
16. H. Morkoç, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Suerdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
17. L. F. Wagner, R. W. Young, and A. Sugerman, IEEE Electron Device Lett. ED-4, 320 (1983).
18. H. S. Venugopalan, S. E. Mohney, B. P. Luther, J. M. DeLucca, S. D. Welter, J. M. Redwing, and G. E. Bulman, presented at the MRS Conference, San Francisco, Spring 1997 (unpublished).
19. A. M. Cowley, J. Appl. Phys. 37, 3024 (1996).
20. C. R. Crowell and G. I. Roberts, J. Appl. Phys. 40, 3726 (1969).
21. E. H. Rhoderick and R. H. Williams, in Metal-Semiconductor Contacts (Clarendon, Oxford, 1988), Chap. 4.
22. J. Bardeen, Phys. Rev. 71, 717 (1947).
23. H. C. Card and E. H. Rhoderick, J. Phys. D: Appl. Phys. 4, 1589 (1971).
24. F. R. de Boer, R. Boom, W. C. Mattens, A. R. Miedoma, and A. K. Niessen, Cohesion in Metals - Transition Metal Alloys (Elsevier, Scientific, Amsterdam, 1988).