Direct growth of molybdenum disulfide on arbitrary insulating surfaces by chemical vapor deposition

RSC Advances

Volumn 5, Issue 6, 2015, Pages 4364-4367

  Wang, Jiao ^a   Chen, Linfeng ^a   Lu, Wenjing ^a   Zeng, Mengqi ^a   Tan, Lifang ^a   Ren, Feng ^a   Jiang, Changzhong ^a   Fu, Lei ^a  

^a WUHAN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION;

DIRECT GROWTH; INSULATING SUBSTRATES; INSULATING SURFACES; MOLYBDENUM DISULFIDE; NUMBER OF LAYERS; SURFACE COVERAGES; TRANSFERRING PROCESS;

MOLYBDENUM;

EID: 84919692342     PISSN: None     EISSN: 20462069     Source Type: Journal    
DOI: 10.1039/c4ra10644j     Document Type: Article

References (24)

1. Q. H. Wang, K. Kalantar-Zadeh, A. Kis, J. N. Coleman and M. S. Strano, Nat. Nanotechnol., 2012, 7, 699.
2. K. S. Novoselov, D. Jiang, F. Schedin, T. J. Booth, V. V. Khotkevich, S. V. Morozov and A. K. Geim, Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A., 2005, 102, 10451.
3. H. Li, J. Wu, Z. Y. Yin and H. Zhang, Acc. Chem. Res, 2014, 47, 1067.
4. X. Huang, Z. Y. Zeng and H. Zhang, Chem. Soc. Rev., 2013, 42, 1934.
5. K. F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan and T. F. Heinz, Phys. Rev. Lett., 2010, 105, 136805.
6. B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti and A. Kis, Nat. Nanotechnol., 2011, 6, 147.
7. H. Li, Z. Y. Yin, Q. Y. He, H. Li, X. Huang, G. Lu, D. W. H. Fam, A. I. Y. Tok, Q. Zhang and H. Zhang, Small, 2012, 8, 63.
8. C. F. Zhu, Z. Y. Zeng, H. Li, F. Li, C. H. Fan and H. Zhang, J. Am. Chem. Soc., 2013, 135, 5998.
9. S. X. Wu, Z. Y. Zeng, Q. Y. He, Z. J. Wang, S. J. Wang, Y. P. Du, Z. Y. Yin, X. P. Sun, W. Chen and H. Zhang, Small, 2012, 8, 2264.
10. Z. Y. Yin, H. Li, H. Li, L. Jiang, Y. M. Shi, Y. H. Sun, G. Lu, Q. Zhang, X. D. Chen and H. Zhang, ACS Nano, 2012, 6, 74.
11. C. R. Zhu, G. Wang, B. L. Liu, X. Marie, X. F. Qiao, X. Zhang, X. X. Wu, H. Fan, P. H. Tan, T. Amand and B. Urbaszek, Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys., 2013, 88, 121301(R).
12. J. Pu, Y. Yomogida, K. K. Liu, L. J. Li, Y. Iwasa and T. Takenobu, Nano Lett., 2012, 12, 4013.
13. J. Yoon, W. Park, G. Y. Bae, Y. Kim, H. S. Jang, Y. Hyun, S. K. Lim, Y. H. Kahng, W. K. Hong, B. H. Lee and H. C. Ko, Small, 2013, 9, 3295.
14. M. Shanmugam, C. A. Durcan and B. Yu, Nanoscale, 2012, 4, 7399.
15. W. Choi, M. Y. Cho, A. Konar, J. H. Lee, G. B. Cha, S. C. Hong, S. Kim, J. Kim, D. Jena, J. Joo and S. Kim, Adv. Mater., 2012, 24, 5832.
16. K. S. Novoselov, V. I. Fal'ko, L. Colombo, P. R. Gellert, M. G. Schwab and K. Kim, Nature, 2012, 490, 192.
17. K. K. Liu, W. J. Zhang, Y. H. Lee, Y. C. Lin, M. T. Chang, C. Su, C. S. Chang, H. Li, Y. M. Shi, H. Zhang, C. S. Lai and L. J. Li, Nano Lett., 2012, 12, 1538.
18. Y. J. Zhan, Z. Liu, S. Najmaei, P. M. Ajayan and J. Lou, Small, 2012, 8, 966.
19. Y. C. Lin, W. J. Zhang, J. K. Huang, K. K. Liu, Y. H. Lee, C. T. Liang, C. W. Chu and L. J. Li, Nanoscale, 2012, 4, 6637.
20. Y. F. Yu, C. Li, Y. Liu, L. Q. Su, Y. Zhang and L. Y. Cao, Sci. Rep., 2013, 3, 1866.
21. Y. B. Lee, J. H. Lee, H. Y. Bark, I. K. Oh, G. H. Ryu, Z. H. Lee, H. J. Kim, J. H. Cho, J. H. Ahn and C. G. Lee, Nanoscale, 2014, 6, 2821.
22. I. Song, C. Park, M. Hong, J. Baik, H. J. Shin and H. C. Choi, Angew. Chem., Int. Ed., 2014, 53, 1266.
23. S. F. Wu, C. M. Huang, G. Aivazian, J. S. Ross, D. H. Cobden and X. D. Xu, ACS Nano, 2013, 7, 2768.
24. H. Li, Q. Zhang, C. C. R. Yap, B. K. Tay, T. H. T. Edwin, A. Olivier and D. Baillargeat, Adv. Funct. Mater., 2012, 22, 1385.