Doping efficiency of single and randomly stacked bilayer graphene by iodine adsorption

Applied Physics Letters

Volumn 105, Issue 1, 2014, Pages

  Kim, Hokwon ^a,b   Renault, Olivier ^a,b   Tyurnina, Anastasia ^a,b   Simonato, Jean Pierre ^a,b   Rouchon, Denis ^a,b   Mariolle, Denis ^a,b   Chevalier, Nicolas ^a,b   Dijon, Jean ^a,b  

^a UNIV GRENOBLE ALPES   (France)

^b CEA GRENOBLE   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BILAYER GRAPHENE; DOPING EFFICIENCY; IODINE ADSORPTION;

EID: 84908422042     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4889747     Document Type: Article

References (36)

1. V. Georgakilas, M. Otyepka, A. B. Bourlinos, V. Chandra, N. Kim, K. C. Kemp, P. Hobza, R. Zboril, and K. S. Kim, Chem. Rev. 112, 6156 (2012). 10.1021/cr3000412
2. H. Liu, Y. Liu, and D. Zhu, J. Mater. Chem. 21, 3335 (2011). 10.1039/c0jm02922j
3. T. S. Sreeprasad and V. Berry, Small 9, 341 (2013). 10.1002/smll.201202196
4. S. W. Chu, S. J. Baek, D. C. Kim, S. Seo, J. S. Kim, and Y. W. Park, Synth. Met. 162, 1689 (2012). 10.1016/j.synthmet.2012.06.008
5. U. N. Maiti, W. J. Lee, J. M. Lee, Y. Oh, J. Y. Kim, J. E. Kim, J. Shim, T. H. Han, and S. O. Kim, Adv. Mater. 26, 40 (2014). 10.1002/adma.201303265
6. D. B. Farmer, R. Golizadeh-Mojarad, V. Perebeinos, Y.-M. Lin, G. S. Tulevski, J. C. Tsang, and P. Avouris, Nano Lett. 9, 388 (2008). 10.1021/nl803214a
7. H. C. P. Movva, M. E. Ramón, C. M. Corbet, S. Sonde, S. F. Chowdhury, G. Carpenter, E. Tutuc, and S. K. Banerjee, Appl. Phys. Lett. 101, 183113 (2012). 10.1063/1.4765658
8. C. Yan, K.-S. Kim, S.-K. Lee, S.-H. Bae, B. H. Hong, J.-H. Kim, H.-J. Lee, and J.-H. Ahn, ACS Nano 6, 2096 (2011). 10.1021/nn203923n
9. Y. Zhou, A. Gaur, S.-H. Hur, C. Kocabas, M. A. Meitl, M. Shim, and J. A. Rogers, Nano Lett. 4, 2031 (2004). 10.1021/nl048905o
10. S. Bae, H. Kim, Y. Lee, X. Xu, J.-S. Park, Y. Zheng, J. Balakrishnan, T. Lei, H. Ri Kim, Y. I. Song, Y.-J. Kim, K. S. Kim, B. Ozyilmaz, J.-H. Ahn, B. H. Hong, and S. Iijima, Nat. Nanotechnol. 5, 574 (2010). 10.1038/nnano.2010.132
11. W. Zhao, P. Tan, J. Zhang, and J. Liu, Phys. Rev. B 82, 245423 (2010). 10.1103/PhysRevB.82.245423
12. N. Jung, A. C. Crowther, N. Kim, P. Kim, and L. Brus, ACS Nano 4, 7005 (2010). 10.1021/nn102227u
13. L. Grigorian, K. A. Williams, S. Fang, G. U. Sumanasekera, A. L. Loper, E. C. Dickey, S. J. Pennycook, and P. C. Eklund, Phys. Rev. Lett. 80, 5560 (1998). 10.1103/PhysRevLett.80.5560
14. W. Zhou, S. Xie, L. Sun, D. Tang, Y. Li, Z. Liu, L. Ci, X. Zou, G. Wang, P. Tan, X. Dong, B. Xu, and B. Zhao, Appl. Phys. Lett. 80, 2553 (2002). 10.1063/1.1468269
15. See supplementary material at http://dx.doi.org/10.1063/1.4889747 E-APPLAB-105-021428 for the experimental details and results on Raman spectroscopy, XPS survey, KFM, and temperature dependent work function and XPS core level analysis.
16. M. S. Dresselhaus, A. Jorio, A. G. Souza Filho, and R. Saito, Philos. Trans. R. Soc. A 368, 5355 (2010). 10.1103/PhysRevLett.93.247401
17. A. Eckmann, A. Felten, A. Mishchenko, L. Britnell, R. Krupke, K. S. Novoselov, and C. Casiraghi, Nano Lett. 12, 3925 (2012). 10.1021/nl300901a
18. F. Banhart, J. Kotakoski, and A. V. Krasheninnikov, ACS Nano 5, 26 (2010). 10.1021/nn102598m
19. Y. Zhu, S. Murali, W. Cai, X. Li, J. W. Suk, J. R. Potts, and R. S. Ruoff, Adv. Mater. 22, 3906 (2010). 10.1002/adma.201001068
20. K. Kim, S. Coh, L. Z. Tan, W. Regan, J. M. Yuk, E. Chatterjee, M. F. Crommie, M. L. Cohen, S. G. Louie, and A. Zettl, Phys. Rev. Lett. 108, 246103 (2012). 10.1103/PhysRevLett.108.246103
21. M. Escher, K. Winkler, O. Renault, and N. Barrett, J. Electron. Spectrosc. Relat. Phenom. 178-179, 303 (2010) 10.1016/j.elspec.2009.06.001.
22. M. Escher, N. Weber, M. Merkel, C. Ziethen, P. Bernhard, G. Schönhense, S. Schmidt, F. Forster, F. Reinert, B. Krömker, and D. Funnemann, J. Phys.: Condens. Matter 17, S1329 (2005) 10.1088/0953-8984/17/16/004.
23. O. Renault, R. Brochier, P.-H. Haumesser, N. Barrett, B. Krömker, and D. Funnemann, e-J. Surf. Sci. Nanotechnol. 4, 431 (2006). 10.1380/ejssnt.2006.431
24. A. Das, S. Pisana, B. Chakraborty, S. Piscanec, S. K. Saha, U. V. Waghmare, K. S. Novoselov, H. R. Krishnamurthy, A. K. Geim, A. C. Ferrari, and A. K. Sood, Nat. Nanotechnol. 3, 210 (2008). 10.1038/nnano.2008.67
25. O. Renault, M. Lavayssière, A. Bailly, D. Mariolle, and N. Barrett, J. Electron. Spectrosc. Relat. Phenom. 171, 68 (2009). 10.1016/j.elspec.2009.03.008
26. N. Barrett, L. F. Zagonel, O. Renault, and A. Bailly, J. Phys.: Condens. Matter 21, 314015 (2009) 10.1088/0953-8984/21/31/314015.
27. D. E. Parry, Rapid Commun. Mass Spectrom. 8, 579 (1994). 10.1002/rcm.1290080716
28. S. Tanuma, C. J. Powell, and D. R. Penn, Surf. Interface Anal. 37, 1 (2005). 10.1002/sia.1997
29. A. B. Kaiser, Rep. Prog. Phys. 64, 1 (2001). 10.1088/0034-4885/64/1/201
30. G. Polzonetti, A. Furlani, M. V. Russo, A. M. Camus, and N. Marsich, J. Electron. Spectrosc. Relat. Phenom. 52, 581 (1990). 10.1016/0368-2048(90)85049-F
31. E. M. Nour, L. H. Chen, and J. Laane, J. Phys. Chem. 90, 2841 (1986). 10.1021/j100404a014
32. Y.-J. Yu, Y. Zhao, S. Ryu, L. E. Brus, K. S. Kim, and P. Kim, Nano Lett. 9, 3430 (2009). 10.1021/nl901572a
33. R. Yan, Q. Zhang, W. Li, I. Calizo, T. Shen, C. A. Richter, A. R. Hight-Walker, X. Liang, A. Seabaugh, D. Jena, H. Grace Xing, D. J. Gundlach, and N. V. Nguyen, Appl. Phys. Lett. 101, 022105 (2012) 10.1063/1.4734955.
34. A. Misra, M. Waikar, A. Gour, H. Kalita, M. Khare, M. Aslam, and A. Kottantharayil, Appl. Phys. Lett. 100, 233506 (2012) 10.1063/1.4726284.
35. G. Giovannetti, P. A. Khomyakov, G. Brocks, V. M. Karpan, J. van den Brink, and P. J. Kelly, Phys. Rev. Lett. 101, 026803 (2008). 10.1103/PhysRevLett.101.026803
36. B. H. Kim, S. J. Hong, S. J. Baek, H. Y. Jeong, N. Park, M. Lee, S. W. Lee, M. Park, S. W. Chu, H. S. Shin, J. Lim, J. C. Lee, Y. Jun, and Y. W. Park, Sci. Rep. 2, 690 (2012) 10.1038/srep00690.