SCOPUS 정보 검색 플랫폼 - 논문 보기

메뉴 건너뛰기

ECS Journal of Solid State Science and Technology

Volumn 3, Issue 10, 2014, Pages

Comparison of illumination effect on amorphous indium gallium zinc oxide and a-Si thin film transistors

(4) Li, Xifeng a Zhu, Leyong a Gao, Yana a Zhang, Jianhua a

a SHANGHAI UNIVERSITY (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84906686648 PISSN: 21628769 EISSN: 21628777 Source Type: Journal
DOI: 10.1149/2.0161410jss Document Type: Article

Times cited : (6)

References (19)

1
- 57049142035
- J. Y. Kwon, K. S. Son, J. S. Jung, T. S. Kim, M. K. Ryu, K. B. Park, B. W. Yoo, J.W. Kim, Y.G. Lee, K. C. Park, S.Y. Lee, and J.M. Kim, IEEE Electron. Device Lett. 29, 1309 (2008).
- (2008) IEEE Electron. Device Lett , vol.29 , pp. 1309
- Kwon, J.Y.¹ Son, K.S.² Jung, J.S.³ Kim, T.S.⁴ Ryu, M.K.⁵ Park, K.B.⁶ Yoo, B.W.⁷ Kim, J.W.⁸ Lee, Y.G.⁹ Park, K.C.¹⁰ Lee, S.Y.¹¹ Kim, J.M.¹²

2
- 67650483313
- J. S. Park, T. W. Kim, D. Stryakhilev, J. S. Lee, S. G. An, Y. S. Pyo, D. B. Lee, Y. G. Mo, D. U. Jin, and H. K. Chung, Appl Phys Lett, 95, 013503 (2009).
- (2009) Appl Phys Lett , vol.95 , pp. 013503
- Park, J.S.¹ Kim, T.W.² Stryakhilev, D.³ Lee, J.S.⁴ An, S.G.⁵ Pyo, Y.S.⁶ Lee, D.B.⁷ Mo, Y.G.⁸ Jin, D.U.⁹ Chung, H.K.¹⁰

3
- 9744248669
- K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature, 432, 488 (2004).
- (2004) Nature , vol.432 , pp. 488
- Nomura, K.¹ Ohta, H.² Takagi, A.³ Kamiya, T.⁴ Hirano, M.⁵ Hosono, H.⁶

4
- 33748795083
- H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett., 89, 112123 (2006).
- (2006) Appl. Phys. Lett , vol.89 , pp. 112123
- Yabuta, H.¹ Sano, M.² Abe, K.³ Aiba, T.⁴ Den, T.⁵ Kumomi, H.⁶ Nomura, K.⁷ Kamiya, T.⁸ Hosono, H.⁹

5
- 58149145296
- W. Lim, E. A. Douglas, S. H. Kim, D. P. Norton, S. J. Pearton, F. Ren, H. Shen, and W. H. Chang, Appl. Phys. Lett., 93, 252103 (2008).
- (2008) Appl. Phys. Lett , vol.93 , pp. 252103
- Lim, W.¹ Douglas, E.A.² Kim, S.H.³ Norton, D.P.⁴ Pearton, S.J.⁵ Ren, F.⁶ Shen, H.⁷ Chang, W.H.⁸

6
- 52949097961
- J. K. Jeong, H. W. Yang, J. H. Jeong, Y. G. Mo, and H. D. Kim, Appl. Phys. Lett., 93, 123508 (2008).
- (2008) Appl. Phys. Lett , vol.93 , pp. 123508
- Jeong, J.K.¹ Yang, H.W.² Jeong, J.H.³ Mo, Y.G.⁴ Kim, H.D.⁵

7
- 67650474594
- K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett., 95, 013502 (2009).
- (2009) Appl. Phys. Lett , vol.95 , pp. 013502
- Nomura, K.¹ Kamiya, T.² Hirano, M.³ Hosono, H.⁴

8
- 78649300313
- H. Oh, S.M. Yoon, M. K. Ryu, C. S. Hwang, S. Yang, and S. H. K. Park, Appl. Phys. Lett., 97, 183502 (2010).
- (2010) Appl. Phys. Lett , vol.97 , pp. 183502
- Oh, H.¹ Yoon, S.M.² Ryu, M.K.³ Hwang, C.S.⁴ Yang, S.⁵ Park, S.H.K.⁶

9
- 79960544590
- T. C. Chen, T. C. Chang, T. Y. Hsieh, W. S. Lu, F. Y. Jian, C. T. Tsai, S. Y. Huang, and C. S. Lin, Appl. Phys. Lett., 99, 022104 (2011).
- (2011) Appl. Phys. Lett , vol.99 , pp. 022104
- Chen, T.C.¹ Chang, T.C.² Hsieh, T.Y.³ Lu, W.S.⁴ Jian, F.Y.⁵ Tsai, C.T.⁶ Huang, S.Y.⁷ Lin, C.S.⁸

10
- 84861801385
- C. L. Wang, H. C. Cheng, C. Y. Wu, I. C. Lee, Y. T. Cheng, P. Y. Yang, C. H. Tsai, C. H. Fang, and C. C. Lee, Appl. Phys. Lett., 100, 212112 (2012).
- (2012) Appl. Phys. Lett , vol.100 , pp. 212112
- Wang, C.L.¹ Cheng, H.C.² Wu, C.Y.³ Lee, I.C.⁴ Cheng, Y.T.⁵ Yang, P.Y.⁶ Tsai, C.H.⁷ Fang, C.H.⁸ Lee, C.C.⁹

11
- 78249289429
- T. C. Chen, T. C. Chang, T. Y. Hsieh, C. T. Tsai, S. C. Chen, C. S. Lin, M. C. Hung, C. H. Tu, J. J. Chang, and P. L. Chen, Appl. Phys. Lett., 97, 192103 (2010).
- (2010) Appl. Phys. Lett , vol.97 , pp. 192103
- Chen, T.C.¹ Chang, T.C.² Hsieh, T.Y.³ Tsai, C.T.⁴ Chen, S.C.⁵ Lin, C.S.⁶ Hung, M.C.⁷ Tu, C.H.⁸ Chang, J.J.⁹ Chen, P.L.¹⁰

12
- 78149458396
- M. D. H. Chowdhury, P. Migliorato, and J. Jang, Appl. Phys. Lett., 97, 173506 (2010).
- (2010) Appl. Phys. Lett , vol.97 , pp. 173506
- Chowdhury, M.D.H.¹ Migliorato, P.² Jang, J.³

13
- 84880915029
- S. Y. Lee, J. Y. Kwon, and M. K. Han, IEEE Trans. ElectronDevices, 60, 2574 (2013).
- (2013) IEEE Trans. ElectronDevices , vol.60 , pp. 2574
- Lee, S.Y.¹ Kwon, J.Y.² Han, M.K.³

14
- 54249125071
- T. Wilkinson, S. Ward-Foxton, A. Menon, W. H. Reeves, and S. E. Burns, J Soc Inf Display, 13, 605 (2005).
- (2005) J Soc Inf Display , vol.13 , pp. 605
- Wilkinson, T.¹ Ward-Foxton, S.² Menon, A.³ Reeves, W.H.⁴ Burns, S.E.⁵

15
- 59649110307
- K. Takechi, M. Nakata, T. Eguchi, H. Yamaguchi, and S. Kaneko, Jpn J. Appl. Phys., 48, 010203 (2009).
- (2009) Jpn J. Appl. Phys , vol.48 , pp. 010203
- Takechi, K.¹ Nakata, M.² Eguchi, T.³ Yamaguchi, H.⁴ Kaneko, S.⁵

16
- 69249177220
- L. Zhang, J. Li, X. W. Zhang, X. Y. Jiang, and Z. L. Zhang, Appl. Phys. Lett., 95, 072112 (2009).
- (2009) Appl. Phys. Lett , vol.95 , pp. 072112
- Zhang, L.¹ Li, J.² Zhang, X.W.³ Jiang, X.Y.⁴ Zhang, Z.L.⁵

17
- 33744792281
- P. Barquinha, A. Pimentel, A. Marques, L. Pereira, R. Martins, and E. Fortunato, J Non-Cryst Solids, 352, 1756 (2006).
- (2006) J Non-Cryst Solids , vol.352 , pp. 1756
- Barquinha, P.¹ Pimentel, A.² Marques, A.³ Pereira, L.⁴ Martins, R.⁵ Fortunato, E.⁶

18
- 84889658156
- P. Liu, T. P. Chen, X. D. Li, Z. Liu, J. I. Wong, Y. Liu, and K. C. Leong, Appl. Phys. Lett., 103, 202110 (2013).
- (2013) Appl. Phys. Lett , vol.103 , pp. 202110
- Liu, P.¹ Chen, T.P.² Li, X.D.³ Liu, Z.⁴ Wong, J.I.⁵ Liu, Y.⁶ Leong, K.C.⁷

19
- 77958044304
- K. Ghaffarzadeh, A. Nathan, J. Robertson, S. Kim, S. Jeon, C. Kim, U. I. Chung, and J. H. Lee, Appl. Phys. Lett., 97, 143510 (2010).
- (2010) Appl. Phys. Lett , vol.97 , pp. 143510
- Ghaffarzadeh, K.¹ Nathan, A.² Robertson, J.³ Kim, S.⁴ Jeon, S.⁵ Kim, C.⁶ Chung, U.I.⁷ Lee, J.H.⁸

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.