Highly stable carbon nanotube top-gate transistors with tunable threshold voltage

Advanced Materials

Volumn 26, Issue 26, 2014, Pages 4588-4593

  Wang, Huiliang ^a   Cobb, Brian ^b   Van Breemen, Albert ^b   Gelinck, Gerwin ^b   Bao, Zhenan ^a  

^a Stanford University   (United States)

^b HOLST CENTRE   (Netherlands)

Author keywords

carbon nanotubes; stable; thin film transistors; threshold voltage

Indexed keywords

CARBON NANOTUBES; DIELECTRIC MATERIALS; GATE DIELECTRICS; SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBES (SWCN); THIN FILM TRANSISTORS; THRESHOLD VOLTAGE;

AMBIENT CONDITIONS; AMBIPOLAR; CONTINUOUS TUNING; HIGHLY STABLES; STABLE; SWEEP RATES; THIN-FILM TRANSISTOR (TFTS); TOP-GATE;

TRANSISTORS;

EID: 84904102775     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201400540     Document Type: Article

References (40)

1. a) T. Dürkop, S. A. Getty, E. Cobas, M. S. Fuhrer, Nano Lett. 2003, 4, 35
2. b) H. Wang, J. Luo, A. Robertson, Y. Ito, W. Yan, V. Lang, M. Zaka, F. Schäffel, M. H. Rümmeli, G. A. D. Briggs, J. H. Warner, ACS Nano 2010, 4, 6659
3. c) S. Park, M. Vosguerichian, Z. Bao, Nanoscale 2013, 5, 1727.
4. a) J. Minhun, K. Jaeyoung, N. Jinsoo, L. Namsoo, L. Chaemin, L. Gwangyong, K. Junseok, K. Hwiwon, J. Kyunghwan, A. D. Leonard, J. M. Tour, C. Gyoujin, IEEE Trans. Electron Devices 2010, 57, 571
5. b) L. Hu, D. S. Hecht, G. Grüner, Chem. Rev. 2010, 110, 5790.
6. H. W. Lee, Y. Yoon, S. Park, J. H. Oh, S. Hong, L. S. Liyanage, H. Wang, S. Morishita, N. Patil, Y. J. Park, J. J. Park, A. Spakowitz, G. Galli, F. Gygi, P. H. S. Wong, J. B. H. Tok, J. M. Kim, Z. Bao, Nat. Commun. 2011, 2, 541.
7. a) Q. Cao, H. S. Kim, N. Pimparkar, J. P. Kulkarni, C. Wang, M. Shim, K. Roy, M. A. Alam, J. A. Rogers, Nature 2008, 454, 495
8. b) D. J. Lipomi, M. Vosgueritchian, B. C. K. Tee, S. L. Hellstrom, J. A. Lee, C. H. Fox, Z. Bao, Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 788.
9. M. S. Arnold, A. A. Green, J. F. Hulvat, S. I. Stupp, M. C. Hersam, Nat. Nanotechnol. 2006, 1, 60.
10. H. Liu, D. Nishide, T. Tanaka, H. Kataura, Nat. Commun. 2011, 2.
11. T. Tanaka, H. Jin, Y. Miyata, S. Fujii, H. Suga, Y. Naitoh, T. Minari, T. Miyadera, K. Tsukagoshi, H. Kataura, Nano Lett. 2009, 9, 1497.
12. A. Nish, J.-Y. Hwang, J. Doig, R. J. Nicholas, Nat. Nanotechnol. 2007, 2, 640.
13. a) C. Wang, J. Zhang, K. Ryu, A. Badmaev, L. G. De Arco, C. Zhou, Nano Lett. 2009, 9, 4285
14. b) H. Wang, J. Mei, P. Liu, K. Schmidt, G. Jiménez-Osés, S. Osuna, L. Fang, C. J. Tassone, A. P. Zoombelt, A. N. Sokolov, K. N. Houk, M. F. Toney, Z. Bao, ACS Nano 2013, 7, 2659
15. c) W. Gomulya, G. D. Costanzo, E. J. F. De Carvalho, S. Z. Bisri, V. Derenskyi, M. Fritsch, N. Fröhlich, S. Allard, P. Gordiichuk, A. Herrmann, S. J. Marrink, M. C. Dos Santos, U. Scherf, M. A. Loi, Adv. Mater. 2013, 25, 2948
16. d) H. Wang, G. I. Koleilat, P. Liu, G. Jiménez-Osés, Y.-C. Lai, M. Vosgueritchian, Y. Fang, S. Park, K. N. Houk, Z. Bao, ACS Nano 2014.
17. S. Z. Bisri, J. Gao, V. Derenskyi, W. Gomulya, I. Iezhokin, P. Gordiichuk, A. Herrmann, M. A. Loi, Adv. Mater. 2012, 24, 6147.
18. W. Kim, A. Javey, O. Vermesh, Q. Wang, Y. Li, H. Dai, Nano Lett. 2003, 3, 193.
19. Z. Liu, H. Li, Z. Qiu, S.-L. Zhang, Z.-B. Zhang, Adv. Mater. 2012, 24, 3633.
20. S. H. Jin, A. E. Islam, T.-i. Kim, J.-h. Kim, M. A. Alam, J. A. Rogers, Adv. Funct. Mater. 2012, 22, 2276.
21. M. L. Geier, P. L. Prabhumirashi, J. J. McMorrow, W. Xu, J.-W. T. Seo, K. Everaerts, C. H. Kim, T. J. Marks, M. C. Hersam, Nano Lett. 2013, 13, 4810.
22. S. A. McGill, S. G. Rao, P. Manandhar, P. Xiong, S. Hong, Appl. Phys. Lett. 2006, 89.
23. A. D. Franklin, G. S. Tulevski, S.-J. Han, D. Shahrjerdi, Q. Cao, H.-Y. Chen, H. S. P. Wong, W. Haensch, ACS Nano 2012, 6, 1109.
24. Y. S. Choi, J. Sung, S. J. Kang, S. H. Cho, I. Hwang, S. K. Hwang, J. Huh, H.-C. Kim, S. Bauer, C. Park, Adv. Funct. Mater. 2013, 23, 1120.
25. J. C. Biffinger, H. W. Kim, S. G. DiMagno, ChemBioChem 2004, 5, 622.
26. F. Bauer, J. F. Capsal, Q. Larcher, F. Domingues Dos Santos, "Advances in relaxor ferroelectric terpolymer: New applications", presented at Applications of Ferroelectrics (ISAF/PFM), 2011 International Symposium on and 2011 International Symposium on Piezoresponse Force Microscopy and Nanoscale Phenomena in Polar Materials, 24-27 July 2011, 2011.
27. D. H. Kim, B.-L. Lee, H. Moon, H. M. Kang, E. J. Jeong, J.-I. Park, K.-M. Han, S. Lee, B. W. Yoo, B. W. Koo, J. Y. Kim, W. H. Lee, K. Cho, H. A. Becerril, Z. Bao, J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 6124.
28. J. Lee, J. Young Jung, D. Hwan Kim, J. Y. Kim, B. L. Lee, J. I. Park, J. Won Chung, J. Seok Park, B. Koo, Y. Wan Jin, S. Lee, Appl. Phys. Lett. 2012, 100.
29. J. C. Park, S. Kim, S. Kim, C. Kim, I. Song, Y. Park, U. I. Jung, D. H. Kim, J.-S. Lee, Adv. Mater. 2010, 22, 5512.
30. C. H. Ahn, M. G. Yun, S. Y. Lee, H. K. Cho, IEEE Trans. Electron Devices 2014, 61, 73.
31. M.-J. Spijkman, K. Myny, E. C. P. Smits, P. Heremans, P. W. M. Blom, D. M. de Leeuw, Adv. Mater. 2011, 23, 3231.
32. N. Moriyama, Y. Ohno, T. Kitamura, S. Kishimoto, T. Mizutani, Nanotechnology 2010, 21.
33. S. J. Zilker, C. Detcheverry, E. Cantatore, D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 1124.
34. N. D. Young, A. Gill, M. J. Edwards, Semiconduct. Sci. Technol. 1992, 7, 1183.
35. A. D. Franklin, S. O. Koswatta, D. B. Farmer, J. T. Smith, L. Gignac, C. M. Breslin, S.-J. Han, G. S. Tulevski, H. Miyazoe, W. Haensch, J. Tersoff, Nano Lett. 2013, 13, 2490.
36. W. J. Yu, U. J. Kim, B. R. Kang, I. H. Lee, E.-H. Lee, Y. H. Lee, Nano Lett. 2009, 9, 1401.
37. M. J. Spijkman, K. Myny, E. C. P. Smits, P. Heremans, P. W. M. Blom, D. M. De Leeuw, Adv. Mater. 2011, 23, 3231.
38. M. Spijkman, S. G. J. Mathijssen, E. C. P. Smits, M. Kemerink, P. W. M. Blom, D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett. 2010, 96.
39. J. J. Brondijk, M. Spijkman, F. Torricelli, P. W. M. Blom, D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett. 2012, 100.
40. K. Myny, M. J. Beenhakkers, N. A. J. M. Van Aerle, G. H. Gelinck, J. Genoe, W. Dehaene, P. Heremans, IEEE J. Solid-State Circuits 2011, 46, 1223.