Record pure zincblende phase in GaAs nanowires down to 5 nm in radius

Nano Letters

Volumn 14, Issue 7, 2014, Pages 3938-3944

  Gil, Evelyne ^a,b   Dubrovskii, Vladimir G ^c,d,e   Avit, Geoffrey ^a,b   André, Yamina ^a,b   Leroux, Christine ^b,f   Lekhal, Kaddour ^a,b   Grecenkov, Jurij ^c   Trassoudaine, Agnès ^a,b   Castelluci, Dominique ^a,b   Monier, Guillaume ^a,b   Ramdani, Reda M ^a,b   Robert Goumet, Christine ^a,b   Bideux, Luc ^a,b   Harmand, Jean Christophe ^g   Glas, Frank ^g  

^a UNIVERSITÉ BLAISE PASCAL   (France)

^b CNRS   (France)

^c ST PETERSBURG ACADEMIC UNIVERSITY   (Russian Federation)

^d IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

^e ST PETERSBURG STATE UNIVERSITY   (Russian Federation)

^f UNIVERSITÉ DE TOULON   (France)

^g UNIV PARIS SUD   (France)

Author keywords

chemical potential; crystal structure; GaAs; HVPE; Nanowire; VLS

Indexed keywords

CATALYSTS; CHEMICAL POTENTIAL; CRYSTAL STRUCTURE; DECHLORINATION; DROPS; GALLIUM ARSENIDE; LIQUIDS; SEMICONDUCTING GALLIUM; VAPORS; ZINC SULFIDE;

GAAS; HVPE; HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY; PROCESS TEMPERATURE; VAPOR-LIQUID-SOLID; VAPOR-LIQUID-SOLID GROWTH; VLS; ZINC-BLENDE STRUCTURES;

NANOWIRES;

EID: 84904015856     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl501239h     Document Type: Article

References (51)

1. Huang, Y.; Duan, X. F.; Wei, Q.; Lieber, C. M. Science 2001, 291, 630-633
2. Gudiksen, M. S.; Lauhon, L. J.; Wang, J.; Smith, D. C.; Lieber, C. M. Nature 2002, 415, 617-620
3. Doh, Y. J.; van Dam, J. A.; Roest, A. L.; Bakkers, E. M. P. A.; Kouwenhoven, L. P.; De Franceschi, S. Science 2005, 309, 272-275
4. Lu, W.; Lieber, C. M. Nat. Mater. 2007, 6, 841-850
5. Yan, R. X.; Gargas, D.; Yang, P. D. Nat. Photonics 2009, 3, 569-576
6. Wilhelm, C.; Larrue, A.; Dai, X.; Migas, D.; Soci, C. Nanoscale 2012, 4, 1446-1454
7. Hoang, T. B.; Titova, L. V.; Yarrison-Rice, J. M.; Jackson, H. E.; Govorov, A. O.; Kim, Y.; Joyce, H. J.; Tan, H. H.; Jagadish, C.; Smith, L. M. Nano Lett. 2007, 7, 588-595
8. Wagner, R. S.; Ellis, W. C. Appl. Phys. Lett. 1964, 4, 89
9. Hiruma, K.; Katsuyama, T.; Ogawa, K.; Koguchi, M.; Kakibayashi, H.; Morgan, G. P. Appl. Phys. Lett. 1991, 59, 431-433
10. Heiss, M.; Fontana, Y.; Gustafsson, A.; Wuest, G.; Magen, C.; O'Regan, D. D.; Luo, J. W.; Ketterer, B.; Conesa-Boj, S.; Kuhlmann, A. V.; Houel, J.; Russo-Averchi, E.; Morante, J. R.; Cantoni, M.; Marzari, N.; Arbiol, J.; Zunger, A.; Warburton, R. J.; Fontcuberta i Morral, A. Nat. Mater. 2013, 12, 439-444
11. Heurlin, M.; Magnusson, M. H.; Lindgren, D.; Ek, M.; Wallenberg, L. R.; Deppert, K.; Samuelson, L. Nature 2012, 492, 90-94
12. Mariani, G.; Zhou, Z. L.; Scofield, A. C.; Huffaker, D. L. Nano Lett. 2013, 4, 1632-1637
13. Wallentin, J.; Ek, M.; Wallenberg, L. R.; Samuelson, L.; Deppert, K.; Borgstrom, M. T. Nano Lett. 2010, 10, 4807-4812
14. Huang, H.; Ren, X.; Ye, X.; Guo, J.; Wang, Q.; Zhang, X.; Cai, S.; Huang, Y. Nanotechnology 2010, 21, 475602
15. Shtrikman, H.; Popovitz-Biro, R.; Kretinin, A.; Heiblum, M. Nano Lett. 2009, 9, 215-219
16. Ren, X.; Huang, H.; Dubrovskii, V. G.; Sibirev, N. V.; Nazarenko, M. V.; Bolshakov, A. D.; Ye, S.; Wang, Q.; Huang, Y.; Zhang, X.; Guo, J.; Liu, X. Semicond. Sci. Technol. 2011, 26, 014034
17. Johansson, J.; Bolinsson, J.; Ek, M.; Caroff, P.; Dick, K. A. ACS Nano 2012, 6, 6142-6149
18. Glas, F.; Harmand, J. C.; Patriarche, G. Phys. Rev. Lett. 2007, 99, 146101
19. Galicka, M.; Bukala, M.; Buczko, R.; Kacman, P. J. Phys.: Condens. Matter 2008, 20, 454226
20. Dubrovskii, V. G.; Sibirev, N. V. Phys. Rev. B 2008, 77, 035414
21. Dick, K. A.; Caroff, P.; Bolinsson, J.; Messing, M. E.; Johansson, J.; Deppert, K.; Wallenberg, L. R.; Samuelson, L. Semicond. Sci. Technol. 2010, 25, 024009
22. Joyce, H. J.; Wong-Leung, J.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Jagadish, C. Nano Lett. 2010, 10, 908-915
23. Spirkoska, D.; Arbiol, J.; Gustafsson, A.; Conesa-Boj, S.; Glas, F.; Zardo, I.; Heigoldt, M.; Gass, M. H.; Bleloch, A. L.; Estrade, S.; Kaniber, M.; Rossler, J.; Peiro, F.; Morante, J. R.; Abstreiter, G.; Samuelson, L.; Fontcuberta i Morral1, A. Phys. Rev. B 2009, 80, 245325
24. Lehmann, S.; Jacobsson, D.; Deppert, K.; Dick, K. Nano Res. 2012, 5, 470-476
25. Lehmann, S.; Wallentin, J.; Jacobson, D.; Deppert, K.; Dick, K. A. Nano Lett. 2013, 13, 4099-4105
26. Gil, E.; Andre, Y.; Cadoret, R.; Trassoudaine, A. Hydride VPE for current III-V and nitride semiconductor compound issues. In Handbook of Crystal Growth, 2 nd ed.; Elsevier: New York, 2014, (unpublished); Vol. III.
27. Ramdani, M. R.; Gil, E.; Leroux, Ch.; André, Y.; Trassoudaine, A.; Castelluci, D.; Bideux, L.; Monier, G.; Robert-Goumet, C.; Kupka, R. Nano Lett. 2010, 10, 1836-1841
28. Avit, G.; Lekhal, K.; André, Y.; Bougerol, C.; Réveret, F.; Leymarie, J.; Gil, E.; Monier, G.; Castelluci, D.; Trassoudaine, A. Nano Lett. 2014, 14, 559-562
29. Shtrikman, H.; Popovitz-Biro, R.; Kretinin, A.; Houben, L.; Heiblum, M.; Bukala, M.; Galicka, M.; Buczko, R.; Kacman, P. Nano Lett. 2009, 9, 1506-1510
30. Dubrovskii, V. G.; Cirlin, G. E.; Sibirev, N. V.; Jabeen, F.; Harmand, J. C.; Werner, P. Nano Lett. 2011, 11, 1247-1253
31. Cirlin, G. E.; Dubrovskii, V. G.; Samsonenko, Yu. B.; Bouravleuv, A. D.; Durose, K.; Proskuryakov, Yu. Yu.; Mendes, B.; Bowen, L.; Kaliteevski, M. A.; Abram, R. A.; Zeze, D. Phys. Rev. B 2010, 82, 035302
32. Jabeen, F.; Grillo, V.; Rubini, S.; Martelli, F. Nanotechnology 2008, 19, 275711
33. Krogstrup, P.; Popovitz-Biro, R.; Johnson, E.; Madsen, M. H.; Nyga-rd, J.; Shtrikman, H. Nano Lett. 2010, 10, 4475-4482
34. Lassalle, F.; Porte, A.; Laporte, J. L.; Pariset, C.; Cadoret, R. Mater. Res. Bull. 1988, 23, 1285-1297
35. Pimpinelli, A.; Cadoret, R.; Gil-Lafon, E.; Napierala, J.; Trassoudaine, A. J. Cryst. Growth 2003, 258, 1-13
36. Gil-Lafon, E.; Napierala, J.; Pimpinelli, A.; Cadoret, R.; Trassoudaine, A. J. Cryst. Growth 2003, 258, 14-25
37. Gil-Lafon, E.; Napierala, J.; Castelluci, D.; Pimpinelli, A.; Cadoret, R.; Gerard, B. J. Cryst. Growth 2001, 222, 482-496
38. Sibirev, N. V.; Timofeeva, M. A.; Bolshakov, A. D.; Nazarenko, M. V.; Dubrovskii, V. G. Phys. Solid State 2010, 52, 1531-1538
39. Rosini, M.; Magri, R. Nano Lett. 2010, 10, 6021-6031
40. Pankoke, V.; Kratzer, P.; Sakong, S. Phys. Rev. B 2011, 84, 075455
41. Akiyama, T.; Sano, K.; Nakamura, K.; Ito, T. Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, L275-L278
42. Massalski, T. B. Binary alloy phase diagrams; American Society for Metals: Cleveland, OH, 1990.
43. Dubrovskii, V. G. Appl. Phys. Lett. 2014, 104, 053110
44. Ramdani, M. R.; Harmand, J. C.; Glas, F.; Patriarche, G.; Travers, L. Cryst. Growth. Des. 2013, 13, 91-96
45. Glas, F.; Ramdani, M. R.; Patriarche, G.; Harmand, J. C. Phys. Rev. B 2013, 88, 195304
46. Glas, F. J. Appl. Phys. 2010, 108, 073506
47. Dubrovskii, V. G.; Sibirev, N. V.; Harmand, J. C.; Glas, F. Phys. Rev. B 2008, 78, 235301
48. Yeh, C. Y.; Lu, Z. W.; Froyen, S.; Zunger, A. Phys. Rev. B 1992, 46, 10086
49. Jasper, J. J. J. Phys. Chem. Ref. Data 1972, 1, 841
50. Ansara, I.; Chatillon, C.; Lukas, H. L.; Nishizawa, T.; Ohtani, H.; Ishida, K.; Hillert, M.; Sundman, B.; Argent, B. B.; Watson, A.; Chart, T.; Anderson, T. CALPHAD: Comput. Coupling Phase Diagrams Thermochem. 1994, 18, 177-222
51. Dubrovskii, V. G.; Sibirev, N. V. Phys. Rev. B 2014, 89, 054305