Large arrays and properties of 3-terminal graphene nanoelectromechanical switches

Advanced Materials

Volumn 26, Issue 10, 2014, Pages 1571-1576

  Liu, Xinghui ^a   Suk, Ji Won ^c   Boddeti, Narasimha G ^a   Cantley, Lauren ^a   Wang, Luda ^a   Gray, Jason M ^a   Hall, Harris J ^a   Bright, Victor M ^a   Rogers, Charles T ^d   Dunn, Martin L ^e   Ruoff, Rodney S ^c   Bunch, J Scott ^a,b  

^a University of Colorado   (United States)

^b Boston University   (United States)

^c The University of Texas at Austin   (United States)

^d UNIVERSITY OF COLORADO   (United States)

^e SINGAPORE UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND DESIGN   (Singapore)

Author keywords

finite element analysis; graphene; microsystems; nanoelectromechanical systems; nanomechanical switches

Indexed keywords

ELECTRO-MECHANICS; LOW ACTUATION VOLTAGE; MECHANICAL INTEGRITY; NANO-ELECTROMECHANICAL; NANOELECTROMECHANICAL SWITCHES; NANOMECHANICAL SWITCHES; SWITCHING BEHAVIORS; SWITCHING VOLTAGES;

FINITE ELEMENT METHOD; MICROSYSTEMS; NEMS;

GRAPHENE;

EID: 84896753879     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201304949     Document Type: Article

References (38)

1. International Roadmap Committee Future Memory Devices Workshop Summary, 2010.
2. T. Rueckes, K. Kim, E. Joselevich, G. Y. Tseng, C.-L. Cheung, C. M. Lieber, Science 2000, 289, 94-97.
3. W. Lu, C. M. Lieber, Nat. Mater. 2007, 6, 841-850.
4. P. Gammel, G. Fischer, J. Bouchaud, Bell Labs Technical Journal 2005, 10, 29-59.
5. W. Han, A. L. Hsu, T. Palacios, Microwave Magazine, IEEE 2012, 13, 114-125.
6. A. B. Kaul, E. W. Wong, L. Epp, B. D. Hunt, Nano Lett. 2006, 6, 942-947.
7. J. E. Jang, S. N. Cha, Y. J. Choi, D. J. Kang, T. P. Butler, D. G. Hasko, J. E. Jung, J. M. Kim, G. A. J. Amaratunga, Nat. Nano 2008, 3, 26-30.
8. O. Y. Loh, H. D. Espinosa, Nat. Nano 2012, 7, 283-295.
9. M. Liao, S. Hishita, E. Watanabe, S. Koizumi, Y. Koide, Adv. Mater. 2010, 22, 5393-5397.
10. M. Roukes, Physics World 2001, 14, 25.
11. Z. Shi, H. Lu, L. Zhang, R. Yang, Y. Wang, D. Liu, H. Guo, D. Shi, H. Gao, E. Wang, G. Zhang, Nano Research 2011, 5, 82-87.
12. O. Loh, X. Wei, J. Sullivan, L. E. Ocola, R. Divan, H. D. Espinosa, Adv. Mater. 2012, 24, 2463-2468.
13. J. O. Lee, Y.-H. Song, M.-W. Kim, M.-H. Kang, J.-S. Oh, H.-H. Yang, J.-B. Yoon, Nat. Nano 2013, 8, 36-40.
14. K. M. Milaninia, M. A. Baldo, A. Reina, J. Kong, Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 183105.
15. A. K. Geim, Science 2009, 324, 1530-1534.
16. A. K. Geim, K. S. Novoselov, Nat. Mater. 2007, 6, 183-191.
17. J. S. Bunch, A. M. van der Zande, S. S. Verbridge, I. W. Frank, D. M. Tanenbaum, J. M. Parpia, H. G. Craighead, P. L. McEuen, Science 2007, 315, 490-493.
18. C. Lee, X. Wei, J. W. Kysar, J. Hone, Science 2008, 321, 385-388.
19. J. S. Bunch, S. S. Verbridge, J. S. Alden, A. M. van der Zande, J. M. Parpia, H. G. Craighead, P. L. McEuen, Nano Lett. 2008, 8, 2458-2462.
20. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, A. A. Firsov, Science 2004, 306, 666-669.
21. S. M. Kim, E. B. Song, S. Lee, S. Seo, D. H. Seo, Y. Hwang, R. Candler, K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 23103.
22. B. Standley, W. Bao, H. Zhang, J. Bruck, C. N. Lau, M. Bockrath, Nano Lett. 2008, 8, 3345-3349.
23. P. Li, Z. You, G. Haugstad, T. Cui, Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 253103-253105.
24. S. W. Lee, S. J. Park, E. E. B. Campbell, Y. W. Park, Nat. Commun. 2011, 2, 220.
25. S. Chong, B. Lee, K. B. Parizi, J. Provine, S. Mitra, R. T. Howe, H.-S. P. Wong, Electron Devices Meeting (IEDM), 2011 IEEE International 2011, 30.5.1-30.5.4.
26. K. Akarvardar, D. Elata, R. Parsa, G. C. Wan, K. Yoo, J. Provine, P. Peumans, R. T. Howe, H. S. P. Wong, in Electron Devices Meeting, 2007. IEDM 2007. IEEE International, 2007, pp. 299-302.
27. X. Li, W. Cai, J. An, S. Kim, J. Nah, D. Yang, R. Piner, A. Velamakanni, I. Jung, E. Tutuc, S. K. Banerjee, L. Colombo, R. S. Ruoff, Science 2009, 324, 1312-1314.
28. J. W. Suk, A. Kitt, C. W. Magnuson, Y. Hao, S. Ahmed, J. An, A. K. Swan, B. B. Goldberg, R. S. Ruoff, ACS Nano 2011, 5, 6916-6924.
29. D. A. Czaplewski, G. A. Patrizi, G. M. Kraus, J. R. Wendt, C. D. Nordquist, S. L. Wolfley, M. S. Baker, M. P. de Boer, J. Micromech. Microeng. 2009, 19, 85003.
30. S. P. Koenig, N. G. Boddeti, M. L. Dunn, J. S. Bunch, Nat. Nano 2011, 6, 543-546.
31. J. S. Bunch, M. L. Dunn, Solid State Communications 2012, 152, 1359-1364.
32. K. Das, R. C. Batra, Smart Materials and Structures 2009, 18, 115008.
33. B. E. Artz, L. W. Cathey, Solid-State Sensor and Actuator Workshop, 1992. 5th Technical Digest., IEEE 1992, 190-193.
34. P. Osterberg, H. Yie, X. Cai, J. White, S. Senturia, Micro Electro Mechanical Systems, 1994, MEMS '94, Proceedings, IEEE Workshop on 1994, 28-32.
35. P. R. Gray, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, Wiley, 2009.
36. C. S. Ruiz-Vargas, H. L. Zhuang, P. Y. Huang, A. M. van der Zande, S. Garg, P. L. McEuen, D. A. Muller, R. G. Hennig, J. Park, Nano Lett. 2011, 11, 2259-2263.
37. H. C. Nathanson, W. E. Newell, R. A. Wickstrom, J. R. Davis Jr, Electron Devices, IEEE Transactions on 1967, 14, 117-133.
38. X. Liu, N. G. Boddeti, M. R. Szpunar, L. Wang, M. A. Rodriguez, R. Long, J. Xiao, M. L. Dunn, J. S. Bunch, Nano Lett. 2013, 13, 2309-2313.