Graphene-Based Atomic-Scale switches

Nano Letters

Volumn 8, Issue 10, 2008, Pages 3345-3349

  Standley, Brian ^a   Bao, Wenzhong ^b   Hang, Zhang ^b   Bruck, Jehoshua ^a   Chun, Ning Lau ^b   Bockrath, Marc ^a  

^a California Institute of Technology   (United States)

^b UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC CHAINS; BREAK JUNCTIONS; COMPUTING DEVICES; DEVICE OPERATIONS; GRAPHENE; INFORMATION STORAGES; MECHANICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES; MEMORY CELLS; NON-VOLATILE MEMORIES; RETENTION TIME; SILICON-BASED TECHNOLOGIES;

ELECTRIC PROPERTIES;

DATA STORAGE EQUIPMENT;

EID: 56749178016     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl801774a     Document Type: Article

References (29)

1. Novoselov, K.; Geim, A.; Morozov, S.; Jiang, D.; Zhang, Y.; Dubonos, S.; Grigorieva, I.; Firsov, A Science 2004, 306, 666.
2. Geim, A. K.; Novoselov, K. S. Nat. Mater. 2007, 6, 183-191.
3. Zhang, Y. B.; Tan, Y. W.; Stormer, H. L.; Kim, P. Nature 2005, 438, 201-204.
4. Berger, C; Song, Z. M.; Li, X. B.; Wu, X. S.; Brown, N.; Naud, C; Mayo.D.; Li, T. B.; Hass, J.; Marchenkov, A. N.; Conrad, E. H.; First, P. N.; de Heer, W. A. Science 2006, 312, 1191-1196.
5. Chen, J.-H.; Jang, C; Xiao, S.; Ishigami, M.; Fuhrer, M. S. Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 206-209.
6. Miao, F.; Wijeratne, S.; Zhang, Y.; Coskun, U. C; Bao, W.; Lau, C. N. Science 2007, 317, 1530-1533.
7. Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; Morozov, S. V.; Jiang, D.; Katsnelson, M. I.; Grigorieva, I. V.; Dubonos, S. V.; Firsov, A. A. Nature 2005, 438, 197-200.
8. Du, X.; Skachko, I.; Barker, A.; Andrei, E. Y. arXiv.org:0802.2933, 2008.
9. Balandin, A. A.; Ghosh, S.; Bao, W.; Calizo, I.; Teweldebrhan, D.; Miao, F.; Lau, C. N. Nano Lett. 2008, 8, 902.
10. Moser, J.; Barreiro, A.; Bachtold, A. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 163513.
11. Han, M. Y.; Özyilmaz, B.; Zhang, Y.; Kim, P. Phys. Rev. Lett. 2007, 98, 206805.
12. Chen, Z.; Lin, Y.-M.; Rooks, M. J.; Avouris, P. Physica E 2007, 40, 228-232.
13. Li, X.; Wang, X.; Zhang, L.; Lee, S.; Dai, H. Science 2008, 319, 1229- 1232.
14. Echtermeyer, T. J.; Lemme, M. C; Baus, M.; Szafranek, B. N.; Geim, A. K.; Kurz, H. arXiv.org:0805.4095, 2008.
15. Park, H.; Lim, A.; Alivisatos, A.; Park, J.; McEuen, P. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 301-303.
16. Khondaker, S. I.; Yao, Z. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 4613-4615.
17. Novoselov, K.; Jiang, D.; Schedin, F.; Booth, R.; Khotkevich, V.; Morozov, S.; Geim, A. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2005, 102, 10451-10453.
18. Collier, C. P.; Wong, E. W.; Belohradsky, M.; Raymo, F. M.; Stoddart, J. F.; Kuekes, P. J.; Williams, R. S.; Heath, J. R. Science 1999, 285, 391.
19. Strukov, D. B.; Snider, G. S.; Stewart, D. R.; Williams, R. S. Nature 2008, 453, 80-3.
20. Terabe, K.; Hasegawa, T.; Nakayama, T.; Aono, M. Nature 2005, 433, 47-50.
21. Agrait, N.; Yeyati, A. L.; van Ruitenbeek, J. M. Phys. Rep. 2003, 377, 81.
22. Rinzler, A. G.; Hafner, J. H.; Nikolaev, P.; Lou, L.; Kim, S. G.; Tomanek, D.; Nordlander, P.; Colbert, D. T.; Smalley, R. E. Science 1995, 269, 1550-3.
23. Lee, Y. H. L.; Kim, S. G.; Tománek, D. Chem. Phys. Lett. 1997, 265, 667-672.
24. Raghavachari, K.; Binkley, J. S. J. Chem. Phys. 1987, 87, 2191-2197.
25. Lang, N. D.; Avouris, P. Phys. Rev. Lett. 1998, 81, 3515-3518.
26. Lang, N. D.; Avouris, P. Phys. Rev. Lett. 2000, 84, 358-361.
27. Jiang, A. A.; Mateescu, R.; Schwartz, M.; Bruck, J. Rank Modulation for Flash Memories; IEEE International Symposium on Information Theory: Toronto, Canada, 2008.
28. Park, H.; Park, J.; Lim, A. K. L.; Anderson, E. H.; Alivisatos, A. P.; McEuen, P. L. Nature 2000, 407, 57-60.
29. Vettiger, P.; Cross, G.; Despont, M.; Drechsler, U.; Durig, U.; Gotsmann, B.; Haberle, W.; Lantz, M.; Rothuizen, H.; Stutz, R.; Binnig, G. Nanotechnol., IEEE Trans. 2002, 1, 39-55.