SiC Substrate effects on electron transport in the epitaxial graphene layer

Electronic Materials Letters

Volumn 10, Issue 2, 2014, Pages 387-391

  Arslan, Engin ^a   Çakmakyapan, Semih ^a   Kazar, Özgür ^a   Bütün, Serkan ^a   Lişesivdin, Sefer Bora ^b   Cinel, Neval A ^a   Ertaş, Gülay ^a   Ardalı, Şükrü ^c   Tiraş, Engin ^c   Jawad ul Hassan, ^d   Janzen E ^d   Özbay, Ekmel ^a  

^a BILKENT UNIVERSITY   (Turkey)

^b GAZI UNIVERSITY   (Turkey)

^c ANADOLU UNIVERSITY   (Turkey)

^d LINKÖPING UNIVERSITY   (Sweden)

Author keywords

graphene; hall measurements; parallel conduction; raman spectroscopy

Indexed keywords

ELECTRON GAS; ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES; RAMAN SPECTROSCOPY; SILICON CARBIDE; SILICON COMPOUNDS; TWO DIMENSIONAL ELECTRON GAS;

ELECTRON CARRIER; ELECTRON TRANSPORT; EPITAXIAL GRAPHENE; EXTRACTION METHOD; HALL EFFECT MEASUREMENT; HALL MEASUREMENTS; PARALLEL CONDUCTION; TWO-DIMENSIONAL ELECTRON GAS (2DEG);

GRAPHENE;

EID: 84896517398     PISSN: 17388090     EISSN: 20936788     Source Type: Journal    
DOI: 10.1007/s13391-013-3159-2     Document Type: Article

References (30)

1. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science306, 666 (2004).
2. A. K. Geim and K. S. Novoselov, Nature Materials6, 183 (2007).
3. A. H. C. Neto, F. Guinea, N. M. R. Peres, K. S. Novoselov, and A. K. Geim, Rev. Modern Phys. 81, 109 (2009).
4. F. Rana, IEEE Transactions on Nanotechnology7, 91 (2008).
5. Y.-M. Lin, K. A. Jenkins, A. Valdes-Garcia, J. P. Small, D. B. Farmer, and P. Avouris, Nano Lett. 9, 422 (2009).
6. T. Lohmann, K. von Klitzing, and J. H. Smet, Nano Lett. 9, 1973 (2009).
7. J. Hass, W. A. de Heer, and E. H. Conrad, J. Phys.: Condens. Matter20, 323202 (2008).
8. K. I. Bolotin, K. J. Sikes, J. Hone, H. L. Stormer, and P. Kim, Phys. Rev. Lett. 101, 096802 (2008).
9. F. Varchon, R. Feng, J. Hass, X. Li, B. Ngoc Nguyen, C. Naud, P. Mallet, J.-Y. Veuillen, C. Berger, E. H. Conrad, and L. Magaud, Phys. Rev. Lett. 99, 126805 (2007).
10. X. Li, W. Cai, J. An, S. Kim, J. Nah, D. Yang, R. Piner, A. Velamakanni, I. Jung, E. Tutuc, S. K. Banerjee, L. Colombo, and R. S. Ruoff, Science324, 1245 (2009).
11. K. S. Kim, Y. Zhao, H. Jang, S. Y. Lee, J. M. Kim, K. S. Kim, J.-H. Ahn, P. Kim, J.-Y. Choi, and B. H. Hong, Nature457, 706 (2009).
12. M. J. Kane, N. Apsley, D. A. Anderson, L. L. Taylor, and T. Kerr, J. Phys. C: Solid State Phys. 18, 5629 (1985).
13. W. A. Beck and J. R. Anderson, J. Appl. Phys. 62, 541 (1987).
14. Z. Dziuba, J. Antoszewski, J. M. Dell, L. Faraone, P. Kozodoy, S. Keller, B. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 82, 2996 (1997).
15. I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and C. A. Hoffman, D. Redfern, J. Antoszewski, L. Faraone, and J. R. Lindemuth, J. Appl. Phys. 84, 4966 (1998).
16. S. B. Lisesivdin, A. Yildiz, N. Balkan, M. Kasap, S. Ozcelik, and E. Ozbay, J. Appl. Phys. 108, 013712 (2010).
17. C. Mavroidis, J. J. Harris, R. B. Jackman, I. Harrison, B. J. Ansell, Z. Bougrioua, and I. Moerman, J. Appl. Phys. 91, 9835 (2002).
18. S. B. Lisesivdin, N. Balkan, and E. Ozbay, Microelectronics J. 40, 413 (2009).
19. A. Yildiz, S. B. Lisesivdin, M. Kasap, S. Ozcelik, E. Ozbay, and N. Balkan, Appl. Phys. A98, 557 (2010).
20. M. Roschke and F. Schwierz, IEEE Transactions on Electron Devices48, 1442 (2001).
21. F. Tuinstra and J. L. Koenig, J. Chem. Phys. 53, 1126 (1970).
22. L. M. Malard, M. A. Pimenta, G. Dresselhaus, and M. S. Dresselhaus, Physics Reports473, 51 (2009).
23. A. C. Ferrari, J. C. Meyer, V. Scardaci, C. Casiraghi, M. Lazzeri, F. Mauri, S. Piscanec, D. Jiang, K. S. Novoselov, S. Roth, and A. K. Geim, Phys. Rev. Lett. 97, 187401 (2006).
24. Y. Y. Wang, Z. H. Ni, T. Yu, Z. X. Shen, H. M. Wang, Y. H. Wu, W. Chen, and A. T. S. Wee, J. Phys. Chem. C112, 10637 (2008).
25. C. Faugeras, A. Nerrière, M. Potemski, A. Mahmood and E. Dujardin, C. Berger, and W. A. deHeer, Appl. Phys. Lett. 92, 011914 (2008).
26. Z. H. Ni, W. Chen, X. F. Fan, J. L. Kuo, T. Yu, A. T. S. Wee, and Z. X. Shen, Phys. Rev. B77, 115416 (2008).
27. J. Röhrl, M. Hundhausen, K. V. Emtsev, Th. Seyller, R. Graupner, and L. Ley, Appl. Phys. Lett. 92, 201918 (2008).
28. Z. H. Ni, H. M. Wang, J. Kasim, H. M. Fan, T. Yu, Y. H. Wu, Y. P. Feng, and Z. X. Shen, Nano Lett. 7, 2758 (2007).
29. J. C. Burton, L. Sun, F. H. Long, Z. C. Feng, and I. T. Ferguson, Phys. Rev. B59, 7282 (1999).
30. C. Casiraghi, S. Pisana, K. S. Novoselov, A. K. Geim, and A. C. Ferrari, Appl. Phys. Lett. 91, 233108 (2007).