In situ and non-volatile bandgap tuning of multilayer graphene oxide in an all-solid-state electric double-layer transistor

Advanced Materials

Volumn 26, Issue 7, 2014, Pages 1087-1091

  Tsuchiya, Takashi ^a   Terabe, Kazuya ^a   Aono, Masakazu ^a  

^a NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE   (Japan)

Author keywords

bandgap tuning; electric double layer; graphene oxide; nanoionics

Indexed keywords

GRAPHENE OXIDE; GRAPHITE; OXIDE; ZIRCONIUM; ZIRCONIUM OXIDE;

ARTICLE; BANDGAP TUNING; CHEMISTRY; ELECTRIC DOUBLE-LAYER; NANOIONICS; QUANTUM THEORY; SEMICONDUCTOR;

BANDGAP TUNING; ELECTRIC DOUBLE-LAYER; GRAPHENE OXIDE; NANOIONICS;

GRAPHITE; OXIDES; QUANTUM THEORY; TRANSISTORS, ELECTRONIC; ZIRCONIUM;

EID: 84894225077     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201304770     Document Type: Article

References (30)

1. S. Park, S. R. S. Ruoff, Nat. Nanotechnol. 2009, 4, 217.
2. J. T. Robinson, F. K. Perkins, Z. Wei, P. E. Sheehan, Nano Lett. 2008, 8, 3137
3. G. Eda, G. Fanchini, M. Chhowalla, Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 270.
4. G. Eda, C. Mattevi, H. Yamaguchi, H. Kim, M. Chhowalla, J. Phys. Chem. C 2009, 113, 15768.
5. G. Eda, Y. Lin, C. Mattevi, H. Yamaguchi, H. Chen, I. Chen, C. Chen, M. Chhowalla, Adv. Mater. 2010, 22, 505.
6. C. Chien, S. Li, W. Lai, Y. Yeh, H. Chen, I. Chen, L. Chen, K. Chen, T. Nemoto, S. Isoda, M. Chen, T. Fujita, G. Eda, H. Yamaguchi, M. Chhowlla, C. Chen, Angew. Chem. Int. Ed. 2012, 51, 6662.
7. Z. Luo, P. M. Vora, E. J. Mele, A. T. C. Johnson, J. M. Kikkawa, Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 111909.
8. A. Y. S. Eng, H. L. Poh, F. Sanek, M. Marysko, S. Matejkova, Z. Sofer, M. Pumera, ACS Nano 2013, 7, 5930-5939.
9. G. Khurana, N. Kumar, R. K. Kotnala, T. Nautiyal, R. S. Katiyar, Nanoscale 2013, 5, 3346.
10. A. Mathkar, D. Tozier, P. Cox, P. Ong, C. Galande, K. Balakrishnan, A. L. M. Reddy, P. M. J. Ajayan, Phys. Chem. Lett. 2012, 3, 986.
11. A. B. Kaiser, C. Gommez-Navarro, R. S. Sundaram, M. Burghard, K. Kern, Nano Lett. 2009, 9, 1787.
12. W. Gao, L. Alemany, L. Ci, P. Ajayan, Nat. Chem. 2009, 1, 403.
13. Y. Wang, Z. Shi, Yi. Huang, Y. Ma, C. Wang, M. Chen, Y. Chen, J. Phys. Chem. C 2009, 113, 13103.
14. K. P. Loh, Q. L. Bao, G. Eda, M. Chhowalla, Nat. Chem. 2010, 2, 1015.
15. D. Yang, L. Zhou, L. Chen, B. Zhao, J. Zhang, C. Li, Chem. Commun. 2012, 48, 8078-8080.
16. K. Ueno, S. Nakamura, H. Shimotani, A. Ohtomo, N. Kimura, T. Nojima, H. Aoki, Y. Iwasa, M. Kawasaki, Nat. Mater. 2008, 7, 855.
17. J. T. Ye, S. Inoue, K. Kobayashi, Y. Kasahara, H. T. Yuan, H. Shimotani, Y. Iwasa, Nat. Mater. 2010, 9, 125.
18. H. T. Yuan, H. Shimotani, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki, Y. Iwasa, Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 1046.
19. K. Ueno, H. Shimotani, Y. Iwasa, M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 252107.
20. A. S. Dhoot, S. C. Wimbush, T. Benseman, Adv. Mater. 2010, 22, 2529.
21. T. Tsuchiya, K. Terabe, M. Aono, Appl. Phys. Lett. 2013, 103, 073110.
22. H. Fujimoto, Carbon 2003, 41, 1585.
23. H. J. Avilla-Paredes, E. Barrera-Calva, H. U. Anderson, R. A. D. Souza, M. Martin, Z. A. Munir, S. Kim, J. Mater. Chem. 2010, 20, 6235.
24. S. Miyoshi, Y. Akao, N. Kuwata, J. Kawamura, Y. Oyama, T. Yagi, S. Yamaguchi, Solid State Ionics 2012, 207, 21.
25. M. Jin, H.-K. Jeong, W. J. Yu, D. J. Bae, B. R. Kang, Y. H. Lee, J. Phys. D: Appl. Phys. 2009, 42, 135109.
26. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed., Wiley, New York, 1981.
27. J. Tauc, R. Grigorovici, A. Vancu, Phys. Status Solidi 1966, 15, 627.
28. J. Tauc, in Optical Properties of Solids, (Ed:, F. Abeles,), North-Holland Publishing Co., Amsterdam, The Netherlands, 1972, p. 277.
29. J. B. Oostinga, H. B. Heersche, X. Liu, A. F. Morpurgo, L. M. K. Vandersypen, Nat. Mater. 2008, 7, 151.
30. H. Miyazaki, K. Tsukagoshi, A. Kanda, M. Otani, S. Okada, Nano Lett. 2010, 10, 3888.