Insulator to semimetal transition in graphene oxide

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 113, Issue 35, 2009, Pages 15768-15771

  Eda, Goki ^a   Mattevi, Cecilia ^a   Yamaguchi, Hisato ^a   Kim, Hokwon ^a   Chhowalla, Manish ^a,b  

^a The State University of New Jersey   (United States)

^b IMPERIAL COLLEGE LONDON   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GRAPHENES; HOPPING SITES; SEMIMETAL TRANSITION; VARIABLE-RANGE HOPPING;

ELECTRONIC PROPERTIES; METALLOIDS; TRANSPORT PROPERTIES;

GRAPHITE;

EID: 70349101206     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp9051402     Document Type: Article

References (27)

1. Park, S.; Ruoff, R. S. Nat. Nanotechnol., 2009, 4, 217.
2. Robinson, J. T.; Perkins, F. K.; Snow, E. S.; Wei, Z.; Sheehan, P. E. Nano Lett. 2008, 8, 3137.
3. Eda, G.; Fanchini, G.; Chhowalla, M. Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 270.
4. Geim, A. K.; Novoselov, K. S. Nat. Mater. 2007, 6, 183.
5. Schniepp, H. C.; Li, J. L.; McAllister, M. J.; Sai, H.; Herrera-Alonso, M.; Adamson, D. H.; Prud'homme, R. K.; Car, R.; Saville, D. A.; Aksay, I. A. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 8535.
6. Mattevi, C.; Eda, G.; Agnoli, S.; Miller, S.; Mkhoyan, K. A.; Celik, O.; Mastrogiovanni, D.; Granozzi, G.; Garfunkel, E.; Chhowalla, M. Adv. Funct. Mater 2009, 19, 1.
7. Jung, I.; Dikin, D. A.; Piner, R. D.; Ruoff, R. S. Nano Lett. 2008, 8, 4283.
8. Mkhoyan, K. A.; Contryman, A. W.; Silcox, J.; Stewart, D. A.; Eda, G.; Mattevi, C.; Miller, S.; Chhowalla, M. Nano Lett. 2009, 9, 1058.
9. Zhengtang, L.; Patrick, M. V.; Eugene, J. M.; Johnson, A. T. C.; James, M. K. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 111909.
10. Jeong, H. K.; Jin, M. H.; So, K. P.; Lim, S. C.; Lee, Y. H. J. Phys. D: Appl. Phys. 2009, 42, 065418.
11. Kaiser, A. B.; Gomez-Navarro, C.; Sundaram, R. S.; Burghard, M.; Kern, K. Nano Lett. 2009, 9, 1787.
12. Mott, N. F.; Davis, E. A. Electronic processes in non-crystalline materials, 2nd ed.; Clarendon Press: Oxford, UK, 1979.
13. Hirata, M.; Gotou, T.; Horiuchi, S.; Fujiwara, M.; Ohba, M. Carbon 2004, 42, 2929.
14. Tung, V. C.; Allen, M. J.; Yang, Y.; Kaner, R. B. Nat. Nanotechnol. 2009, 4, 25.
15. Jung, I.; Dikin, D.; Park, S.; Cai, W.; Mielke, S. L.; Ruoff, R. S. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 20264.
16. Stankovich, S.; Dikin, D. A.; Piner, R. D.; Kohlhaas, K. A.; Kleinhammes, A.; Jia, Y.; Wu, Y.; Nguyen, S. T.; Ruoff, R. S. Carbon 2007, 45, 1558.
17. Han, M. Y.; Ozyilmaz, B.; Zhang, Y. B.; Kim, P. Phys. Rev. Lett. 2007, 98.
18. Gilje, S.; Han, S.; Wang, M.; Wang, K. L.; Kaner, R. B. Nano Lett. 2007, 7, 3394.
19. Wu, X.; Sprinkle, M.; Li, X.; Ming, F.; Berger, C.; Heer, W. A. D. Phys. Rev. Lett. 2008, 101, 026801.
20. Appenzeller, J.; Knoch, J.; Derycke, V.; Martel, R.; Wind, S.; Avouris, P. Phys. Rev. Lett. 2002, 89, 126801.
21. Chen, J.-H.; Jang, C.; Adam, S.; Fuhrer, M. S.; Williams, E. D.; Ishigami, M. Nat. Phys. 2008, 4, 378.
22. Wang, S.; Chia, P.-J.; Chua, L.-L.; Zhao, L.-H.; Png, R.-Q.; Sivaramakrishnan, S.; Zhou, M.; Goh, R. G. S.; Friend, R. H.; Wee, A. T. S.; Ho, P. K. H. Adv. Mater. 2008, 20, 3440.
23. Lay-Lay, C.; Shuai, W.; Perq-Jon, C.; Lan, C.; Li-Hong, Z.; Wei, C.; Andrew, T. S. W.; Peter, K. H. H. J. Chem. Phys. 2008, 129, 114702.
24. Pollak, M.; Riess, I. J. Phys. C: Solid State Phys. 1976, 9, 2339.
25. Morozov, S. V.; Novoselov, K. S.; Katsnelson, M. I.; Schedin, F.; Elias, D. C.; Jaszczak, J. A.; Geim, A. K. Phys. Rev. Lett. 2008, 100, 016602.
26. Chen, J.-H.; Jang, C.; Xiao, S.; Ishigami, M.; Fuhrer, M. S. Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 206.
27. Gomez-Navarro, C.; Weitz, T. R.; Bittner, A. M.; Scolari, M.; Mews, A.; Burghard, M.; Kern, K. Nano Lett. 2007, 7, 3499.