Gate-voltage-controlled spin and valley polarization transport in a normal/ferromagnetic/normal MoS2 junction

ACS Applied Materials and Interfaces

Volumn 6, Issue 3, 2014, Pages 1759-1764

  Li, Hai ^a   Shao, Jianmei ^a   Yao, Daoxin ^a   Yang, Guowei ^a  

^a SUN YAT SEN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

MoS2; polarization; spin; spintronics; valley; valleytronics

Indexed keywords

EID: 84894219872     PISSN: 19448244     EISSN: 19448252     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/am4047602     Document Type: Article

References (38)

1. Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; Morozov, S. V.; Jiang, D.; Zhang, Y.; Dubonos, S. V.; Grigorieva, I. V.; Firsov, A. A. Science 2004, 306, 666-669
2. Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; Morozov, S. V.; Jiang, D.; Katsnelson, M. I.; Grigorieva, I. V.; Dubonos, S. V.; Firsov, A. A. Nature 2005, 438, 197-200
3. Novoselov, K. S.; Jiang, D.; Schedin, F.; Booth, T. J.; Khotkevich, V. V.; Morozov, S. V.; Geim, A. K. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2005, 102, 10451-10453
4. Liu, C.-C.; Feng, W.; Yao, Y. Phys. Rev. Lett. 2011, 107, 076802
5. Chen, L.; Liu, C.-C.; Feng, B.; He, X.; Cheng, P.; Ding, Z.; Meng, Z.; Yao, Y.; Wu, K. Phys. Rev. Lett. 2012, 109, 056804
6. Mak, K. F.; Lee, C.; Hone, J.; Shan, J.; Heinz, T. F. Phys. Rev. Lett. 2010, 105, 136805
7. Xiao, D.; Liu, G.-B.; Feng, W.; Xu, X.; Yao, W. Phys. Rev. Lett. 2012, 108, 196802
8. Lu, H.-Z.; Yao, W.; Xiao, D.; Shen, S.-Q. Phys. Rev. Lett. 2013, 110, 016806
9. Li, X.; Zhang, F.; Niu, Q. Phys. Rev. Lett. 2013, 110, 066803
10. Splendiani, A.; Sun, L.; Zhang, Y.; Li, T.; Kim, J.; Chim, C.-Y.; Galli, G.; Wang, F. Nano Lett. 2010, 10, 1271-1275
11. Ellis, J. K.; Lucero, M. J.; Scuseria, G. E. Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 261908
12. Lee, H. S.; Min, S.-W.; Chang, Y.-G.; Park, M. K.; Nam, T.; Kim, H.; Kim, J. H.; Ryu, S.; Im, S. Nano Lett. 2012, 12, 3695-3700
13. Cappelluti, E.; Roldán, R.; Silva-Guillén, J. A.; Ordejón, P.; Guinea, F. Phys. Rev. B 2013, 88, 075409
14. Radisavljevic, B.; Radenovic, A.; Brivio, J.; Giacometti, V.; Kis, A. Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 147-150
15. Wang, Q. H.; Kalantar-Zadeh, K.; Kis, A.; Coleman, J. N.; Strano, M. S. Nat. Nanotechnol. 2012, 7, 699-712
16. Liu, H.; Neal, A. T.; Ye, P. D. ACS Nano 2012, 6, 8563-8569
17. Yoon, Y.; Ganapathi, K.; Salahudin, S. Nano Lett. 2011, 11, 3768-3773
18. Neto, A. H. C.; Guinea, F.; Peres, N. M. R.; Novoselov, K. S.; Geim, A. K. Rev. Mod. Phys. 2009, 81, 109-162
19. Sarma, S. D.; Adam, S.; Hwang, E. H.; Rossi, E. Rev. Mod. Phys. 2011, 83, 407-470
20. Cheiwchanchamnangij, T.; Lambrecht, W. R. L. Phys. Rev. B 2012, 85, 205302
21. Zhu, Z. Y.; Cheng, Y. C.; Schwingenschlögl, U. Phys. Rev. B 2011, 84, 153402
22. Kormányos, A.; Zólymi, V.; Drummond, N. D.; Rakyta, P.; Burkard, G.; Fal'ko, V. I. Phys. Rev. B 2013, 88, 045416
23. Mak, K. F.; He, K.; Shan, J.; Heinz, T. F. Nat. Nanotechnol. 2012, 7, 494-498
24. Cao, T.; Wang, G.; Han, W.; Ye, H.; Zhu, C.; Shi, J.; Niu, Q.; Tan, P.; Wang, E.; Liu, B.; Feng, J. Nat. Commun. 2012, 3, 887
25. Zeng, H.; Dai, J.; Yao, W.; Xiao, D.; Cui, X. Nat. Nanotechnol. 2012, 7, 490-493
26. Yokoyama, T. Phys. Rev. B 2008, 77, 073413
27. Haugen, H.; Huertas-Hernando, D.; Brataas, A. Phys. Rev. B 2008, 77, 115406
28. Yokoyama, T. Phys. Rev. B 2013, 87, 241409(R)
29. Ramasubramaniam, A.; Naveh, D.; Towe, E. Phys. Rev. B 2011, 84, 205325
30. Dolui, K.; Pemmaraju, D. C.; Sanvito, S. ACS Nano 2012, 6, 4823-4834
31. Qi, J.; Li, X.; Qian, X.; Feng, J. Appl. Phys. Lett. 2013, 102, 173112
32. Ye, P. D.; Weiss, D.; Gerhards, R. R.; Seeger, M.; von Klitzing, K.; Eberl, K.; Nickel, H. Phys. Rev. Lett. 1995, 74, 3013
33. Bai, C.; Zhang, X. Phys. Rev. B 2007, 76, 075430
34. Barbier, M.; Vasilopoulos, P.; Peeters, F. M. Phys. Rev. B 2009, 80, 205415
35. Wang, L.-G.; Zhu, S.-Y. Phys. Rev. B 2010, 81, 205444
36. Mondal, S.; Sen, D.; Sengupta, K.; Shankar, R. Phys. Rev. Lett. 2010, 104, 046403
37. Yamakage, A.; Imura, K.-I.; Cayssol, J.; Kuramoto, Y. Phys. Rev. B 2011, 83, 125401
38. Yokoyama, T.; Tanaka, Y.; Nagaosa, N. Phys. Rev. B 2010, 81, 121401