Kinetics of anatase phase formation in TiO2 films during atomic layer deposition and post-deposition annealing

CrystEngComm

Volumn 15, Issue 46, 2013, Pages 9949-9954

  Luka, Grzegorz ^a   Witkowski, Bartlomiej S ^a   Wachnicki, Lukasz ^a   Andrzejczuk, Mariusz ^b   Lewandowska, Malgorzata ^b   Godlewski, Marek ^a,c  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (Poland)

^b WARSAW UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Poland)

^c CARDINAL STEFAN WYSZY SKI UNIVERSITY   (Poland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84887492225     PISSN: None     EISSN: 14668033     Source Type: Journal    
DOI: 10.1039/c3ce40893k     Document Type: Article

References (31)

1. 2, RCS Publishing, Cambridge, 2010
2. P. K. J. Robertson L. A. Lawton B. Munch J. Rouzade Chem. Commun. 1997 393 1994
3. A. Fujishima K. Honda Nature 1972 238 27
4. A. Fujishima X. Zhang D. A. Tryk Surf. Sci. Rep. 2008 63 515
5. W. Li S. I. Shah C. P. Huang O. Jung C. Ni Mater. Sci. Eng. B 2002 96 247
6. J. T. Remillard J. R. McBride K. E. Nietering A. R. Drews X. Zhang J. Phys. Chem. B 2000 104 4440
7. E. Traversa J. Am. Ceram. Soc. 1995 78 2625
8. A. I. Kingon J. P. Maris S. K. Steiffer Nature 2000 406 1032
9. A. Tsevis N. Spanos P. G. Koutsoukos A. J. Van der Linde J. Lyklema J. Chem. Soc., Faraday Trans. 1998 94 295
10. H. Z. Zhang J. F. Banfield J. Mater. Chem. 1998 8 2073
11. H. Z. Zhang J. F. Banfield J. Phys. Chem. B 2000 104 3481
12. M. R. Ranade A. Navrotsky H. Z. Zhang J. F. Banfield S. H. Elder A. Zaban P. H. Borse S. K. Kulkarni G. S. Doran H. J. Whitfield Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A. 2002 99 6476
13. J. Arbiol J. Cerda G. Dezanneau A. Cirera F. Peiro A. Cornet J. R. Mornate J. Appl. Phys. 2002 92 853
14. Y. Liang S. Gan S. A. Chambers E. I. Altman Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 2001 63 235402
15. K. Hashimoto H. Irie A. Fujishima Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 2005 44 8269
16. Y. Furubayashi T. Hitosugi Y. Yamamoto K. Inaba G. Kinoda Y. Hirose T. Shimada T. Hasegawa Appl. Phys. Lett. 2005 86 252101
17. V. Pore M. Ritala M. Leskela T. Saukkonen M. Jarn Cryst. Growth Des. 2009 9 2974
18. M. A. Baklar F. Koch A. Kumar E. B. Domingo M. Campoy-Quiles K. Feldman L. Yu P. Wobkenberg J. Ball R. M. Wilson I. McCulloch T. Kreouzis M. Heeney T. Anthopoulos P. Smith N. Stingelin Adv. Mater. 2010 22 3942
19. S. Mraz J. M. Schneider J. Appl. Phys. 2011 109 023512
20. A. Lotnyk S. Senz D. Hesse Thin Solid Films 2007 515 3439
21. H.-E. Cheng C.-C. Chen J. Electrochem. Soc. 2008 155 D604
22. J. Aarik A. Aidla H. Mandar V. Sammelselg J. Cryst. Growth 2000 220 531
23. W.-J. Lee M.-H. Hon J. Phys. Chem. C 2010 114 6917
24. J. Aarik A. Aidla H. Mandar T. Uustare Appl. Surf. Sci. 2001 172 148
25. L. Riikka L. Puurunen Chem. Vap. Deposition 2005 11 79
26. J. Aarik A. Aidla H. Mandar T. Uustare M. Schuisky A. Harsta J. Cryst. Growth 2002 242 189
27. V. Miikkulainen M. Leskela M. Ritala R. L. Puurunen J. Appl. Phys. 2013 113 021301
28. J.-H. Yao K. R. Elder H. Guo M. Grant Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 1993 47 14110
29. H. Cheng A. Selloni J. Chem. Phys. 2009 131 054703
30. H. Iddir S. Ogut P. Zapol N. D. Browning Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 2007 75 073203
31. S. Mezhenny P. Maksymovych T. L. Thompson O. Diwald D. Stahl S. D. Walck J. T. Yates Jr. Chem. Phys. Lett. 2003 369 152