A large magnetoresistance effect in p-n junction devices by the space-charge effect

Advanced Functional Materials

Volumn 23, Issue 23, 2013, Pages 2918-2923

  Yang, Dezheng ^a   Wang, Fangcong ^a   Ren, Yang ^a   Zuo, Yalu ^a   Peng, Yong ^a   Zhou, Shiming ^b   Xue, Desheng ^a  

^a LANZHOU UNIVERSITY   (China)

^b TONGJI UNIVERSITY   (China)

Author keywords

magneto electronics; magnetoresistance; p n junctions; space charge effects

Indexed keywords

DIFFERENT-MAGNETIC FIELDS; ELECTRIC FIELD AND MAGNETIC FIELD; EXTERNAL MAGNETIC FIELD; MAGNETORESISTANCE EFFECTS; MAGNETORESISTANCE RATIO; MULTI-FUNCTIONAL MATERIALS; P-N JUNCTION; SPACE CHARGE EFFECTS;

ELECTRIC FIELDS; MAGNETIC FIELDS; MAGNETORESISTANCE; MAGNETOS; SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE; SILICON;

SEMICONDUCTOR JUNCTIONS;

EID: 84879101136     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.201202695     Document Type: Article

References (30)

1. J. S. Hu, T. F. Rosenbaum, J. B. Betts, Phys. Rev. Lett. 2005, 95, 186603.
2. R. Xu, A. Husmann, T. F. Rosenbaum, M. L. Saboungi, J. E. Enderby, P. B. Littlewood, Nature 1997, 390, 57.
3. F. Y. Yang, K. Liu, K. M. Hong, D. H. Reich, P. C. Searson, C. L. Chien, Science 1999, 284, 1335.
4. S. A. Solin, T. Thio, D. R. Hines, J. J. Heremans, Science 2000, 289, 1530.
5. Z. G. Sun, M. Mizuguchi, T. Manago, H. Akinaga, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5643.
6. J. J. H. M. Schoonus, F. L. Bloom, W. Wagemans, H. J. M. Swagten, B. Koopmans, Phys. Rev. Lett. 2008, 100, 127202.
7. J. J. H. M. Schoonus, J. T. Kohlhepp, H. J. M. Swagten, B. Koopmans, J. Appl. Phys. 2008, 103, 07F309.
8. M. P. Delmo, S. Kasai, K. Kobayashi, T. Ono, Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 132106.
9. M. P. Delmo, S. Yamamoto, S. Kasai, T. Ono, K. Kobayashi, Nature 2009, 457, 1112.
10. H. J. Jang, I. Appelbaum, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 182108.
11. T. E. Park, B. C. Min, I. Kim, J. E. Yang, M. H. Jo, J. Chang, H. J. Choi, Nano Lett. 2011, 11, 4730.
12. N. A. Porter, C. H. Marrows, J. Appl. Phys. 2011, 109, 07c703.
13. C. Wan, X. Zhang, X. Gao, J. Wang, X. Tan, Nature 2011, 477, 304.
14. L. H. Wu, X. Zhang, J. Vanacken, N. Schildermans, C. H. Wan, V. V. Moshchalkov, Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 112113.
15. J. J. H. M. Schoonus, P. P. J. Haazen, H. J. M. Swagten, B. Koopmans, J. Phys. D: Appl. Phys. 2009, 42, 185011.
16. S. A. Wolf, D. D. Awschalom, R. A. Buhrman, J. M. Daughton, S. von Molnar, M. L. Roukes, A. Y. Chtchelkanova, D. M. Treger, Science 2001, 294, 1488.
17. M. N. Baibich, J. M. Broto, A. Fert, F. N. Vandau, F. Petroff, P. Eitenne, G. Creuzet, A. Friederich, J. Chazelas, Phys. Rev. Lett. 1988, 61, 2472.
18. S. S. P. Parkin, C. Kaiser, A. Panchula, P. M. Rice, B. Hughes, M. Samant, S. H. Yang, Nat. Mater. 2004, 3, 862.
19. S. Jin, T. H. Tiefel, M. McCormack, R. A. Fastnacht, R. Ramesh, L. H. Chen, Science 1994, 264, 413.
20. V. Guttal, D. Stroud, Phys. Rev. B. 2005, 71, 201304.
21. J. Hu, M. M. Parish, T. F. Rosenbaum, Phys. Rev. B 2007, 75, 214203.
22. R. Magier, D. J. Bergman, Phys. Rev. B 2006, 74, 094423.
23. M. M. Parish, P. B. Littlewood, Phys. Rev. B 2005, 72, 094417.
24. M. M. Parish, P. B. Littlewood, Nature 2003, 426, 162.
25. E. I. Karakushan, V. I. Stafeev, Sov. Phys. Solid State 1961, 3, 493.
26. H. Pfleiderer, Solid-State Electron 1972, 15, 335.
27. G. A. Egiazaran, G. A. Mnatsakanyan, V. I. Murygin, V. I. Stafeev, Sov. Phys. Semicond. 1976, 9, 829.
28. A. Mohaghegh, S. Cristoloveanu, J. De Poncharra, IEEE Trans. Electron Devices 1981, 28, 237.
29. F. J. Morin, J. P. Maita, Phys. Rev. 1954, 28, 96.
30. B. G. Streetman, S. K. Banerjee, Solid State Electronic Devices, Prentice-Hall Inc., Upper Saddle River, NJ 2006, Ch.5.