Optical and dielectric characterization of atomic layer deposited Nb 2O5 thin films

ECS Solid State Letters

Volumn 1, Issue 1, 2012, Pages

  Blanquart, Timothee ^a   Kukli, Kaupo ^a   Niinistö, Jaakko ^a   Longo, Valentino ^b   Heikkilä, Mikko ^a   Ritala, Mikko ^a   Leskelä, Markku ^a  

^a UNIVERSITY OF HELSINKI   (Finland)

^b EINDHOVEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Netherlands)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITED; DEPOSITION PARAMETERS; DIELECTRIC CHARACTERIZATION; LOW-LEAKAGE CURRENT; OXYGEN SOURCES; PHYSICAL THICKNESS; POST DEPOSITION ANNEALING; POST DEPOSITION TREATMENT;

ATOMIC LAYER DEPOSITION; DIELECTRIC PROPERTIES; NIOBIUM; NIOBIUM OXIDE; THIN FILMS;

DEPOSITION;

EID: 84876518681     PISSN: 21628742     EISSN: 21628750     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/2.002201ssl     Document Type: Article

References (22)

1. M. Leskel?a and M. Ritala, Thin Solid Films, 409, 138 (2002).
2. M. Popovici, M. Kim, K. Tomida, J. Swerts, H. Tielens, A. Moussa, O. Richard, H. Bender, A. Franquet, T. Conard, L. Altimime, S. Van Elshocht, and J. A. Kittl, Microelectron. Eng., 88, 7 (2011).
3. S. K. Kim, G. Choi, S. Y. Lee, M. Seo, S. W. Lee, J. H. Han, H. Ahn, S. Han, and C. S. Hwang, Adv. Mater., 20, 8 (2008).
4. S. W. Lee, J. H. Han, S. Han, W. Lee, J. H. Jang, M. Seo, S. K. Kim, C. Dussarrat, J. Gatineau, Y. Min, and C. S. Hwang, Chem. Mater., 23, 8 (2011).
5. F. Emmenegger and M. L. A. Robinson, J. Phys. Chem. Solids., 29, 9 (1968).
6. K. Cho, J. Lee, J. Lim, H. Lim, J. Lee, S. Park, C. Yoo, S. Kim, U. Chung, and J. Moon, Microelectron. Eng., 80, 317 (2005).
7. R. Brazis and P. Pipinys, J. Appl. Phys., 93, 12 (2003).
8. T. Blomberg, C. Wenger, C. Baristiran Kaynak, G. Ruhl, and P. Baumann, Microelectron. Eng., 88, 8 (2011).
9. M. Rooth, K. Kukli, and A. Harsta, Proc. - Electrochem. Soc., 2005-09, 598 (2005).
10. T. Blanquart, J. Niinisto, M. Heikkila, T. Sajavaara, K. Kukli, E. Puukilainen, C. Xu, W. Hunks, M. Ritala, and M. Leskela, Chem. Mater., 24, 975 (2012).
11. X. Liu, S. Ramanathan, A. Longdergan, A. Srivastava, E. Lee, T. E. Seidel, J. T. Barton, D. Pang, and R. G. Gordon, J. Electrochem. Soc., 152, 3 (2005).
12. F. Lai, M. Li, K. Chen, H. Wang, Y. Song, and Y. Jiang, Appl. Opt., 44, 29 (2005).
13. M. Harris, H. A. Macleod, S. Ogura, E. Pelletier, and B. Vidal, Thin Solid Films, 57, 1 (1979).
14. C. Chaneliere, J. L. Autran, R. A. B. Devine, and B. Balland, Mater. Sci. Eng. R, 22, 6 (1998).
15. N. Menou, M. Popovici, S. Clima, K. Opsomer, W. Polspoel, B. Kaczer, G. Rampelberg, K. Tomida, M. A. Pawlak, C. Detavernier, D. Pierreux, J. Swerts, J. W. Maes, D.Manger, M. Badylevich, V. Afanasiev, T. Conard, P. Favia, H. Bender, B. Brijs, W. Vandervorst, S. Van Elshocht, G. Pourtois, D. J. Wouters, S. Biesemans, and J. A. Kittl, J. Appl. Phys., 106, 9 (2009).
16. J. A. Kittl,K. Opsomer,M. Popovici, N. Menou,B.Kaczer,X. P.Wang, C. Adelmann, M. A. Pawlak, K. Tomida, A. Rothschild, B. Govoreanu, R. Degraeve,M. Schaekers, M. Zahid, A. Delabie, J. Meersschaut, W. Polspoel, S. Clima, G. Pourtois, W. Knaepen, C. Detavernier, V. V. Afanas'ev, T. Blomberg, D. Pierreux, J. Swerts, P. Fischer, J. W. Maes, D. Manger,W. Vandervorst, T. Conard, A. Franquet, P. Favia, H. Bender, B. Brijs, S. Van Elshocht, M. Jurczak, J. Van Houdt, and D. J. Wouters, Microelectronic Engineering., 86, 7 (2009).
17. M. Stengel and N. A. Spaldin, Nature., 443, 7112 (2006).
18. S. K.Kim, S.W. Lee, J. H. Han, B. Lee, S.Han, andC. S. Hwang, Adv. Funct. Mater., 20, 18 (2010).
19. G. Bersuker, J. Yum, L. Vandelli, A. Padovani, L. Larcher, V. Iglesias, M. Porti, M. Nafria, K. McKenna, A. Shluger, P. Kirsch, and R. Jammy, Solid-State Electron., 65-66 146 (2011).
20. J. Lee and S. Joo, Solid-State Electron., 46, 1651 (2002).
21. J. Robertson, Eur. Phys. J.: Appl. Phys., 28, 3 (2004).
22. M. Lee, C. Yen, and S. Yang, IEEE Trans. Electron Devices., 58, 11 (2011).